Infineon IRG4BC20U

Артикул: 564332

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IRG4BC20U

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon IRG4BC20U.

Общее описание

IRG4BC20U — это N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высокоскоростной коммутации в среднемощных приложениях. Он сочетает в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и низкое сопротивление в открытом состоянии силового биполярного транзистора.

Ключевые особенности:

Скорость: Предназначен для высокочастотных схем (до 50 кГц и выше).
Напряжение: Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В) делает его подходящим для сетевых приложений (220/380В).
Корпус: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-220, что обеспечивает хороший отвод тепла через радиатор.
Встроенный диод: Имеет встроенный быстрый обратный диод (FRD), необходимый для индуктивных нагрузок (например, в мостовых схемах инверторов, ШИМ-управления двигателями).

Типичные области применения:

Силовые инверторы и частотные преобразователи
Источники сварочного тока
Импульсные источники питания (SMPS)
Системы управления электродвигателями (привода)
Системы бесперебойного питания (ИБП)

Основные технические характеристики (максимальные/типовые)

Электрические параметры (при Tj=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 | В | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C (при 100°C) | 9 | А | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 18 | А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) (при I_C=9A) | 2.2 | В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 3.0 - 6.0 | В | | Падение на встроенном диоде | V_EC (при I_E=9A) | 1.8 | В | | Время включения | t_on | 42 | нс | | Время выключения | t_off | 160 | нс | | Макс. рабочая частота переключения | f_sw | до 50 | кГц |

Тепловые и прочие параметры:

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Рассеиваемая мощность (на корпусе) | P_D (при T_C=25°C) | 42 | Вт | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 | °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 1.67 | °C/Вт | | Тепловое сопротивление переход-среда | R_thJA | 62.5 | °C/Вт |

Парт-номера и прямые аналоги

Прямые аналоги — это компоненты с идентичными или практически идентичными электрическими и тепловыми характеристиками, а также цоколевкой (TO-220).

1. Прямые аналоги от других производителей:

STMicroelectronics: STGP10NC60KD (очень близкий аналог, 600В, 14А, с диодом).
Fairchild/ON Semiconductor: HGTG20N60B3 (600В, 20А, но требует проверки по Vce(sat) и динамике).
IXYS: IXGH20N60B3 (аналогичная серия).
Fuji Electric: 2MBi150VN-060 (из серии, требует уточнения datasheet).

2. Совместимые/функционально близкие модели (в корпусе TO-220):

Эти модели могут иметь незначительные отличия в токах, напряжении насыщения или динамических характеристиках, но часто используются во взаимозаменяемом режиме в ремонте или при пересчете схем. Важно сверяться с даташитом перед заменой!

Infineon IRG4BC20U (базовая модель)
Infineon IRG4BC20UD (с добавленным внутренним демпфирующим диодом для снижения выбросов напряжения)
Infineon IRG4BC20W (аналогичные параметры, возможны вариации в упаковке/маркировке)
IRG4BC20S (от International Rectifier, до приобретения Infineon)
IRG4PC20U (аналог на 600В, но с более низким Vce(sat), часто взаимозаменяем)
IRG4BC20K (более старая версия, может отличаться временами переключения)
IRG4BC30U (аналог на 600В, 23А — более мощный, часто подходит для замены "с запасом")

Важные замечания при замене:

Напряжение V_CES: Должно быть не ниже 600В.
Ток I_C: Желательно брать равный или больший, особенно при ремонте. Обращать внимание на температуру, при которой указан ток.
Наличие диода: Критически важно для индуктивных нагрузок. Модели без диода (суффикс "F", например, IRG4BC20F) не являются полными аналогами.
Напряжение насыщения V_CE(sat): Более высокое значение может привести к повышенному тепловыделению.
Динамические характеристики (t_on/t_off): Существенны для высокочастотных схем. Замена на более медленный транзистор может привести к перегреву и выходу из строя.

Рекомендация: Всегда старайтесь найти оригинальный компонент или прямой аналог, сверяя ключевые параметры по техническим описаниям (datasheet). Для ремонта мощной техники часто используют IRG4PC20U или IRG4BC30U как более доступные и мощные аналоги.