Infineon IRGP6630DPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для IGBT-транзистора Infineon IRGP6630DPBF.

Описание

Infineon IRGP6630DPBF — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) третьего поколения (NPT, Trench) в корпусе TO-247. Он предназначен для применения в мощных импульсных схемах, где требуются высокое напряжение, большой ток и низкое напряжение насыщения.

Ключевые особенности и области применения:

• Высокая эффективность: Благодаря технологии NPT (Non-Punch Through) и Trench-затвору обеспечивает низкие потери проводимости (Vce(sat)) и коммутации.
• Высокое напряжение: Коллектор-эмиттер напряжение 600В делает его подходящим для сетевых применений 380В.
• Большой ток: Непрерывный ток коллектора 32А (при 100°C) позволяет работать с высокой мощностью.
• Встроенный быстрый диод: В одном корпусе интегрирован ультрабыстрый антипараллельный диод (FWD), что упрощает проектирование мостовых схем (например, инверторов).
• Прочный и надежный: Корпус TO-247 обеспечивает хороший отвод тепла.
• Типичные применения:
  • Инверторы и частотные преобразователи для управления электродвигателями.
  • Источники сварочного тока.
  • Импульсные источники питания (особенно в силовой части).
  • Системы ИБП (UPS).

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток коллектора | I_C @ 100°C | 32 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора импульсный | I_CM | 128 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.15 В (тип.) | I_C = 32А, V_GE = 15В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 4.0 - 6.0 В | I_C = 25мА, V_CE = 5В | | Рекомендуемое напряжение затвора | V_GE | ±20 В (макс.) / ±15 В (реком.) | Для управления | | Полный заряд затвора | Q_g | 110 нКл (тип.) | V_GE = 15В, I_C = 32А | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 35 нс / 320 нс (тип.) | | | Параметры встроенного диода: | | | | | Непрерывный прямой ток | I_F | 32 А | | | Импульсный прямой ток | I_FSM | 128 А | | | Прямое напряжение диода | V_F | 2.0 В (тип.) | I_F = 32А | | Максимальная температура перехода | T_j | +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.65 °C/Вт | | | Корпус | - | TO-247 (изолированный или нет, уточняйте в даташите) | |

Парт-номера и аналоги

Обратите внимание: прямая замена возможна только после проверки даташитов, особенно по динамическим характеристикам и температуре пайки.

1. Прямые аналоги от Infineon (включая снятые с производства)

• IRGP6630D-EPBF – Улучшенная версия (Enhanced Performance) с немного лучшими параметрами.
• IRGP6630D-EPBF часто указывается как основная замена.
• IRGPC50UD2 – Более старая модель, но с близкими параметрами (50А, 600В).
• В текущем портфолио Infineon эта модель может быть заменена на более современные серии (см. ниже).

2. Совместимые модели / аналоги от других производителей

Важно: При замене проверяйте распиновку (pin-to-pin), характеристики и рекомендации по драйверу затвора.

| Производитель | Парт-номер | Примечание (чем похож/отличается) | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STGP32H60DF | Очень близкий аналог: 32А, 600В, Vce(sat)=2.1В, TO-247, с диодом. | | Fuji Electric | 2MBI200U2A-060 | Модуль на 200А, но для замены в схемах можно искать дискретные аналоги Fuji серии 2DI... (требуется проверка). | | ON Semiconductor | NGTB40N60FL2WG | 40А, 600В, TO-247, с диодом. Более новый, с хорошими характеристиками. | | IXYS (Littelfuse) | IXGH40N60CD1 | 40А, 600В, TO-247, с диодом. Надежный и распространенный аналог. | | Toshiba | GT60Q323 | 60А, 600В, но в корпусе TO-3PF. Внимание! Другая распиновка и корпус. |

3. Современные альтернативы (более новые серии)

Для новых разработок рекомендуется рассматривать новейшие серии, которые имеют лучшие показатели потерь и надежности:

• Infineon: Серии IGBT7 или IKW (например, IKW40N65ET7). Это уже следующее поколение технологий.
• STMicroelectronics: Серия H или HB (например, STGWA40H60DF).
• ON Semiconductor: Серия F или FL (например, NGTB40N60FL2WG).

Рекомендации по замене:

1. Всегда сверяйте даташиты. Особенно критичны: V_CES, I_C при нужной температуре, V_CE(sat), Q_g, параметры встроенного диода и распиновка.
2. Учитывайте драйвер. Разный заряд затвора (Q_g) может потребовать корректировки драйвера управления.
3. Проверьте корпус. Большинство аналогов — в TO-247, но бывают вариации (TO-3PF, TO-264).
4. Для ремонта существующего оборудования STGP32H60DF от STMicroelectronics часто является наиболее прямой и доступной заменой для IRGP6630DPBF.