Infineon PVT412PBF

Infineon PVT412PBF
Артикул: 564660

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon PVT412PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon PVT412PBF.

Краткое описание

Infineon PVT412PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный в популярном компактном корпусе TO-252 (DPAK). Он принадлежит к линейке OptiMOS™ P2, которая характеризуется исключительно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) при заданном размере кристалла.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Сверхнизкое сопротивление RDS(on): 3.7 мОм при 10 В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
  • Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и оптимизированным динамическим характеристикам.
  • Высокая стойкость к перегрузкам: Рассеиваемая мощность до 70 Вт и высокая стойкость к импульсным токам.
  • Повышенная надежность: Технология OptiMOS™ обеспечивает высокую стойкость к лавинным breakdown (UIS).
  • Логический уровень управления: Полностью открывается уже при напряжении на затворе VGS = 10 В (также работает при 4.5 В, но с чуть большим RDS(on)), что позволяет легко управлять от стандартных цифровых контроллеров (3.3В, 5В, 12В).
  • Быстрое переключение: Подходит для импульсных преобразователей с частотой до сотен кГц.

Основные области применения:

  • Силовые ключи в импульсных источниках питания (SMPS).
  • Модули стабилизаторов напряжения (DC-DC преобразователи).
  • Управление двигателями (например, в компьютерных кулерах, небольших приводах).
  • Схемы синхронного выпрямления.
  • Системы управления батареями (BMS).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | — | TO-252 (DPAK) | 3-выводной, для поверхностного монтажа (SMD) | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 40 В | Максимальное допустимое напряжение | | Ток стока (непрерывный) | ID | 70 А | При TC = 25°C | | Ток стока (импульсный) | IDM | 280 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Сопротивление "сток-исток" | RDS(on) | 3.7 мОм | При VGS = 10 В | | | | 5.0 мОм | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 2.8 В | | Заряд затвора | Qg | 44 нКл (тип.) | Полный заряд, влияет на скорость переключения | | Рассеиваемая мощность | PD | 70 Вт | При TC = 25°C (на плате) | | Температура перехода | TJ | от -55 до +175 °C | Максимальная рабочая +175°C |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые парт-номера Infineon (полные маркировки):

  • PVT412PBF — основной коммерческий номер для заказа.
  • На корпусе транзистора нанесена маркировка: P412.

2. Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon (в том же корпусе DPAK):

  • IPT012N04N G (OptiMOS™ 5, 40V, 1.2 мОм) — более новая и эффективная модель, но может быть дороже.
  • IPP040N06N G (OptiMOS™ 3, 60V, 4.0 мОм) — если требуется немного большее напряжение.
  • IRF7413PBF (старая линейка HEXFET от International Rectifier, теперь часть Infineon) — близкий по параметрам аналог (40V, 6.5 мОм).

3. Функционально совместимые аналоги от других производителей: При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: VDSS ≥ 40В, ID ≥ 70А, RDS(on) ~ 3-6 мОм, корпус DPAK (TO-252).

  • Vishay / Siliconix:
    • SQJ412EP-T1_GE3 — очень близкий прямой аналог по характеристикам.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FDBL86361_F085 (40V, 6.0 мОм)
    • NDT3055L (40V, 5.0 мОм)
  • STMicroelectronics:
    • STP75NF40 (40V, 6.5 мОм) — классическая модель, но с более высоким RDS(on).
  • Nexperia:
    • PSMN4R0-40PSH (40V, 4.0 мОм)

Важное примечание по замене: Несмотря на функциональную совместимость, всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) конкретного аналога, особенно по таким параметрам как:

  • Распиновка выводов (pinout) — в DPAK обычно стандартная, но бывают исключения.
  • Емкости затвора и динамические характеристики (Qg, Ciss), которые влияют на работу драйвера.
  • Внутренняя структура диода "сток-исток" (body diode) и ее характеристики.

Рекомендуется использовать PVT412PBF или его прямое замену SQJ412EP для гарантированной идентичной работы в существующей схеме. Для новых разработок стоит рассмотреть более современные модели, такие как IPT012N04N G.

Товары из этой же категории