Infineon IRLU3410PBF

Отличный выбор! IRLU3410PBF — это классический и популярный MOSFET от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и совместимые аналоги.

Описание

IRLU3410PBF — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем управления, предназначенный для коммутации больших токов при низком напряжении затвора. Он выполнен в корпусе TO-251 (IPAK), что является одним из наиболее распространенных и удобных для монтажа на плату с хорошим отводом тепла (через фланец).

Ключевые особенности и применение:

• Логический уровень: Полностью открывается при напряжении на затворе Vgs = 4.5 В, что позволяет управлять им напрямую от выходов микроконтроллеров (Arduino, STM32, ESP и т.д.) и цифровых схем без драйвера.
• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии Rds(on) max = 4.0 мОм при 10В (и всего 6.5 мОм при 4.5В) минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Основные области применения: Идеально подходит для задач DC-DC преобразователей, импульсных источников питания (SMPS), управления двигателями (особенно в робототехнике и моделях), силовых ключей в инверторах, цепей управления нагрузкой (соленоиды, лампы, нагреватели).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Корпус | TO-251 (IPAK) | Три вывода, с монтажным фланцем | | Стратегия производства | HEXFET® | Фирменная технология Infineon | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый (открывается при подаче +Vgs) | | Макс. напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 55 В | | | Макс. непрерывный ток стока (Id) при 25°C | 47 А | Зависит от условий охлаждения | | Макс. импульсный ток стока (Idm) | 188 А | | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | max 4.0 мОм при Vgs=10В | Ключевой параметр для потерь | | | max 6.5 мОм при Vgs=4.5В | Важно для работы от 5В логики | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Тип. 1.5 В | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 48 нКл (тип.) | Определяет требования к драйверу | | Мощность рассеяния (Pd) | 54 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 170 нКл (тип.) | Важно для индуктивных нагрузок |

Парт-номер и совместимые модели (прямые аналоги)

Оригинальный парт-номер:

• IRLU3410PBF (PBF — обозначение бессвинцового вывода, соответствует RoHS).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: Vds (55В), Id (47А), Rds(on) (около 4-6 мОм), корпус TO-251/TO-220 и логический уровень.

• International Rectifier (IR, теперь часть Infineon): IRL3410PBF (предшественник в корпусе TO-220), IRL2203NPBF (очень близкий аналог).
• Vishay / Siliconix: SQJ341EP — практически полный аналог.
• Fairchild / ON Semiconductor: FDP047N08 (80В, 100А, но с близкими характеристиками), NTMFS4821NG (более современный, в корпусе D2PAK).
• STMicroelectronics: STP55NF06L (60В, 55А, логический уровень) — один из самых популярных аналогов.
• NXP: Не имеет точного аналога, но можно подобрать по параметрам.
• В популярных интернет-магазинах (например, LCSC): Часто продается под маркировкой "IRLU3410" от различных азиатских производителей, которые копируют оригинальную спецификацию.

Важные замечания по совместимости:

1. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса. IRLU3410PBF — TO-251 (IPAK). Его ближайший "брат" — TO-220 (например, IRL3410). Они электрически идентичны, но TO-220 больше по размеру и имеет отверстие для крепления на радиатор. Платы часто рассчитаны на конкретный корпус.
2. Логический уровень: Не все MOSFET на 55В и 47А являются логическими. Убедитесь, что в даташите указано низкое значение Rds(on) именно при Vgs=4.5В.
3. Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитом конкретного аналога, особенно по распиновке (расположение выводов Drain, Gate, Source) и динамическим характеристикам.

Вывод: IRLU3410PBF — это надежный, проверенный временем силовой ключ, отлично подходящий для любительских и промышленных проектов, где требуется управлять мощной нагрузкой (до 1-2 кВт) с помощью слабого сигнала от микроконтроллера.