Infineon SGB04N60

Артикул: 564744

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SGB04N60

Конечно, вот подробное описание силового транзистора Infineon SGB04N60, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание и применение

Infineon SGB04N60 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™), которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Основное назначение: Ключевой элемент в импульсных источниках питания (SMPS), где требуется высокая эффективность и надежность. Типичные топологии: Flyback, Forward, Half-Bridge, PFC (корректор коэффициента мощности).
Ключевые преимущества:
- Высокое напряжение: 600 В позволяет работать в сетях 220В/380В с хорошим запасом по напряжению.
- Низкое сопротивление RDS(on): 0.65 Ом при токе 4А минимизирует коммутационные потери и нагрев в открытом состоянии.
- Высокая скорость переключения: Благодаря технологии Super Junction и низким зарядам затвора/выходной емкости.
- Надежность: Встроенный стабилитрон для защиты затвора от статического электрительства (ESD).

Корпус: Выпускается в стандартном изолированном корпусе TO-263 (D²Pak), что обеспечивает хороший отвод тепла через медную площадку на печатной плате и возможность использования радиатора.

Технические характеристики (основные параметры)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока | I_D | 4.0 | А | При T_c=25°C | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.65 | Ом | При V_GS=10 В, I_D=2 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 | В | Типовое ~4 В | | Заряд затвора | Q_g | 12 | нКл | Влияет на требования к драйверу | | Входная емкость | C_iss | 580 | пФ | | | Выходная емкость | C_oss | 35 | пФ | | | Макс. мощность рассеяния | P_tot | 50 | Вт | При T_c=25°C | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C | | | Крутизна | g_fs | 6.5 | См (А/В) | |

Part-номера (полная маркировка Infineon)

Официальное полное наименование для заказа и поиска:

SPB04N60S5-13 — это полный парт-номер, под которым компонент указан в технической документации (Datasheet).
SGB04N60 — это, как правило, сокращенная маркировка на корпусе устройства.

Важно: При поиске или заказе рекомендуется использовать полный номер SPB04N60S5-13.

Совместимые модели и аналоги

При замене необходимо учитывать не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики, корпус и разводку выводов.

Прямые аналоги от Infineon (в той же серии/технологии):

SPB04N60S5 (более ранняя версия, практически идентична)
IPP04N60S5 — аналог в корпусе TO-220 (не изолированный).
IPP04N60S5-13 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной площадкой).
SGP04N60 — аналог в корпусе TO-247 (более мощный корпус).

Аналоги от других производителей (сопоставимые по ключевым параметрам):

Близкие по параметрам (возможна замена в некоторых схемах):

5А / 600В / ~0.5 Ом: SPA05N60C3, STP5NK60Z, FCP5N60.
4А / 650В / ~0.7 Ом: SPA04N65C3 (более высокое напряжение).

Важные замечания при замене:

Всегда сверяйтесь с даташитами! Особенно разделы с динамическими параметрами (C_oss, Q_gd, Q_rr для диода), так как они критичны для работы на высоких частотах и влияют на нагрев и ЭМИ.
Проверяйте распиновку (pinout) корпуса D²Pak/TO-263, она может различаться у разных производителей.
Учитывайте корпус и монтаж. Аналог в TO-220 (IPP04N60S5) не имеет изолированной теплопроводящей площадки, как D²Pak, что может потребовать изменения изоляции радиатора.
Рекомендуется в первую очередь рассматривать аналоги от самого Infineon (серии CoolMOS/C3/C5/C7), так как они гарантируют максимальную совместимость по динамике работы.

Этот транзистор является надежным и популярным решением для построения импульсных БП мощностью до 150-250 Вт.