Infineon Irl3713pbf

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного MOSFET Infineon IRL3713PBF.

Общее описание

IRL3713PBF — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon (ранее International Rectifier). Ключевая особенность этого транзистора — очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), что делает его исключительно эффективным для приложений, где критичны потери мощности и нагрев. Он предназначен для коммутации высоких токов при относительно низком напряжении управления, так как является логическим уровнем (Logic Level).

Основное назначение: Управление мощной нагрузкой постоянного тока, например, в импульсных источниках питания (DC-DC преобразователи), контроллерах двигателей (H-мосты), соленоидах, системах силовой электроники.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия тестирования / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Logic Level) | Управление от 5В/10В | | Структура | HEXFET, технология Trench | | | Корпус | TO-220AB (сквозной монтаж) | Классический корпус с металлической площадкой для крепления радиатора. | | Макс. напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 В | Рабочее напряжение. | | Макс. непрерывный ток стока (Id) | 62 А | При Tc=25°C (температура корпуса). Важно: В реальных условиях ток значительно ниже из-за нагрева. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 8.5 мОм (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 31 А. Главное преимущество модели. | | | 11 мОм (макс.) | Vgs = 5 В, Id = 21 А. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Тип. 1.5 В. Позволяет уверенно открываться от логики 3.3В/5В. | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | Защита от статики слабая, требуется осторожность. | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 48 нКл | При Vgs = 10 В. Важно для расчета драйвера. | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт | При Tc=25°C (на радиаторе). Без радиатора — единицы ватт. | | Диод сток-исток (Body Diode) | Есть | Прямой ток (Is) = 62 А, время восстановления (trr) ~ 80 нс. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

Электрические характеристики идентичны или очень близки, разница в корпусе и монтаже.

• IRL3713PBF — базовая модель в корпусе TO-220AB.
• IRL3713L — в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD). Более удобен для промышленной сборки.
• IRL3713 — версия в корпусе TO-262 (аналог TO-220, но с другим расположением выводов).

2. Прямые совместимые аналоги от других производителей (Drop-in Replacement):

Полные или почти полные функциональные замены в том же корпусе TO-220. Всегда проверяйте распиновку (pin-to-pin).

• STMicroelectronics: STP55NF03L (55А, 30В, Rds(on)=9.5 мОм) — один из самых популярных аналогов.
• Vishay/Siliconix: SUD50N03-08 (50А, 30В, Rds(on)=8.0 мОм).
• Fairchild/ON Semiconductor: FDP7030L (60А, 30В, Rds(on)=7.5 мОм).
• NXP: Не имеют прямой замены с такими низкими Rds(on) на 30В в TO-220.

3. Близкие по характеристикам аналоги (сравнивайте даташиты!):

Можно использовать в тех же схемах, но с проверкой по ключевым параметрам: Vds, Id, Rds(on) при вашем Vgs, корпус.

• IRL3803PBF / IRL3803S (Infineon): Более старая модель, 30В, 140А, Rds(on)=6.0 мОм. Часто используется как более мощная замена.
• IRL3103PBF / IRL3103S (Infineon): 30В, 64А, Rds(on)=9.5 мОм. Очень близкий аналог.
• IRL2505PBF (Infineon): 55В, 74А, Rds(on)=8.5 мОм. Если нужно чуть выше напряжение.
• IRLB3034PBF (Infineon): 40В, 195А, Rds(on)=1.7 мОм (очень низкое!). Более современная и мощная модель, но может быть дороже.
• AON7410 / AON7410A (Alpha & Omega Semiconductor): 30В, 60А, Rds(on)=6.0 мОм в корпусе SO-8. Для компактных плат.

Важные примечания по применению:

1. Радиатор обязателен! При токах более 5-10 А транзистор в TO-220 без радиатора перегреется и выйдет из строя за секунды.
2. Управление затвором. Несмотря на логический уровень, для быстрого переключения (особенно в ШИМ) настоятельно рекомендуется использовать MOSFET-драйвер. Это снизит потери на переключение и нагрев.
3. Защита от выбросов напряжения. На индуктивной нагрузке (моторы, соленоиды) обязательно нужна защита схемами снаббера или TVS-диодами.
4. Статическое электричество. Устройство чувствительно к ESD, необходимы меры предосторожности при пайке и монтаже.

Вывод: IRL3713PBF — это проверенный временем, очень надежный и эффективный MOSFET для задач силовой коммутации на токах до 30-40А (с хорошим охлаждением). Благодаря низкому Rds(on) и логическому уровню управления он остается популярным выбором для радиолюбителей и инженеров. При замене аналогом всегда сверяйтесь с официальным даташитом (datasheet).