Infineon SGP02N120

Infineon SGP02N120
Артикул: 564750

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon SGP02N120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon SGP02N120.

Общее описание

Infineon SGP02N120 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, PFC-каскадах (корректор коэффициента мощности), инверторах и других энергоэффективных силовых приложениях, где критичны высокое напряжение, низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность — технология Super Junction, которая позволяет достичь рекордно низкого значения сопротивления открытого канала (RDS(on)) для прибора с таким высоким рабочим напряжением (1200 В). Это напрямую ведет к меньшим тепловыделениям и повышению общего КПД системы.


Технические характеристики (кратко)

  • Тип прибора: N-канальный MOSFET, Super Junction (CoolMOS™)
  • Корпус: TO-220 (с изолированным или неизолированным фланцем, зависит от модификации)
  • Напряжение "сток-исток" (VDSS): 1200 В
  • Постоянный ток стока (ID) при 25°C: 2.3 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 5.2 Ом (макс. при VGS=10 В и TJ=25°C)
  • Заряд затвора (Qg): 11 нКл (тип.) — низкое значение упрощает управление и снижает потери на переключение.
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3.0 - 5.0 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 42 Вт (на изолированном радиаторе)

Ключевые преимущества

  1. Высокое напряжение 1200 В: Обеспечивает высокий запас прочности в сетевых приложениях (230 В), особенно в схемах с PFC, где выбросы напряжения могут быть значительными.
  2. Низкое RDS(on): Минимальные потери в открытом состоянии (кондуктивные потери).
  3. Высокая скорость переключения и низкий заряд затвора (Qg): Позволяет работать на высоких частотах с низкими коммутационными потерями.
  4. Отличное соотношение "цена/производительность": Технология CoolMOS™ сделала высоковольтные MOSFET с низким сопротивлением доступными.

Типичные области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS) средней мощности
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC) в БП для ПК, серверов, бытовой техники
  • Инверторы для солнечных панелей
  • Источники питания для светодиодного осверения (LED drivers)
  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры) в высоковольтных цепях.

Парт-номера (Part Numbers) и модификации

Модель SGP02N120 может иметь различные суффиксы, указывающие на особенности корпуса и упаковки:

  • SGP02N120UF / SGP02N120UFDMA1 (вероятно, самый распространенный вариант):
    • U — обозначение корпуса (TO-220).
    • F — указывает на полностью изолированный фланец (Full-pack isolation). Это важная особенность, позволяющая монтировать транзистор на общий радиатор без изолирующей прокладки, что улучшает тепловой отвод.
  • SGP02N120XTMA1:
    • X — может обозначать другую версию корпуса или упаковки (например, DPAK/TO-252, но для этой серии более характерен TO-220). Требует уточнения по даташиту.
  • SGP02N120UFDMA2 — может отличаться упаковкой (на катушке/в ленте) или незначительными производственными ревизиями.

Важно: Всегда сверяйте полный номер, указанный на корпусе, с технической документацией (даташитом) для точного определения характеристик.


Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать основные параметры: VDSS=1200В, ID ~2-3А, корпус TO-220, низкое RDS(on).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

  • SPP02N120C3 — более новая/оптимизированная версия из линейки CoolMOS™ C3 с улучшенными динамическими характеристиками.
  • IPP02N120C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
  • IPA02N120C3 — аналог в корпусе TO-220 (неизолированный фланец).

2. Аналоги от других производителей (функциональные замены):

  • STMicroelectronics:
    • STP2N120 (серия MDmesh™ M2) — очень близкий прямой аналог по параметрам и корпусу.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP2N120 (серия SuperFET® II) — аналогичная технология и характеристики.
  • Power Integration (через их драйверы со встроенными MOSFET):
    • Хотя это не прямой аналог, для ремонта блоков питания часто можно использовать сборки типа TOP267EG, которые включают в себя высоковольтный MOSFET и контроллер в одном корпусе. Это не замена в классическом смысле, но вариант для ремонта целых каскадов.
  • Vishay / Siliconix:
    • SUD02N120 — высоковольтный MOSFET серии Super Junction.

Рекомендации по замене

  1. Всегда сверяйте даташиты. Даже у прямых аналогов могут быть отличия в пороговом напряжении, емкостях, диаграммах безопасной работы (SOA) и монтажных рекомендациях.
  2. Обращайте внимание на изоляцию фланца. Если в оригинале использовалась модель с изолированным фланцем (с суффиксом F), то и аналог лучше брать с такой же особенностью, чтобы не нарушать конструкцию теплоотвода.
  3. Учитывайте цепь управления. Низкий заряд затвора (Qg) SGP02N120 позволяет использовать не очень мощный драйвер. При установке аналога с большим Qg драйвер может перегружаться.

Вывод: Infineon SGP02N120 — это надежный, проверенный временем высоковольтный MOSFET, который благодаря технологии Super Junction остается актуальным для множества приложений. При замене он имеет хорошо документированные аналоги как от самого Infineon, так и от других ведущих производителей.

Товары из этой же категории