Infineon IRL1004SPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRL1004SPBF.

Описание

Infineon IRL1004SPBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET, предназначенный для коммутации больших токов при низком напряжении управления. Ключевой особенностью этого компонента является его способность полностью открываться при напряжении на затворе (Vgs) всего 4.5 В (и даже ниже, что типично для логических уровней), что позволяет управлять им напрямую с выходов микроконтроллеров, логических схем (TTL, CMOS) без использования дополнительных драйверов.

Он поставляется в популярном корпусе TO-252 (DPAK), который обеспечивает хороший баланс между компактностью и эффективным отводом тепла через контакт стока (Drain), припаиваемый к площадке на печатной плате (PCB).

Основные области применения:

• Силовые ключи в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в низковольтных цепях.
• Управление двигателями постоянного тока (в робототехнике, автомобильной электронике, вентиляторах).
• Цепи управления высокой мощностью (например, в инверторах, контроллерах освещения).
• Электромагнитные реле и соленоиды.
• Системы управления аккумуляторными батареями (BMS) — защита от переразряда.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Плоский, для поверхностного монтажа | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый | | Сток-Исток (Drain-Source) напряжение (Vds) | 40 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сток (Drain) ток (Id) при 25°C | 130 А | Постоянный ток (при идеальном охлаждении) | | Сток (Drain) импульсный ток (Idm) | 520 А | Кратковременный импульсный ток | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 4.5 мОм (при Vgs=10 В)
6.0 мОм (при Vgs=4.5 В) | Ключевой параметр! Чем меньше, тем выше КПД и меньше нагрев. | | Напряжение отсечки (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Порог открытия. Уже открывается при ~2В. | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла |

Важные особенности:

• Быстрое переключение: Встроенный стабилитрон для защиты затвора от статического электрительства (ESD).
• Прямое управление от логики: Полное открытие при Vgs = 4.5 В (Logic Level Gate Drive).
• Низкое Rds(on): Очень малое сопротивление в открытом состоянии, что минимизирует потери мощности и нагрев.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые / Аналогичные модели

При поиске аналога или замены важно обращать внимание на ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Vgs(th) и корпус.

Прямые аналоги и аналогичные модели от других производителей:

• International Rectifier (IR, теперь часть Infineon): IRL1004SPBF (оригинальный номер, сейчас под брендом Infineon).
• Vishay (Siliconix): SQJ410EP (очень близкий аналог по параметрам, также в DPAK).
• ON Semiconductor / Fairchild: FDBL86062 или NDT3055L (могут иметь отличия, требуется проверка даташита).
• STMicroelectronics: STP55NF06L (очень популярный и широко доступный аналог, 60V, 55A, Rds(on) ~7 мОм при 10V).
• Nexperia: PSMN4R5-40YS (современный аналог с отличными характеристиками).

Ключевые парт-номера для поиска:

• IRL1004SPBF (основной, Infineon)
• IRL1004S (сокращенное название)
• IRL1004 (базовая часть номера)

Совместимые по выводам и применению (но с проверкой параметров!):

Многие MOSFET в корпусе TO-252 (DPAK) с похожим расположением выводов (G-D-S) могут быть механически совместимы, но обязательно требуется сверка с даташитом по электрическим характеристикам. Например:

• IRLZ44NS (более высокое напряжение, меньший ток)
• IRL3803S (похожие параметры)
• Аналоги из серий 40V-60V с током от 50А и Rds(on) менее 10 мОм.

Важное предупреждение: Перед заменой всегда сверяйтесь с технической документацией (даташитом) конкретного компонента, особенно в критичных по току и тепловому режиму схемах. Указанные аналоги могут иметь отличия в динамических характеристиках (емкостях, времени переключения), что может повлиять на работу в высокочастотных схемах.