Infineon IRFS4010TRL7PP

Infineon IRFS4010TRL7PP
Артикул: 564305

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IRFS4010TRL7PP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon IRFS4010TRL7PP.

Описание

Infineon IRFS4010TRL7PP — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Он предназначен для применения в мощных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и других силовых приложениях, где требуются высокий КПД, надежность и компактность.

Ключевые особенности этого транзистора:

  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 1.7 мОм при 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общую эффективность системы.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и внутренней емкости, что позволяет работать на высоких частотах.
  • Высокая стоковая струйная стойкость (I₅₉ₗₑₗ): 390A, что обеспечивает надежную работу при кратковременных перегрузках и пусковых токах.
  • Превосходная стойкость к лавинному пробою: Технология Infineon гарантирует надежность в жестких условиях эксплуатации.
  • Корпус TO-220 FullPAK (без отверстия): Полностью пластиковый корпус, обеспечивающий повышенное изоляционное напряжение (до 2500 В) между кристаллом и радиатором. Это устраняет необходимость в изолирующих прокладках и упрощает монтаж, улучшая тепловые характеристики.

Основная область применения: Выходные каскады мощных импульсных блоков питания (например, для серверов, телекоммуникационного оборудования), контроллеры двигателей, автомобильная электроника, силовые инверторы.


Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET®) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220 FullPAK (изолированный) | | | Сток-исток напряжение (VDS) | 100 В | Максимальное рабочее напряжение | | Стоковый ток (ID) | 170 А | При температуре корпуса 25°C | | Стоковый импульсный ток (IDM) | 390 А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.7 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 80 А | | | 2.4 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 60 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2 - 4 В | Типовое 3 В | | Заряд затвора (Qg) | 210 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 330 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Диод "сток-исток" (Internal Diode) | Встроенный обратный диод | | | Температура хранения/перехода | от -55 до +175 °C | |


Парт-номера и Совместимые модели

Этот транзистор является частью популярного семейства. При поиске аналога или замены необходимо обращать внимание на ключевые параметры: VDS (100В), ID (170А), RDS(on) (~1.7мОм) и корпус TO-220 (FullPAK).

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

  • IRFS4010TRL7P (без последней "P" в конце) — практически идентичная модель, может отличаться упаковкой (на катушке/в тубе).
  • IRFS4010TRL7PBF — вариант с суффиксом "BF" (безгалогенный, соответствует экологическим нормам RoHS).
  • IRFS4010-7P — часто используемое сокращенное обозначение.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При замене обязательно сверяйтесь с даташитом, так как характеристики, особенно динамические (заряды, емкости), могут незначительно отличаться, что может повлиять на работу на высоких частотах.

  • International Rectifier (ныне Infineon): Тот же производитель, модель может иметь незначительные отличия в маркировке (IRFS4010).
  • Vishay (Siliconix):
    • SUD70N10-26P (VDS=100V, ID=70A, RDS(on)=2.6мОм) — Внимание! Ток значительно ниже, подходит не для всех применений.
    • SQJB60EP (VDS=100V, ID=60A, RDS(on)=9.5мОм) — параметры слабее, требует проверки.
  • STMicroelectronics:
    • STP160N10F7 (VDS=100V, ID=160A, RDS(on)=1.7мОм) — очень близкий аналог по параметрам в корпусе TO-220.
  • ON Semiconductor (Fairchild):
    • FDP100N10 (VDS=100V, ID=100A, RDS(on)=3.9мОм) — параметры проводимости слабее.
    • NTD100N10RG (VDS=100V, ID=100A, RDS(on)=5.3мОм) — параметры слабее.
  • IXYS (Littelfuse):
    • Аналогичные MOSFET в сериях с напряжением 100В и низким RDS(on). Конкретную модель нужно подбирать по параметрам (например, IXFH170N10).

Важное замечание по замене: Наиболее критичным при замене является корпус TO-220 FullPAK (полностью изолированный). Если в вашей схеме не требуется изоляция, можно использовать стандартный TO-220 (например, IRFS4010), но тогда обязательно использовать изолирующую прокладку и втулку. Обратный переход (с не изолированного на изолированный) обычно не вызывает проблем.

Товары из этой же категории