Infineon IRFU220NPBF

Артикул: 564314

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IRFU220NPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFU220NPBF.

Краткое описание

IRFU220NPBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный в популярном корпусе TO-220AB. Он принадлежит к семейству HEXFET от Infineon (ранее International Rectifier), которое известно высокой эффективностью и надежностью.

Ключевые особенности:

Высокий ток и напряжение: Предназначен для коммутации значительных мощностей в цепях до 200В и 17А (импульсно до 68А).
Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 40 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери на нагрев и повышает общий КПД системы.
Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, транзистор имеет высокую скорость переключения, что делает его пригодным для импульсных схем (например, в ШИМ-контроллерах).
Повышенная надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям (Avalanche Rated), что повышает устойчивость к выбросам напряжения в индуктивных нагрузках.
Улучшенный диод: Встроенный обратный диод "body-diode" имеет улучшенные характеристики по времени восстановления, что важно для инверторных и мостовых схем.

Основные области применения:

Импульсные источники питания (SMPS)
DC-DC преобразователи
Управление двигателями (например, в приводных системах, вентиляторах)
Инверторы (12В -> 220В)
Усилители класса D
Силовые ключи в контроллерах и реле

Основные технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, MOSFET | — | | Корпус | — | TO-220AB (с отверстием для крепления на радиатор) | — | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 200 В | — | | Ток стока (непрерывный) | I_D @ 25°C | 17 А | Корпус = 25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 68 А | — | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 40 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 8.5 А | | | | 55 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 6.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | I_D = 250 мкА | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | 30 нКл | V_GS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_D | 50 Вт | На радиаторе при T_c = 25°C | | Диапазон рабочей температуры | T_J | от -55 до +175 °C | — |

Парт-номера и совместимые модели

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы и рабочих условий (особенно по заряду затвора Qg, емкостям и скорости переключения). При замене всегда рекомендуется сверяться с даташитами.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или более новые):

IRF220NPBF — Более старая версия с очень близкими параметрами. Часто считается полным аналогом.
IRFU220N — То же самое изделие, но без суффикса "PBF" (означающего "без свинца", RoHS-совместимый). В старых заказах может встречаться "IRFU220".
IRF3205PBF — Более популярный и часто используемый аналог. Имеет более низкое напряжение (55В), но более высокий ток (110А) и значительно меньшее Rds(on) (~8 мОм). Подходит для замены в низковольтных цепях (например, в системах на 12В/24В).
IRF740APBF — Напряжение 400В, ток 10А. Подходит для замены в схемах, где требуется более высокое напряжение, но меньший ток.

2. Аналоги от других производителей (функционально совместимые):

STMicroelectronics: STP16NF20, STW20NK50Z (более высокое напряжение, проверять распиновку).
Vishay Siliconix: SUP60N20-18 (очень близкие параметры).
Fairchild/ON Semiconductor: FQP17N20, FQA17N20 (в корпусе TO-3P).
International Rectifier (старые серии): Тот же самый компонент, так как Infineon поглотила IR.

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

При подборе замены ищите компоненты со следующими характеристиками:

Тип: N-канальный MOSFET
Корпус: TO-220AB (или TO-220)
V_DSS: ≥ 200 В (лучше с запасом 20-30%)
I_D: ≥ 17 А
R_DS(on): ≤ 40-50 мОм (при Vgs=10В)
Крепление: Изолированный или неизолированный фланец (важно для монтажа на радиатор).