Infineon IRGR4607DPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного полевого транзистора Infineon IRGR4607DPBF.

Описание

Infineon IRGR4607DPBF — это N-канальный MOSFET, выполненный в популярном корпусе D-Pak (TO-252). Он является частью линейки HEXFET® от Infineon (ранее International Rectifier).

• Основное назначение: Предназначен для эффективного ключевого режима работы в силовых электронных устройствах. Идеально подходит для применения в качестве низковольтного силового ключа.
• Ключевые особенности:
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 25 мОм при 10 В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев при больших токах.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря технологии HEXFET и малой входной емкости, что важно для повышения КПД в импульсных схемах.
  • Высокая энергоэффективность.
  • Повышенная надежность и стойкость к лавинным нагрузкам.
• Типичные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно в первичной стороне (низковольтные ключи в мостовых схемах, прямоходовых преобразователях).
  • Цепи управления двигателями (например, в бытовой технике, вентиляторах).
  • DC-DC преобразователи.
  • Цепи защиты от обратной полярности (eFuse).
  • Инверторы и драйверы светодиодов.

Основные технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Корпус | — | D-Pak (TO-252) | Плоский корпус для поверхностного монтажа (SMD) с теплоотводящей площадкой. | | Сток-Исток напряжение | V_DSS | 600 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком. | | Постоянный ток стока | I_D | 7.5 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока | I_DM | 30 А | | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | max. 0.25 Ом | Ключевой параметр. При V_GS=10 В, I_D=3.8 А. | | | | max. 0.19 Ом | При V_GS=10 В, I_D=7.5 А, T_j=25°C. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 – 4.0 В | | | Максимальное напряжение затвор-исток | V_GS | ±30 В | | | Общий заряд затвора | Q_g | 28 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу. | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 14 нс / 60 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления | — | Встроенный (Body Diode) | Параметры: I_SD=7.5 А, V_R=600 В, t_rr=120 нс (тип.). | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_θJC | 1.67 °C/Вт | |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Прямые аналоги и аналогичные корпуса от Infineon:

• IRGR4607DPBF — основной номер, по которому осуществляется поиск и заказ.
• IRGR4607D-EPBF — вариант с расширенным температурным диапазоном для военных или аэрокосмических применений (контролируемая поставка).

Совместимые / Аналогичные модели от других производителей (Кросc-референсы):

Важно: При замене всегда необходимо сверять все критические параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, корпус) в конкретной схеме.

Наиболее близкие аналоги по характеристикам и корпусу:

1. STMicroelectronics:

   • STP6NK60ZFP (600V, 5.2A, 0.65 Ом) — параметры слабее.
   • STP8NK60ZFP (600V, 7.2A, 0.65 Ом) — параметры слабее.
   • Более современный и близкий аналог: STF7N60M2 (600V, 6.7A, 0.45 Ом) — в корпусе TO-220FP, требует проверки монтажа.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP7N60 (600V, 7A, 0.55 Ом) — в корпусе TO-220, требует переходника или изменения платы.
   • NCE60TF60 (от NCE Power) — часто используется как аналог.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUP7N60-18 (600V, 7A, 0.6 Ом) — в корпусе TO-263 (D2Pak), механически совместим с D-Pak, но крупнее.

4. Other:

   • IPP60R190P6XKSA1 — Это уже более современный транзистор от Infineon в корпусе TO-220, но с лучшими характеристиками (низкое Rds(on)). Не является прямым аналогом по корпусу, но может рассматриваться при модернизации.

Рекомендация по замене:

• Для прямой замены в существующей PCB-плате лучше всего искать MOSFET в корпусе D-Pak (TO-252) с аналогичным или более низким значением Rds(on) и равным или большим V_DSS и I_D.
• IRGR4607DPBF является очень распространенным и удачным компонентом. Наиболее безопасный путь — использовать оригинальную деталь или ее прямую замену от Infineon в том же корпусе из актуальных линеек (например, серии CoolMOS™ или StrongIRFET™ для более высоких требований).