Infineon IRLB4030PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRLB4030PBF.

Описание

IRLB4030PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор в корпусе TO-220AB, использующий передовую технологию HEXFET. Он разработан для приложений, требующих высокой эффективности, быстрого переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая мощность и ток: Предназначен для управления большими нагрузками.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Минимальные потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Быстрое переключение: Подходит для импульсных схем (ШИМ).
• Основные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Мостовые схемы (H-мосты) для управления двигателями постоянного тока
  • Контроллеры двигателей (например, в электромобилях, силовом инструменте)
  • DC-DC преобразователи
  • Силовые ключи и реле постоянного тока

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220AB | Пластиковый, с монтажным отверстием | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 55 В | Максимальное допустимое | | Непрерывный ток стока (Id) | 195 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 780 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.7 мОм | Тип., при Vgs=10 В, Id=120 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В (макс.) | Рабочее: ±16 В рек. | | Общий заряд затвора (Qg) | 150 нКл (тип.) | При Vgs=10 В | | Время включения (td(on) + tr) | 44 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 130 нс (тип.) | | | Диод сток-исток (встроенный) | Есть | Параметры: If=195 А, Vsd=1.3 В (тип.) | | Температура перехода (Tj) | -55 … +175 °C | Максимальная +175°C |

Важное примечание: Работа на максимальных токах возможна только при обеспечении идеального теплоотвода (радиатор) и температуре корпуса 25°C. В реальных условиях необходимо рассчитывать тепловой режим.

Парт-номера и аналоги

1. Прямые аналоги (Drop-in Replacement)

Эти модели имеют идентичную цоколевку (TO-220AB) и максимально близкие характеристики, что позволяет использовать их как прямую замену без изменений в схеме:

• International Rectifier (ныне Infineon): IRLB4030PBF (оригинал, тот же самый транзистор).
• Infineon: IRLB4030PBF — это текущий активный номер детали от Infineon.
• Vishay (Siliconix): SUD50N06-18 (60V, 50A, 18 мОм) — обратите внимание, по току и сопротивлению слабее, но часто используется в аналогичных цепях.
• STMicroelectronics: STP55NF06 (60V, 55A, 17 мОм) — очень популярный и доступный аналог с близкими параметрами.
• ON Semiconductor (Fairchild): FDP55N06 (60V, 55A, 16 мОм).

2. Совместимые / Усиленные аналоги (с проверкой по даташиту)

Эти транзисторы имеют лучшие отдельные параметры (например, большее напряжение, меньшее Rds(on)) или другой корпус, но могут использоваться в тех же схемах при условии проверки характеристик и цоколевки:

• Infineon: IRL1004PBF (40V, 130A, 4 мОм) — меньшее сопротивление, но и меньшее напряжение.
• Infineon: IRFB4110PBF (100V, 180A, 3.7 мОм) — выше напряжение, схожий ток, в корпусе TO-220 FullPAK.
• Vishay: IRF3205PBF (55V, 110A, 8.0 мОм) — классический мощный MOSFET, но с большим Rds(on).
• NXP (Nexperia): PSMN4R8-55B (55V, 100A, 4.8 мОм) — в корпусе D²PAK (TO-263), требует другой разводки платы.
• Toshiba: TK55N60W (60V, 55A, 18 мОм) — близкий по параметрам аналог.

3. Ключевые парт-номера для поиска

• Собственный номер Infineon: IRLB4030PBF
• Номер в каталогах дистрибьюторов: Часто совпадает с основным.
• Устаревший номер (если есть): Прямого устаревшего аналога нет, так как это уже развитая серия.

Рекомендации по применению и замене

1. Теплоотвод: При работе с токами более 10-20 А обязательно использовать радиатор.
2. Затвор: Из-за высокой чувствительности используйте низкоомный резистор (10-100 Ом) последовательно с затвором для подавления паразитных колебаний. Защита стабилитроном (15-18 В) между затвором и истоком рекомендуется для защиты от выбросов напряжения.
3. Замена аналогом: При выборе замены обращайте внимание на:
   • Vdss (должно быть не меньше).
   • Id (желательно не меньше, с учетом реального тока в вашей схеме).
   • Rds(on) (чем меньше, тем меньше нагрев).
   • Qg (важно для драйверов и скорости переключения).
   • Корпус и распиновка (должны совпадать для прямой замены).

Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (Datasheet) на конкретную модель перед заменой в критичных узлах.