Infineon sgp30n60

Отличный выбор! Infineon SGP30N60 — это мощный и надежный IGBT-транзистор, разработанный для высоковольтных и сильноточных применений. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Краткое описание

SGP30N60 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) третьего поколения (TrenchStop 3) от Infineon. Его ключевые преимущества:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)): Высокая энергоэффективность и меньшие потери на проводимость.
• Технология TrenchStop: Обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями при переключении и малым напряжением насыщения, а также высокую стойкость к короткому замыканию.
• Быстрое переключение: Подходит для инверторов, импульсных источников питания с жестким переключением (hard switching).
• Плавный обратный восстановление встроенного диода: Уменьшает выбросы напряжения и электромагнитные помехи.
• Корпус TO-247: Классический, удобный для монтажа, с хорошим отводом тепла.

Основная сфера применения: Силовые преобразователи, где требуется высокое напряжение и ток.

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные инверторы
• Приводы двигателей (частотные преобразователи)
• Системы ИБП (UPS)
• Индукционный нагрев

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT + антипараллельный диод | | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic) при 25°C | 60 А | | | Ток коллектора (Ic) при 100°C | 30 А | Указано в названии (SGP30N60) | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 120 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | 1.65 В (тип.) при Ic=30A | Низкие потери на проводимость | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 5.0 В (тип.) | Стандартное для IGBT | | Энергия переключения (Eon/Eoff) | 1.35 мДж / 0.36 мДж | При типовых условиях | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | На корпусе, при Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Корпус | TO-247 (или TO-247-3) | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно компонент имеет несколько вариантов маркировки в зависимости от партии и упаковки. Основные парт-номера для поиска:

• SGP30N60 (базовая модель)
• SGP30N60XKSA1 (полное название в каталогах Infineon)
• На корпусе обычно нанесена маркировка: SGP30N60

Совместимые модели / Прямые аналоги (Cross-Reference)

При подборе аналога критически важно проверять распиновку, характеристики и технологию.

Аналоги от Infineon (схожие или улучшенные характеристики):

• IGW30N60T (транзистор IGBT, 600В, 60А, TO-247) — аналог предыдущих поколений.
• IKW30N60T (600В, 60А, TO-247) — также популярная модель.
• IRGP30B60KD-EP (от International Rectifier, ныне Infineon, 600В, 47А, TO-247) — близкий по параметрам.
• SGP20N60 (600В, 40А) — на меньший ток.
• SGP50N60 (600В, 80А) — на больший ток.

Аналоги от других производителей:

• ST Microelectronics: STGW30NC60WD (600В, 60А, TO-247), STGP30NC60WD.
• Fairchild/ON Semiconductor: FGH30N60 (600В, 60А, TO-247), FGP30N60.
• Fuji Electric: 2MBI300N-060 (модуль) — для модульных решений.

Важные замечания при замене

1. Технология переключения: Аналоги более старых поколений (PT, NPT) могут иметь более высокие динамические потери, несмотря на схожие статические параметры.
2. Характеристики встроенного диода: Скорость восстановления диода (trr) влияет на работу в схемах с обратной связью. У SGP30N60 диод достаточно быстрый.
3. Затвор: Рекомендуемое напряжение управления затвором (Vge) обычно составляет +15В/-15В или +15В/0В. Не превышайте максимальное напряжение Vge ±20В.
4. Тепловой режим: Обязательно используйте радиатор с термопастой. Мощность рассеивания сильно зависит от температуры корпуса (Tc).

Рекомендация: Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (datasheet) для конкретной модели, особенно при проектировании нового устройства или критической замене. Актуальную документацию на SGP30N60 можно найти на сайте Infineon.