Infineon K25N120T2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon K25N120T2.

Описание

Infineon K25N120T2 — это дискретный N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для работы в диапазоне средних мощностей и частот. Он сочетает в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и способность эффективно проводить большие токи в состоянии насыщения (как у биполярного транзистора).

Ключевые особенности и применение:

• Предназначен для индукционных нагрузок: Идеально подходит для ключевых режимов в цепях с высокой индуктивностью, где важна стойкость к перенапряжениям при выключении.
• Встроенный быстрый обратный диод: Диод обратного восстановления (FRD) интегрирован в один корпус, что упрощает схемотехнику и снижает паразитную индуктивность в силовых цепях. Это критически важно для мостовых схем (инверторы, частотные преобразователи).
• Планарная технология: Обеспечивает хороший баланс между напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) и временами переключения, что дает низкие коммутационные потери.
• Типичные области применения:
  • Частотные преобразователи (ПЧ) для управления двигателями.
  • Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты).
  • Индукционные нагреватели.
  • Импульсные источники питания (особенно с жестким переключением).
  • Системы ИБП.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | Максимальное повторяющееся напряжение | | Постоянный ток коллектора | I_C (25°C) | 25 А | При T_c = 25°C | | Ток коллектора | I_C (100°C) | 15 А | При T_c = 100°C (более реалистичный параметр) | | Импульсный ток коллектора | I_CM | 50 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.8 В (тип.) | При I_C = 15А, V_GE = 15В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.0 В (тип.) | Минимальное напряжение для открытия | | Рекомендуемое напряжение затвора | V_GE | ±20 В макс. / ±15 В рек. | Обычно управляется +15В/-5...-15В | | Полный заряд затвора | Q_g | 63 нКл (тип.) | Определяет требования к драйверу | | Время включения | t_on | 55 нс (тип.) | Включая задержку | | Время выключения | t_off | 340 нс (тип.) | Включая задержку и время спада | | Параметры встроенного диода | | Непрерывный прямой ток диода | I_F | 15 А | | | Импульсный прямой ток диода | I_FSM | 30 А | | | Прямое напряжение диода | V_F | 2.2 В (тип.) | При I_F = 15А | | Время обратного восстановления | t_rr | 110 нс (тип.) | | | Тепловые параметры | | Сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.75 °C/Вт | | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая | | Корпус | TO-247 | | Стандартный 3-выводной силовой корпус |

Парт-номера и Совместимые модели

Этот транзистор является частью обширного семейства и имеет множество аналогов от других производителей. При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по временам переключения, заряду затвора и характеристикам встроенного диода.

1. Прямые аналоги Infineon (включая старые бренды):

• SPW25N120T2 — практически идентичное изделие от Infineon (ранее Siemens/Infineon). Часто используется как полный аналог.
• SKW25N120 — также очень близкий аналог от Infineon.
• Серии IKW25N120T2, IKW25N120H3 — могут иметь небольшие отличия в динамических характеристиках.

2. Аналоги от других производителей (наиболее популярные):

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • HGTG20N120BND (с кремниевым диодом) — очень распространенный аналог.
  • FGA25N120ANTD — часто используется как замена.
• Fuji Electric:
  • 2MBi100VN-120-50 (в модуле) — дискретный аналог сложно найти, но в схемах часто взаимозаменяемы.
• STMicroelectronics:
  • STGW25N120KD — быстрый IGBT с диодом.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH25N120B — классический аналог.
• Toshiba:
  • GT25Q121 — требует проверки распиновки.

3. Важные замечания по совместимости и замене:

• Корпус: Большинство аналогов также выпускаются в корпусе TO-247. Проверяйте расположение выводов (C/G/E), оно стандартно, но бывают исключения.
• Характеристики диода: Ключевой параметр для замены в инверторных схемах — время обратного восстановления (t_rr) и прямое напряжение (V_F) встроенного диода. Если новый транзистор имеет более медленный диод, это может привести к перегреву и выходу из строя.
• Параметры переключения: Разный заряд затвора (Q_g) и времена t_on/t_off могут потребовать корректировки драйвера или привести к изменению КПД и тепловыделения.
• Напряжение насыщения Vce(sat): Более высокое значение увеличит потери на проводимость и нагрев.

Рекомендация: При ремонте или замене в критичных устройствах (например, инверторные сварочные аппараты) лучше всего использовать оригинальный K25N120T2 или его прямой аналог SPW25N120T2. Если их нет, выбирайте аналоги с максимально близкими характеристиками, особенно по V_CES (1200В), I_C (25А), встроенному быстрому диоду и корпусу TO-247.