Infineon IRGB4607DPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового IGBT-транзистора Infineon IRGB4607DPBF.

Описание

IRGB4607DPBF — это изолированный силовой биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в популярном корпусе TO-220AB. Этот компонент сочетает в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и способность работать с высокими токами и напряжениями в режиме насыщения (как у биполярного транзистора).

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Предназначен для коммутации индуктивных нагрузок в цепях среднего и высокого напряжения.
• Основные области применения:
  • Инверторы и частотные преобразователи для управления двигателями (промышленные приводы, бытовая техника).
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно в силовой части.
  • Системы индукционного нагрева.
  • Устройства плавного пуска электродвигателей.
• Преимущества: Наличие быстрого встроенного обратного диода (FRD) в одном корпусе упрощает схемотехнику и защищает транзистор от выбросов обратного напряжения, особенно при работе с обмотками двигателей и индуктивностями. Изолированный монтажный фланец (теплоотвод) упрощает установку на радиатор.

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток коллектора | I_C @ 100°C | 7.5 | А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 30 | А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.65 (тип.) | В | При I_C=7.5A, V_GE=15V | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 3.0 - 5.5 | В | Типовой порог включения | | Рекомендуемое напряжение затвора | V_GE | ±20 (max), ±15 (рек.) | В | Рабочее: +15В/-15В или 0В для выключения | | Общий заряд затвора | Q_g | 24 (тип.) | нКл | Влияет на требования к драйверу | | Время включения / выключения | t_on / t_off | 27 / 110 (тип.) | нс | При указанных тестовых условиях | | Параметры встроенного обратного диода | | | | | | - Непрерывный прямой ток | I_F | 7.5 | А | | | - Прямое напряжение диода | V_F | 1.5 (тип.) | В | При I_F=7.5A | | Максимальная температура перехода | T_j | 175 | °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 1.67 | °C/Вт | Ключевой параметр для расчета радиатора | | Корпус | - | TO-220AB | - | Изолированный фланец |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Указывается один и тот же компонент от разных производителей или в разных упаковках.

• Основной номер производителя: IRGB4607DPBF
  • IRGB4607DPBF – полное коммерческое обозначение Infineon.
  • IRGB4607DPBF-ND – популярный номер для заказа на платформах вроде Digi-Key.
• Альтернативные написания (часто в каталогах):
  • IRGB4607DPB
  • IRGB4607DP
  • IRGB 4607 DPBF

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

Прямых 100% аналогов по всем параметрам может не быть, но следующие модели являются очень близкими по характеристикам и часто взаимозаменяемыми в схемах при корректной проверке даташитов. Важно всегда сверяться со схемой!

От Infineon (прямые аналоги или улучшенные версии):

• IRGB4607D – тот же чип, возможна небольшая разница в упаковке/маркировке.
• IRGP4607DPBF – аналог в корпусе TO-247AC (более мощный, лучшее тепловыделение).
• IRG4BC30UD / IRG4BC30W – IGBT на 600В / 23А в корпусе TO-220, но с другими динамическими характеристиками.
• IKW40N60T – более современный IGBT 600В / 40А в TO-247, но может использоваться в схемах с запасом по току.

От других производителей (ближайшие аналоги):

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • HGTG7N60C3D (600В, 14А, TO-220) – очень близкий аналог.
  • FGP7N60 (600В, 7А, TO-220).
• STMicroelectronics:
  • STGP7NC60HD (600В, 7А, TO-220, с быстрым диодом).
  • STGD7NC60HD (аналогичный, возможно, с улучшенной динамикой).
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH7N60C3D1 (600В, 14А, TO-220).

Важные замечания по замене и применению:

1. Обязательная проверка даташита: Перед заменой всегда сверяйте распиновку (pinout), напряжение V_CES, ток I_C, параметры насыщения V_CE(sat) и заряд затвора Q_g.
2. Драйвер затвора: Для эффективного и безопасного управления необходим правильно рассчитанный драйвер, способный быстро заряжать/разряжать затвор (обычно с током 0.5-1А).
3. Охлаждение: Из-за значительного тепловыделения при рабочих токах обязательно использование радиатора. Тепловое сопротивление R_thJC критически важно для расчета.
4. Защита: В схемах с индуктивной нагрузкой необходима защита от перенапряжения (снабберные цепи) и превышения тока.

Данный транзистор является классическим и проверенным решением для множества силовых приложений среднего уровня мощности.