Infineon SGB15N60HS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon SGB15N60HS.

Описание и применение

Infineon SGB15N60HS — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Это ключевой компонент для построения высокоэффективных импульсных источников питания.

• Основное назначение: Применяется в силовой части импульсных блоков питания (SMPS) в качестве ключевого элемента. Типичные топологии: PFC (корректор коэффициента мощности), Flyback (обратноходовый), Forward (прямоходовый) преобразователи.
• Ключевые преимущества технологии CoolMOS:
  • Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД устройства.
  • Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что уменьшает габариты трансформаторов и дросселей.
  • Отличный баланс между динамическими и статическими потерями: Оптимизирован для работы в жестком режиме переключения (Hard Switching).
• Исполнение: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-263 (D2PAK), который обеспечивает хороший отвод тепла через печатную плату.

Типичные области применения:

• Импульсные блоки питания для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Источники питания для светодиодных драйверов высокой мощности.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Инверторы.

Основные технические характеристики (ТТХ)

При температуре корпуса 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | 0.19 | Ом | | Условие измерения | при V_GS = 10 В, I_D = 7.5 А | | | | Ток стока (постоянный) | I_D | 15 | А | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 60 | А | | Мощность рассеяния | P_tot | 156 | Вт | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 | В | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | 75 | нКл | | Время включения/выключения | t_d(on) / t_d(off) | 13 / 50 | нс | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.8 | °C/Вт | | Диод обратного восстановления | Q_rr (тип.) | 1.2 | мкКл | | Корпус | - | TO-263 (D2PAK) | |

Парт-номера и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (включая парт-номера для заказа):

Эти транзисторы имеют идентичные или максимально близкие электрические параметры и кристалл, различаясь в основном корпусом или упаковкой.

• SPP15N60HS — аналог в корпусе TO-220. (Прямая замена, если позволяет место и охлаждение).
• IPD15N60HS — аналог в корпусе TO-252 (DPAK).
• IPP15N60HS — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной платформой).

Парт-номер для заказа SGB15N60HS:

• SGB15N60HSATMA1 — стандартный парт-номер для ленты (Tape & Reel).

2. Функционально совместимые и близкие по параметрам аналоги от других производителей:

При замене рекомендуется сверять распиновку корпуса и характеристики, особенно заряда затвора (Qg) и емкости.

| Производитель | Модель-аналог | Корпус | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP15N60M2 | TO-220 | Аналогичные Vdss и Id. Технология MDmesh™ II. Может отличаться динамическими параметрами. | | ON Semiconductor | FCP15N60 | TO-220 | Технология SuperFET II. Хороший функциональный аналог. | | Fairchild/ON Semi | FCP15N60S | TO-220 | Улучшенный вариант с более низким Rds(on). | | Vishay | SUP15N60-18 | TO-220 | Технология High Voltage Power MOSFET. Параметры очень близки. | | Power Integration | Не является прямым аналогом | - | Важно: Power Integration производит готовые силовые сборки. Для замены нужна переделка схемы. |

3. Улучшенные/более новые аналоги (для новых разработок):

• Infineon IPP15N60HS (в TO-220 FullPAK) — имеет изолированный фланец, что упрощает монтаж радиатора.
• Infineon CoolMOS™ C7 или P7 series — более новые поколения с лучшими показателями Rds(on) и Qg (например, IPA60R450P7). Требуют проверки совместимости по управлению.

Важные замечания при замене:

1. Распиновка: Все указанные аналоги в корпусах TO-220, TO-263, DPAK имеют стандартную распиновку (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но лучше проверить в даташите.
2. Динамические характеристики: Особое внимание при замене в высокочастотных схемах нужно уделять параметрам Qg (заряд затвора), C_iss (входная емкость) и временам переключения. Их отличие может потребовать корректировки драйвера затвора.
3. Охлаждение: Корпус TO-263 (D2PAK) рассеивает тепло преимущественно через плату. При замене на TO-220 необходимо обеспечить крепление радиатора.
4. Рекомендация: Перед заменой в критичном устройстве всегда сравнивайте даташиты, уделяя внимание разделам "Absolute Maximum Ratings" и "Switching Characteristics".

Данный транзистор является надежным и популярным решением для построения силовых цепей с напряжением до 400-450В постоянного тока (с учетом запаса по 600В).