Infineon IRFS7530-7PPBF
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IRFS7530-7PPBF
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRFS7530-7PPBF.
Описание
IRFS7530-7PPBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET® Gen VII от Infineon. Он принадлежит к семейству DirectFET®, которое представляет собой инновационный корпус, предназначенный для эффективного отвода тепла и минимизации паразитных индуктивностей.
Ключевые особенности и применение:
- Назначение: Предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), особенно в качестве синхронного выпрямителя на вторичной стороне в топологиях типа Buck, Push-Pull, Half/Full-Bridge. Также применяется в мощных DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и цепях, требующих низкого сопротивления во включенном состоянии.
- Корпус DirectFET (Large Can): Позволяет отводить тепло как с верхней, так и с нижней стороны, что значительно улучшает тепловые характеристики по сравнению со стандартными корпусами (TO-220, D²PAK). Монтаж осуществляется непосредственно на печатную плату.
- Генерация Gen VII: Обеспечивает исключительно низкое значение Rds(on) при оптимальном соотношении заряда затвора, что минимизирует коммутационные потери.
- Логический уровень (Logic Level): Полностью открывается при напряжении на затворе Vgs = 10 В, что позволяет легко управлять от стандартных ШИМ-контроллеров.
Основные технические характеристики (ТТХ)
При Tj = 25°C, если не указано иное.
| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — | | | Корпус | DirectFET® Large Can (7-выводной) | — | Код корпуса: PP | | Структура | Тренч (TrenchFET® Gen VII) | — | | | Полярность | Enhancement Mode | — | Нормально закрытый | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 | В | | | Ток стока (Id) при 25°C | 240 | А | Постоянный ток, при условии эффективного охлаждения | | Ток стока (Id) при 100°C | 170 | А | | | Импульсный ток стока (Idm) | 960 | А | | | Сопротивление "сток-исток" (Rds(on)) | 0,0013 (1.3 мОм) | Ом | Ключевой параметр. При Vgs = 10 В, Id = 120 А | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 | В | Максимальное, ±16 В рекомендуемое | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.35 - 2.35 | В | Тип. 1.85 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 250 | нКл | При Vgs = 10 В, влияет на скорость переключения | | Общий заряд (Qgd) | ~ 65 | нКл | Заряд обратной передачи Миллера | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 50 | нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 50 | нс | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 543 | Вт | При Tc = 25°C. На практике ограничено тепловым сопротивлением. | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.23 | °C/Вт | Очень низкое, благодаря корпусу DirectFET | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | — | Параметры: Ifsm = 960 A, Vsd ~ 0.9 В |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки и маркировки.
Прямые парт-номера Infineon:
- IRFS7530-7PPBF — Полный номер для заказа. "BF" на конце обычно указывает на упаковку в блистерную ленту (Tape & Reel).
- IRFS7530-7P — Базовый номер модели (без указания упаковки).
- Маркировка на корпусе: Обычно наносится код вида
FS7530или его сокращение.
Совместимые аналоги / Кросс-референс (Cross-Reference) от других производителей:
При поиске аналога важно учитывать корпус (DirectFET Large Can), напряжение Vds, ток Id и, самое главное, сопротивление Rds(on).
| Производитель | Модель | Корпус | Vds (В) | Id (А) | Rds(on) (мОм) | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SiR680DP | PowerPAK 8x8 | 30 | 200 | ~1.2 | Ближайший по параметрам, но другой корпус. | | ON Semiconductor | FDMS86255 | Power56 | 30 | 250 | ~0.9 | Лучшие параметры, корпус Power56 (5x6 мм). | | STMicroelectronics | STL320N3LLH6 | PowerFLAT 8x8 HV | 30 | 200 | ~1.2 | Аналогичный класс, другой корпус. | | Texas Instruments | CSD19537Q5A | SON 5x6 | 30 | 150 | ~1.7 | Менее мощный, но популярный аналог в корпусе SON. |
Важное замечание по аналогам: Прямого механического и электрического аналога в корпусе DirectFET от других крупных производителей может не существовать, так как DirectFET является запатентованной технологией Infineon. При замене необходимо полностью переразрабатывать посадочное место (footprint) на печатной плате и проверять тепловую модель. Указанные выше модели — это компоненты схожего класса и назначения, но в других типах корпусов.
Рекомендация: При замене всегда изучайте даташиты, особенно разделы, касающиеся рекомендаций по монтажу (Layout Guidelines) и тепловых характеристик, так как от этого напрямую зависит надежность и производительность конечного устройства.