Infineon IRFZ7855PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRFZ7855PBF.

Описание

Infineon IRFZ7855PBF — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для применений, где критически важны высокая эффективность и плотность мощности.

Ключевые особенности:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Гарантирует минимальные потери на проводимость и нагрев, что особенно важно в мощных преобразователях и системах управления двигателями.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и зарядам затвора, что позволяет работать на высоких частотах в импульсных источниках питания (SMPS).
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам: Технология OptiMOS™ 5 обеспечивает надежную работу в условиях индуктивных выбросов напряжения.
• Полностью совместим по выводам: Прямая замена для многих стандартных MOSFET в корпусе TO-220.
• Квалификация для автомобильной промышленности (AEC-Q101): Говорит о повышенной надежности, хотя конкретная маркировка этого парт-номера может потребовать уточнения в datasheet.

Основные области применения:

• Системы управления двигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленных приводах).
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS), особенно синхронное выпряление.
• DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие, мостовые схемы).
• Силовые инверторы и приводы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Корпус | TO-220 | С изолирующей площадкой (FullPAK) или без (стандартный) — зависит от суффикса. | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 55 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Максимальный непрерывный ток стока (I_D) | 195 А | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~1.4 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При V_GS=10 В. Очень низкое значение. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Типично ~2.8 В. | | Заряд затвора (Q_g) | ~110 нКл (тип.) | Низкий заряд для быстрого переключения. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 330 Вт | При условии идеального теплоотвода. | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | |

Примечание: Все значения взяты из официального даташита при типичных условиях. Для проектирования всегда используйте актуальный datasheet.

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпуса

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах. Основные варианты:

• IRFZ7855PBF — Стандартный корпус TO-220 (сквозное отверстие).
• IRFZ7855TRPBF — То же самое, но в формате для автоматизированного монтажа (на катушке/ленте Tape & Reel).
• IRFZ7855LPPBF — Корпус TO-220 FullPAK (пластиковый корпус полностью закрывает металлическую площадку, обеспечивая электрическую изоляцию без дополнительной прокладки).

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены важно сравнивать ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус и цоколевку.

Прямые аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

• Vishay / Siliconix: SQJ7855EP-T1_GE3 — очень близкий аналог в корпусе PowerPAK 8x8.
• ON Semiconductor / Fairchild: FDBL86062_F085 (хотя у него часто ниже Rds(on), требует проверки по напряжению и току).
• STMicroelectronics: STL320N4LF7AG (из серии STripFET F7, параметры сопоставимы).

Близкие по характеристикам и часто используемые в аналогичных схемах (проверять распиновку!):

• Infineon IRFZ7850PBF (50V, 195A, ~1.5 мОм) — если допускается немного меньшее напряжение.
• Infineon IRFZ7845PBF (45V, 195A, ~1.2 мОм) — еще более низкое Rds(on) при меньшем напряжении.
• Infineon IPP075N15N5 (150V, 75A) — для схем с более высоким напряжением, но меньшим током.
• От других брендов: NXP (ныне Nexperia) PSMN4R8-55BSE, Diodes Inc. DMTH4006LFG.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Даже у транзисторов с похожими номерами могут быть различия в динамических характеристиках, внутренней индуктивности, температуре хранения.
2. Проверяйте цоколевку (pinout). Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), бывают исключения.
3. Обратите внимание на корпус. FullPAK (изолированный) и стандартный TO-220 не взаимозаменяемы без учета изоляции.
4. Параметры драйвера. Разный заряд затвора (Qg) может потребовать корректировки схемы управления.

Рекомендация: Для получения самой актуальной информации и полных данных скачайте официальный Datasheet с сайта Infineon по запросу "IRFZ7855PBF datasheet".