Infineon IRG4PH50SPBF

Отличный выбор! IRG4PH50SPBF — это очень популярный и надежный IGBT-транзистор от Infineon, предназначенный для мощных силовых приложений.

Описание

IRG4PH50SPBF — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокоомное управление по напряжению) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии при больших токах).

Ключевые особенности и области применения:

• Высокая мощность: Предназначен для работы в инверторах, преобразователях, импульсных источниках питания.
• Высокое напряжение: Класс напряжения 1200В делает его идеальным для сетевых приложений (220/380В).
• Быстрое переключение: Благодаря технологии "Non-Punch Through" (NPT) обладает мягким восстановлением обратного диода и хорошей стойкостью к перенапряжениям.
• Типичные применения:
  • Сварочные инверторы
  • Частотные преобразователи (ЧП, ПЧ)
  • Индукционные нагреватели
  • Системы управления электродвигателями
  • Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | Максимальное повторяющееся напряжение | | Непрерывный ток коллектора | I_C @ 25°C | 45 А | При температуре корпуса 25°C | | Непрерывный ток коллектора | I_C @ 100°C | 23 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора импульсный | I_CM | 180 А | Максимальный кратковременный ток | | Падение напряжения в открытом состоянии | V_CE(sat) | 2.6 В (тип.) | При I_C = 45А, V_GE = 15В | | Напряжение насыщения | V_GE(th) | 3.0 - 6.0 В | Пороговое напряжение затвора | | Энергия включения | E_on | 4.0 мДж (тип.) | Характеризует динамические потери | | Энергия выключения | E_off | 2.0 мДж (тип.) | Характеризует динамические потери | | Диод обратного восстановления | Встроенный | Быстрый | Anti-parallel diode (FWD) | | Максимальная температура перехода | T_j | +150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.65 °C/Вт | | | Корпус | - | TO-247 (изолированный) | Пластиковый, с монтажным отверстием |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или новее):

• IRG4PH50S (тот же чип, но может быть в не-изолированном или другом исполнении корпуса)
• IRG4PH50U (более новая версия, часто с улучшенными параметрами, например, IRG4PH50UD)
• IRG4PH50K (другая версия, может отличаться пороговым напряжением или динамикой)
• IKW40N120T2 — более современный IGBT серии TRENCHSTOP™ 1200V с лучшими характеристиками (ниже V_CE(sat) и потери). Часто используется как рекомендуемая замена.

2. Совместимые модели и аналоги от других производителей:

При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: V_CES=1200В, I_C ~45А, корпус TO-247.

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • HGTG45N120B3D
  • FGA45N120ANTD
• STMicroelectronics:
  • STGW45H120DF (серия H-серии, часто совместима)
  • STGP45H120D
• IXYS:
  • IXGH45N120B3
• Fuji Electric:
  • 2MBI200U4A-120 (модуль, но для схожих применений)

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть основных параметров, всегда необходимо сверяться с datasheet конкретного аналога. Особое внимание уделяйте:

• Характеристикам встроенного обратного диода.
• Емкостям затвора и рекомендуемым драйверам.
• Зависимостям параметров от температуры.
• Распиновке (pinout) корпуса.

3. Российские/советские аналоги:

Прямых отечественных аналогов IGBT-транзисторов в таком же корпусе и с такими параметрами не существует. В старом оборудовании на их месте могли использоваться сборки на биполярных транзисторах (типа КТ-898, КТ-827 и т.п.) или силовых MOSFET, но это принципиально разные компоненты с другими схемами управления. Замена возможна только при полном перерасчете схемы.

Рекомендация: Для ремонта оборудования лучше искать оригинальный IRG4PH50SPBF или его прямые аналоги от Infineon (IRG4PH50U, IKW40N120T2), так как это гарантирует корректную работу схемы, особенно в требовательных применениях типа сварочных аппаратов.