Infineon SGD02N120

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon SGD02N120, включая его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon SGD02N120 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction CoolMOS™. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, прямоходовые, двухтактные преобразователи), где критически важны высокое напряжение и энергоэффективность.

Ключевая особенность серии CoolMOS™ — революционно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (R DS(on)) для своего класса напряжения, что приводит к значительно меньшим потерям на проводимость и, как следствие, к более высокой общей эффективности и меньшему нагреву.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | Super Junction CoolMOS™ | — | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, для поверхностного монтажа (SMD), с теплоотводящей площадкой. | | Структура | Планар | — | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Постоянный ток стока (I D) | 2.2 А | При Tc = 25°C. | | Импульсный ток стока (I DM) | 8.8 А | — | | Сопротивление "сток-исток" (R DS(on)) | 6.5 Ом (макс.) | Ключевой параметр. При V GS = 10 В, I D = 1.1 А, Tj = 25°C. | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Q g (тип.)) | 11 нКл | Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Время включения (t d(on) / t r) | 12 нс / 35 нс (тип.) | Быстрое переключение. | | Время выключения (t d(off) / t f) | 70 нс / 25 нс (тип.) | — | | Максимальная мощность рассеяния (P tot) | 48 Вт | При Tc = 25°C (ограничено корпусом и теплоотводом). | | Диод "сток-исток" (Internal Body Diode) | Есть | Параметры: I SD = 2.2 А, V SD = 1.4 В (тип.). | | Рабочая температура перехода (T j) | от -55°C до +150°C | — |

Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение 1200В: Позволяет работать в сетевых источниках питания (220/380В) с запасом по напряжению.
• Низкое R DS(on): Минимизирует потери на нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора.
• Высокая устойчивость к dv/dt: Характерно для технологии CoolMOS™.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

Эти модели имеют идентичную или очень близкую кристаллическую структуру (чип), но заключены в другой корпус.

• SPP02N120C3 — корпус TO-220. Прямой аналог для монтажа в отверстия, с возможностью установки на радиатор.
• IPD02N120C3 — корпус TO-262. Аналог TO-220, но для поверхностного монтажа (SMD).
• IPP02N120C3 — корпус TO-220 FullPak (полностью изолированный корпус).

Примечание: Буква "C3" в конце номера указывает на третье поколение технологии CoolMOS™, к которому относится и SGD02N120.

2. Совместимые модели / Аналоги от других производителей (Cross-Reference):

При поиске замены необходимо сверять ВСЕ критические параметры: V DSS, I D, R DS(on), корпус и цоколевку.

• STMicroelectronics: Напрямую совместимого аналога в DPAK может не быть, но можно рассматривать серию STP2N120 (но это более старая технология с худшими параметрами).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP2N120 (серия SuperFET®) — технологически близкий конкурент CoolMOS™. Требуется проверка даташита.
• Toshiba: TK2A120U (серия DT MOS IV) — также аналог по классу.
• Magnachip: MDP02N120 — часто предлагается как функциональный аналог.

Важно: Несмотря на схожие электрические параметры, динамические характеристики (заряды, емкости) и параметры внутреннего диода могут отличаться. Перед заменой в существующей схеме обязательна консультация с даташитами обоих компонентов.

Типичные области применения

• Импульсные источники питания (SMPS): Мощностью до 50-100 Вт (в зависимости от топологии и охлаждения).
• Сетевые преобразователи: Для бытовой техники, промышленного оборудования, светодиодных драйверов.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC): В ступени Boost PFC.
• Обратноходовые преобразователи (Flyback): Наиболее типичное применение для этого компонента.

Рекомендации по применению

1. Управление затвором: Для полного открытия и минимизации R DS(on) рекомендуется напряжение затвор-исток (V GS) +10 В. Максимально допустимое напряжение V GS — ±30 В.
2. Защита от статики (ESD): Как и все MOSFET, чувствителен к электростатическому разряду. Соблюдайте меры предосторожности.
3. Теплоотвод: Несмотря на низкие потери, при работе на высоких токах или частотах необходим эффективный отвод тепла через медную площадку на печатной плате (PCB heatsink) для корпуса DPAK.
4. Снабберные цепи: В схемах с жестким переключением и паразитной индуктивностью могут потребоваться RC-снабберы для подавления выбросов напряжения.

Вывод: Infineon SGD02N120 — это высоковольтный, эффективный и надежный транзистор, являющийся отраслевым стандартом для построения компактных и энергоэффективных сетевых источников питания средней мощности. Его прямые аналоги в корпусе TO-220 (SPP02N120C3) широко используются в ремонтной практике.