Infineon IRFP3415PBF

Infineon IRFP3415PBF
Артикул: 564287

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IRFP3415PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRFP3415PBF.

Описание

IRFP3415PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, мощных инверторах, контроллерах двигателей и системах управления мощностью (мотор-драйверах).

Ключевые преимущества:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора, что важно для высокочастотных преобразователей.
  • Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Характеризуется широкой Area of Safe Operation (ASO).
  • Промышленное качество: Корпус TO-247AC обеспечивает хороший теплоотвод.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (HEXFET) | — | | Корпус | TO-247AC | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 150 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Непрерывный ток стока (Id) | 39 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 160 А | — | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0,042 Ом | Типовое, при Vgs=10V, Id=20A | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | Стандартный диапазон для управления | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | Важно не превышать! | | Заряд затвора (Qg) | ~ 150 нКл | При Vgs=10V, влияет на скорость переключения | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | — | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая +150°C |


Парт-номера и совместимые аналоги

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: Vdss (150В), Id (39А), Rds(on) (~0.04 Ом), корпус TO-247/TO-3P и схожая структура затвора (Vgs, Qg).

1. Прямые аналоги и кросс-референсы (с очень близкими параметрами):

  • International Rectifier (ныне Infineon): IRFP3415, IRFP3415Z (с улучшенным диодом)
  • Vishay / Siliconix: SUP75N15-15 (очень близкий аналог, 150В, 75А, Rds(on)=0.015 Ом)
  • Fairchild / ON Semiconductor: FDPF51N25 (250В, 51А, Rds(on)=0.06 Ом) — напряжение выше, можно заменять в низковольтных цепях
  • STMicroelectronics: STP55NF15 (150В, 55А, Rds(on)=0.035 Ом) — очень популярный и доступный аналог
  • IXYS: IXFH39N15 (150В, 39А, Rds(on)=0.055 Ом)

2. Близкие по характеристикам и часто взаимозаменяемые модели (с проверкой по даташиту):

  • Infineon: IRFP360LC (150В, 45А, Rds(on)=0.03 Ом), IRFP3710 (100В, 57А, Rds(on)=0.023 Ом) — если напряжение позволяет
  • ON Semiconductor: FDP61N15 (150В, 61А, Rds(on)=0.022 Ом), FDPF44N25 (250В, 44А, Rds(on)=0.077 Ом)
  • STMicroelectronics: STP60NF15 (150В, 60А, Rds(on)=0.018 Ом) — более мощный
  • Toshiba: TK65J15V (150В, 65А, Rds(on)=0.018 Ом)

3. Российские / советские аналоги:

Прямых отечественных аналогов в таком же корпусе и с такими же динамическими параметрами не существует. В очень грубом приближении по току и напряжению можно рассматривать КТ848А (биполярный, а не полевой транзистор, требует другого управления), но это не является полноценной заменой и требует полного пересчета схемы управления.


Важные замечания при замене:

  1. Всегда сверяйтесь с даташитом (Datasheet)! Особое внимание уделите:
    • Распиновке (pinout) корпуса — у TO-247 она стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но лучше проверить.
    • Емкостным параметрам (Ciss, Coss, Crss) и заряду затвора (Qg) — от этого зависит работа драйвера. Если заряд больше, драйвер может не справиться.
    • Характеристикам встроенного диода — особенно важно в мостовых схемах и инверторах.
  2. Напряжение Vgs(max) — критический параметр, у большинства аналогов также ±20В.
  3. При замене на транзистор с более низким Rds(on) или более высоким током работа схемы, как правило, улучшается. Однако транзистор с более высоким напряжением (например, 250В вместо 150В) часто имеет худшие динамические характеристики, что может снизить КПД на высоких частотах.

Вывод: IRFP3415PBF — надежный и популярный транзистор для среднемощных преобразователей. Его наиболее распространенными и доступными аналогами являются STP55NF15 (ST) и FDP61N15 (ON Semi). Перед заменой обязательна проверка ключевых параметров в спецификации.

Товары из этой же категории