Infineon IRGB20B60PD1PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon IRGB20B60PD1PBF.

Описание

IRGB20B60PD1PBF — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-220, разработанный компанией Infineon Technologies. Он сочетает в себе преимущества мощного биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии) и MOSFET (высокоомное управление по напряжению).

Ключевая особенность этой конкретной модели — встроенный ультрабыстрый обратный диод (обозначение "D" в названии). Это делает его идеальным решением для инверторных схем, где требуется эффективная коммутация индуктивных нагрузок, например, в:

• Частотных преобразователях (инверторах)
• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Системах управления двигателями
• Сварочном оборудовании
• Системах бесперебойного питания (ИБП)

Устройство оптимизировано для работы на частотах до 20-40 кГц, обеспечивая хороший баланс между эффективностью и скоростью переключения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый IGBT. | | Непрерывный ток коллектора (I_C @ 25°C) | 20 А | При температуре корпуса 25°C. | | Ток коллектора (I_C @ 100°C) | 11 А | При температуре корпуса 100°C (более реальный рабочий параметр). | | Пиковый ток коллектора (I_CM) | 40 А | Кратковременная перегрузка. | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.65 В (тип.) | Напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии. При I_C=10А, V_GE=15В. | | Напряжение насыщения диода (V_FS) | 1.8 В (тип.) | Прямое падение на встроенном обратном диоде. При I_F=10А. | | Энергия включения (E_on) | 0.48 мДж (тип.) | Характеризует динамические потери при включении. | | Энергия выключения (E_off) | 0.22 мДж (тип.) | Характеризует динамические потери при выключении. | | Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В (макс.) | Рекомендуемое рабочее напряжение: +15В для открытия, 0/-5...-15В для надежного закрытия. | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 1.67 °C/Вт | Сопротивление переход-корпус. Критично для расчета теплоотвода. | | Рабочая температура перехода (T_j) | -55 ... +150 °C | Максимальная температура кристалла. | | Корпус | TO-220 | Сквозной монтаж, требует изолирующей прокладки и теплоотвода. |

Прямые парт-номера и аналоги

Это модели, которые являются полными или почти полными аналогами с идентичным или очень похожим набором характеристик и корпусом.

От Infineon:

• IRGB20B60PD1 (основная часть номера без суффикса "PBF", где PBF означает "Lead-Free" — не содержит свинца).
• IRG4BC20UD (более старая модель в том же корпусе TO-220, с близкими параметрами).

От других производителей (прямые аналоги):

• STMicroelectronics: STGW20NC60VD, STG20NB60S (требуется проверка наличия диода).
• Fairchild/ON Semiconductor: FGA20N60FTD, FGP20N60UFD.
• International Rectifier (в составе Infineon): Аналоги серии IRGB... часто являются предшественниками.
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-060 (в модуле, но один чип).

Важно: При замене всегда сверяться с даташитом, особенно по динамическим параметрам (E_on/E_off), порогу открывания затвора и внутренней компоновке.

Совместимые модели для замены (с учетом параметров)

При поиске замены необходимо обращать внимание на ключевые параметры: V_CES ≥ 600В, I_C ≥ 20А, наличие встроенного диода и корпус TO-220.

Совместимые модели Infineon (из той же линейки):

• IRGB**B60PD1PBF — серия, где ** может быть 14 (14A), 20 (20A), 30 (30A) и т.д. Модель с большим током (например, IRGB30B60PD1) подойдет, но может быть дороже и иметь чуть большую входную емкость.
• IRGP**B60PD1PBF — аналогичная серия, но в корпусе TO-247 (рассчитана на большие токи и лучший теплоотвод). Например, IRGP30B60PD1. При замене на TO-247 необходимо проверить разводку платы и крепление радиатора.

Общие рекомендации по поиску аналога:

1. Ключевые параметры для фильтрации:
   • Напряжение: 600В.
   • Ток: 15А - 30А (20А - оптимально).
   • Наличие диода: Co-Pack Diode, Ultra Fast Diode, With Diode.
   • Корпус: TO-220.
   • Тип: N-channel IGBT.
2. Проверка отличий:
   • Динамические характеристики (E_on, E_off): влияют на нагрев при переключениях на высокой частоте.
   • Напряжение насыщения V_CE(sat): влияет на нагрев в открытом состоянии.
   • Пороговое напряжение затвора V_GE(th): должно быть совместимо с вашей драйверной схемой.

Вывод: IRGB20B60PD1PBF — это надежный и популярный IGBT-транзистор среднего уровня мощности. При замене наиболее безопасным вариантом являются прямые аналоги от Infineon (серии IRGBxxB60PD1) или проверенные аналоги от STMicroelectronics и ON Semiconductor с идентичными ключевыми параметрами. Всегда изучайте даташит перед установкой аналога.