Infineon IRLB3034PBF

Отличный выбор! IRLB3034PBF — это очень популярный и мощный N-канальный MOSFET от Infineon, известный своей высокой эффективностью и надежностью.

Полное описание IRLB3034PBF

IRLB3034PBF — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Ключевая особенность этого транзистора — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов. Он предназначен для использования в качестве низковольтного ключа в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями (особенно в электромобилях и силовых приводах), инверторах и цепях управления мощной нагрузкой.

Основные преимущества:

• Сверхнизкое Rds(on): Позволяет работать с очень большими токами при минимальном падении напряжения и нагреве.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям затвора.
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Технология HEXFET® обеспечивает высокую устойчивость к лавинным процессам (Avalanche Rated).
• Полная логическая совместимость: Прямое управление от микроконтроллеров (5В на затворе) благодаря низкому пороговому напряжению (Vgs(th)).
• Планарная структура: Обеспечивает лучшую стабильность параметров и устойчивость к паразитным включениям.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-220AB (Through-Hole) | Классический корпус для монтажа на радиатор. | | Макс. напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 55 В | Рабочее напряжение. | | Макс. непрерывный ток стока (Id) при 25°C | 195 А | При идеальных условиях охлаждения. | | Макс. импульсный ток стока (Idm) | 390 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.7 мОм (тип.) при Vgs=10В | Главное преимущество! Минимальные потери. | | | 2.0 мОм (макс.) при Vgs=10В | | | | 1.4 мОм (тип.) при Vgs=20В | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 – 2.0 В (тип. 1.35В) | Позволяет управлять от логики 5В. | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | Не превышать! | | Заряд затвора (Qg) | ~ 120 нКл (тип.) | Параметр для расчета драйвера затвора. | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике сильно зависит от радиатора. | | Диод "Сток-Исток" | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки, маркировки и поставщика. IRLB3034PBF — это полный номер для розничной/оптовой покупки, где PBF означает "без свинца" (RoHS-совместимый).

• Основной номер: IRLB3034PBF (TO-220, Lead-Free)
• Альтернативные написания/маркировки: IRLB3034, IRLB3034PBF-ND (номер на платформе Digi-Key).

Совместимые модели / Прямые аналоги

При выборе аналога важно смотреть на Vds, Id, Rds(on), корпус и заряд затвора (Qg).

Прямые или очень близкие аналоги (можно использовать как замену):

• IRFB4110PBF: Более высокое напряжение (100В), но чуть выше Rds(on) (3.7 мОм). Хорошая замена, если нужно больше запас по напряжению.
• IRFB3206PBF / IRFB3206ZPBF: Очень похожие параметры (55В, 210А, 1.6 мОм). Практически полный аналог.
• IRL40B209 / IRLB4132: От того же семейства Infineon, с близкими характеристиками.
• STP300N4F4 / STP310N4F4: От STMicroelectronics. Мощные аналоги в том же классе.
• NTP300N055T1 / NTMFS5C670N: От ON Semiconductor и других производителей.
• AOT670: От Alpha & Omega Semiconductors. Более современный аналог с отличными параметрами.

Аналоги в других корпусах (для другого монтажа):

• IRLB3034PBF-1 (или просто поиск по "IRLB3034" в SMD-корпусах): Тот же кристалл, но в корпусах для поверхностного монтажа, например:
  • TO-263 (D²Pak) - аналог для SMD-монтажа с возможностью установки на радиатор.
  • TO-262 - еще один вариант для монтажа в отверстия.

Важное замечание по аналогам:

Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом (Datasheet) конкретного аналога, особенно обращайте внимание на:

1. Распиновку (Pinout) корпуса — она может отличаться!
2. Емкость затвора и заряд (Ciss, Qg) — это критично для драйвера управления.
3. Характеристики встроенного диода — если важна работа в индуктивных цепях.

Вывод: IRLB3034PBF — это эталонный мощный и надежный MOSFET для низковольтных (до 55В) высокотоковых применений. Его популярность обусловлена выдающимся соотношением цены, низкого сопротивления и управляемости от логических уровней. При замене на аналог тщательно проверяйте даташит.