Infineon IRLR3636PBF

Артикул: 564420

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IRLR3636PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon IRLR3636PBF.

Описание и применение

Infineon IRLR3636PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET, в популярном корпусе TO-252 (DPAK). Он принадлежит к серии OptiMOS, которая известна своим исключительно низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) при низком напряжении затвора.

Ключевые особенности:

Низкое пороговое напряжение (VGS(th)) и возможность работы от логического уровня (уже от 2.5В), что позволяет управлять им напрямую с выходов микроконтроллеров (Arduino, STM32 и т.д.) без использования драйверов.
Очень низкое RDS(on) — всего 2.6 мОм при напряжении затвора 4.5В, что минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
Высокая энергоэффективность — идеален для применений, где критичны потери на проводимость.
Компактный и удобный для пайки корпус DPAK с хорошим соотношением цена/производительность.

Типичные области применения:

Управление двигателями (постоянного тока, шаговыми) в робототехнике, дронах, небольших приводах.
Силовые ключи в импульсных источниках питания (DC-DC преобразователи).
Системы управления батареями (BMS), защитные ключи.
PWM-диммирование светодиодов.
Любые схемы коммутации постоянного тока с высоким током и низким напряжением.

Основные технические характеристики (ТХ)

Важное примечание по току: Заявленный ток 170А достигается только при идеальном теплоотводе (температура корпуса 25°C). В реальных условиях, без массивного радиатора, максимальный непрерывный ток ограничен 20-40А в зависимости от условий охлаждения и скважности ШИМ.

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Drop-in Replacement):

Эти модели имеют идентичную цоколевку (pin-to-pin) и максимально близкие характеристики. Их можно установить на плату вместо IRLR3636PBF без изменений схемы.

Infineon IRLR3636TRPBF — тот же транзистор в поставке на бобине (tape & reel).
Infineon IRLR3636PBF-1 — вариант с улучшенными характеристиками в том же корпусе.

Ближайшие аналоги по характеристикам (от Infineon и других производителей):

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (низкое RDS(on), ток, напряжение) и также в корпусе DPAK/TO-252, но могут незначительно отличаться по пороговому напряжению или емкости. Перед заменой рекомендуется сверять datasheet.

Infineon IRLR3713PBF — 40В, 3.7 мОм, 160А. Подходит для схем с напряжением до 40В.
Infineon IRLR3103PBF — 30В, 1.7 мОм, 210А. Еще ниже сопротивление, но меньше напряжение.
Vishay (IR) IRLR3110ZPBF — 100В, 3.5 мОм, 210А. Аналог от оригинального производителя IR (ныне Vishay).
ON Semiconductor NVMFS5C410N — 40В, 1.8 мОм, 100А. Из серии Trench MOSFET.
STMicroelectronics STL320N6F7 — 60В, 3.2 мОм, 120А.
Alpha & Omega Semiconductor AON7400 — 40В, 2.1 мОм, 180А.

Аналоги в других корпусах (требует переразводки платы):

TO-220 (более удобен для радиатора):
- Infineon IRLR3110Z (100В, 3.5 мОм)
- Infineon IRLB4132 (60В, 2.2 мОм)
PowerPAK SO-8 (меньший размер):
- Infineon BSC010N06LS (60В, 1.0 мОм)