Infineon IRFP3306PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFP3306PBF.

Описание

Infineon IRFP3306PBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный в популярном корпусе TO-247AC. Он принадлежит к семейству HEXFET и использует передовую технологию Infineon, обеспечивающую низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокую эффективность.

Этот транзистор предназначен для применения в высокомощных импульсных источниках питания, инверторах, контроллерах двигателей, аудиоусилителях класса D и промышленных системах управления, где требуются высокое напряжение и большой ток.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток: Позволяет работать в цепях с напряжением до 400В, что делает его пригодным для сетевых (mains) приложений.
• Низкое сопротивление Rds(on): Всего 40 мОм при 10В на затворе, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Быстрое переключение: Благодаря низким зарядам затвора, что важно для высокочастотных преобразователей.
• Высокая надежность: Соответствие RoHS, устойчивость к лавинным процессам (Avalanche Rated).

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | — | | Корпус | TO-247AC | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Напряжение сток-исток (Vds) | 400 В | Максимальное постоянное | | Ток стока (Id) | 35 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток стока (Id) | 22 А | При температуре корпуса 100°C | | Сопротивление сток-исток (Rds(on)) | 0.040 Ом (40 мОм) | Vgs = 10 В, Id = 17 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | — | | Заряд затвора (Qg) | ~ 120 нКл (тип.) | Vgs = 10 В | | Время включения (td(on)+tr) | ~ 35 нс (тип.) | — | | Время выключения (td(off)+tf) | ~ 80 нс (тип.) | — | | Мощность рассеяния (Pd) | 230 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | — | | Рабочая температура (Tj) | от -55 до +175 °C | — |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

При поиске аналога или замены важно сравнивать ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), корпус и заряд затвора (Qg).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Следующие модели имеют схожие характеристики и корпус, но перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитом, особенно по распиновке и динамическим характеристикам.

• STMicroelectronics: STW45NM50FD, STP45NM50FD (500В, 32А, 80 мОм) — более высокое напряжение, но подходит для многих схем на 400В.
• ON Semiconductor (Fairchild): FQA40N40 (400В, 40А, 62 мОм).
• Vishay (Siliconix): SUP40020E (400В, 20А, 200 мОм) — по току слабее.
• IXYS: IXFH40N40 (400В, 40А, 80 мОм).

Аналоги в других корпусах (для новых проектов):

• TO-220: Такие транзисторы (например, IRF740, STP20NF20) имеют значительно меньшую рассеиваемую мощность и подходят для менее мощных применений. Не является механически или по мощности прямой заменой для TO-247.

Важные замечания по совместимости:

1. Не все транзисторы с похожими цифрами в названии совместимы. Например, IRFP360 имеет другие параметры.
2. Корпус TO-247AC является стандартным, но всегда проверяйте расположение выводов (Pinout).
3. Для критичных по времени переключения схем (высокочастотные ШИМ) обязательно сравнивайте динамические параметры: Qg, Ciss, Crss.
4. При замене в ремонте, если транзистор вышел из строя, обязательно проверяйте всю обвязку (драйверы, снабберы), так как причина поломки может быть в них.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы (DC-AC), в т.ч. для солнечных электростанций
• Управление электродвигателями (промышленные приводы, электромобили)
• Аудиоусилители высокой мощности (класс D)
• Сварочное оборудование
• Индукционные нагреватели

Рекомендация: Для проектирования новых устройств или точного ремонта всегда используйте официальный даташит (datasheet) на конкретную ревизию компонента от производителя.