Infineon IRFP3006PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IRFP3006PBF.

Описание

Infineon IRFP3006PBF — это N-канальный мощный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистора) в корпусе TO-247. Он принадлежит к семейству HEXFET, известному высокой эффективностью и надежностью.

Этот транзистор предназначен для приложений, требующих управления очень высокими токами (до 210А в импульсе) при средних напряжениях (до 60В). Его ключевая особенность — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) — всего 1.7 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, что критически важно для мощных преобразователей, импульсных источников питания и систем управления двигателями.

Основные сферы применения:

• Силовые преобразователи: Высокотоковые DC-DC понижающие, повышающие и мостовые преобразователи.
• Управление электродвигателями: Контроллеры для электромобилей, промышленных приводов, мощных вентиляторов.
• Инверторы и сварочное оборудование.
• Серверные и телекоммуникационные источники питания.
• Системы защиты от перенапряжений (eFuse, активные выпрямители).

Ключевые технические характеристики (ТХ)

При температуре корпуса 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-247 | Стандартный, удобный для монтажа на радиатор. | | Макс. напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 60 В | Рабочее напряжение. | | Макс. ток стока (Id) | 140 А | При Tc=25°C (непрерывный). | | Макс. импульсный ток стока (Idm) | 210 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.7 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=75 А. | | | 2.0 мОм (макс.) | Vgs=4.5 В, Id=50 А. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | Тип. 3 В. | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | Рабочий диапазон для управления. | | Общий заряд затвора (Qg) | 210 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера. | | Время включения (ton) / выключения (toff) | 80 нс / 130 нс (тип.) | | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C. На практике ограничивается нагревом. | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параметры: Is=140A, trr=290 нс (тип.). | | Темп. перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура p-n перехода. |

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Это транзисторы с максимально близкими характеристиками, часто взаимозаменяемые без изменений в схеме.

Основные парт-номера от других производителей:

• STMicroelectronics: STP300N6F7, STW300N6F7 (очень близкий аналог).
• Vishay / Siliconix: SIHF3006E (аналог от одного из пионеров технологии).
• ON Semiconductor: FDP3006 (популярный и часто используемый прямой аналог).

Аналоги с улучшенными/схожими параметрами (всегда проверять распиновку и характеристики в даташите!):

• Infineon IRFP3206PBF / IRFP3206ZPBF: Более новое поколение, ниже Rds(on) (1.4 мОм), выше стоимость. Оптимальная модернизация.
• Infineon IRFP4368PBF: Напряжение 100В, ток 130А, Rds(on)=3.7 мОм. Если нужно больше напряжение.
• Infineon IRFP260N / IRFP260NPBF: Классика, напряжение 200В, но ток меньше (50А) и выше Rds(on).
• IXYS IXFH300N06T2: Мощный аналог от другого лидера рынка.

Совместимые и конкурирующие модели (для выбора в проекте)

Эти модели находятся в одном классе мощности (низковольтные, высокотоковые) и могут рассматриваться как альтернативы при проектировании новой схемы. Требуется перерасчет драйвера и потерь.

• Infineon IRFP3077PBF (75В, 210А, 1.9 мОм) — очень близкий конкурент.
• Infineon IRFP4468PBF (100В, 195А, 2.3 мОм) — чуть выше напряжение.
• Infineon IRFP4110PBF (100В, 180А, 3.7 мОм).
• STMicroelectronics STP220N6F7 (60В, 200А, 1.7 мОм).
• ON Semiconductor FDP3682 (80В, 140А, 2.8 мОм).

Важные замечания при замене и использовании:

1. Драйвер затвора: Из-за высокой емкости затвора (Qg) обязательно требуется использование мощного драйвера затвора (например, IR2110, IRS2186, специализированные микросхемы), способного быстро заряжать и разряжать затвор.
2. Теплоотвод: При таких токах даже низкое Rds(on) приводит к выделению значительной тепловой мощности. Обязателен массивный радиатор, а часто и активное охлаждение.
3. Паразитная индуктивность: Монтаж должен быть максимально компактным, с минимальной длиной силовых проводников (особенно от стока к нагрузке и обратно по истоку) для подавления всплесков напряжения при коммутации.
4. Напряжение управления (Vgs): Для полного открытия и минимального Rds(on) рекомендуется напряжение на затворе не менее 10В. Работа при 4.5В возможна, но с большими потерями.

Вывод: IRFP3006PBF — это проверенная временем «рабочая лошадка» для мощных низковольтных приложений. При выборе аналога в первую очередь стоит смотреть на FDP3006 и IRFP3206, а также всегда внимательно изучать даташит на предмет отличий в динамических характеристиках и паразитных емкостях.