Infineon IRFU024N

Infineon IRFU024N
Артикул: 564313

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IRFU024N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFU024N.

Описание и применение

Infineon IRFU024N — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он принадлежит к классическому и проверенному временем семейству International Rectifier (компания, вошедшая в состав Infineon).

Ключевые особенности:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 2.0 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов, обеспечивая высокий КПД.
  • Высокий коммутируемый ток: Рассчитан на постоянный ток стока Id = 195А при температуре корпуса 25°C, что делает его пригодным для очень мощных нагрузок.
  • Прочный и надежный: Высокая стойкость к лавинным пробоям, надежная работа в импульсных режимах.
  • Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, обладает низкими зарядами затвора, что позволяет эффективно работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц) в импульсных преобразователях.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Мостовые и полумостовые схемы преобразователей
  • Управление мощными двигателями (например, в промышленном оборудовании, электромобилях)
  • Системы бесперебойного питания (ИБП)
  • Низковольтные приводы и контроллеры
  • Солнечные инверторы

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | — | | Корпус | TO-247 (также известный как TO-218) | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Макс. напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 55 В | — | | Макс. постоянный ток стока (Id) | 195 А | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 2.0 мОм | Vgs=10 В, Id=100 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | — | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | — | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 210 нКл (тип.) | Vgs=10 В | | Мощность рассеяния (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C (требуется эффективный теплоотвод) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный (body) диод | — |

Важное примечание: При проектировании системы необходимо учитывать, что максимальный ток и мощность сильно зависят от условий теплоотвода. При высокой температуре корпуса допустимые параметры снижаются.


Парт-номера и прямые аналоги

Прямые аналоги (полностью или почти полностью совместимые по распиновке и характеристикам):

Эти транзисторы имеют идентичный корпус (TO-247/TO-218), близкие или такие же электрические параметры и могут быть использованы как прямая замена в большинстве схем.

  1. IRFU024N (оригинал от Infineon/International Rectifier)
  2. IRF3205Один из самых популярных и доступных аналогов. Имеет более высокое напряжение (55В) и чуть большее Rds(on) (8.0 мОм), но при токе до 100А часто взаимозаменяем в мощных низковольтных схемах.
  3. IRF1404 — Более современный аналог с улучшенными характеристиками (40В, 202А, 1.4 мОм).
  4. IRF1405 — Еще более мощный (55В, 169А, 5.3 мОм).
  5. IRF2907 (от STMicroelectronics) — Близкий аналог.
  6. FDP047N10 (от Fairchild/ON Semiconductor) — 100В, 120А, 4.7 мОм.
  7. STP140N4F6 (от STMicroelectronics) — 40В, 140А, 1.6 мОм (очень низкое Rds(on)).

Аналоги от других производителей в корпусе TO-247:

  • HUF76407D3 (от Renesas/Intersil)
  • IPT020N10N5 (от Infineon) — более современная технология OptiMOS.
  • AOT424 (от Alpha & Omega Semiconductor)

Совместимые модели (для замены в схемах - Требуется проверка!)

При поиске замены необходимо обращать внимание на три ключевых параметра:

  1. Напряжение Vds (должно быть не меньше, чем у оригинала).
  2. Ток Id (желательно не меньше).
  3. Сопротивление Rds(on) (желательно не больше).
  4. Корпус и распиновка (TO-247/TO-218 стандартизированы).

Условно совместимые / популярные для аналогичных задач модели (могут потребовать корректировки драйвера или схемы из-за отличий в заряде затвора Qg):

  • IRFP250N / IRFP260N — Более высокое напряжение (200В/250В), подходят для схем с большим напряжением питания, но имеют большее Rds(on).
  • IRFP4468PBF — Современный транзистор с исключительно низким Rds(on) (0.68 мОм) для сверхмощных низковольтных применений.
  • AUIRF3205 (от Infineon) — Автомобильная версия IRF3205 с улучшенной надежностью.
  • Модели в корпусе TO-264 (очень похож на TO-247, но чуть больше). Пример: IXFH150N10T.

Важное предупреждение

Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (техническими описаниями) обоих компонентов, особенно разделы:

  • Вольт-амперные характеристики
  • Зависимости Rds(on) от тока и температуры
  • Зависимости заряда затвора (Qg)
  • Распиновка (Pinout) — хотя для TO-247 она почти всегда стандартная (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).

IRFU024N остается отличным выбором для мощных, надежных и эффективных решений в силовой электронике, где требуется коммутация больших токов при низком напряжении.

Товары из этой же категории