Infineon SGW15N60

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon SGW15N60.

Описание

Infineon SGW15N60 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой CoolMOS™ технологии. Он относится к семейству SPP (Single Pulse Power), оптимизированному для работы в жёстких условиях ключевых режимов с высокой скоростью переключения, что характерно для импульсных источников питания (SMPS), корректоров коэффициента мощности (PFC) и преобразователей.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение: Рассчитан на работу в сетях 220В и выше.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие проводимые потери и высокий КПД.
• Технология CoolMOS™: Отличается очень низким зарядом затвора (Qg) и отличным соотношением Rds(on) к площади кристалла, что позволяет снизить динамические потери и улучшить эффективность переключения.
• Быстрая работа внутреннего диода: Встроенный сток-истокный диод (Body Diode) имеет короткое время восстановления, что важно для мостовых и резонансных топологий.
• Планарная технология: Классическая, проверенная временем и надёжная структура.

Основное применение: Импульсные блоки питания для ПК, серверов, бытовой электроники, промышленные источники питания, освещение (LED-драйверы).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | CoolMOS™ SPP (Planar) | | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 600 В | Максимальное постоянное напряжение | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 15 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 60 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.25 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=7.5 А, Tj=25°C | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл (тип.) | Ключевой параметр для драйвера | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 180 Вт | На идеальном радиаторе при Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• SPW15N60S5 / SPW15N60C3 — Более новые версии из семейства CoolMOS™ C3/S5 с улучшенными характеристиками (ниже Rds(on) и Qg). Являются рекомендуемой модернизацией.
• IPP15N60S5-3 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• SGW15N60HD / SGW15N60FD — Модели с другими параметрами внутреннего диода (более жёсткие или более мягкие характеристики).
• SGW15N60 — базовый номер, может иметь суффиксы в зависимости от партии/упаковки.

2. Функционально совместимые аналоги от других производителей (с проверкой распиновки и характеристик!):

• Fairchild/ON Semiconductor: FCP15N60, FCPF15N60.
• STMicroelectronics: STP15NK60Z, STW15NK60Z.
• Vishay: IRFB15N60A, IRFB15N60KPBF.
• IXYS: IXFH15N60.
• Power Integration (в составе чипов): Используются в схемах, но не как дискретные компоненты.

3. Улучшенные/более современные аналоги (для новых разработок):

• Infineon CoolMOS™ P6/P7: IPP60RxxCP/P7 (серии с супер-джunction технологией, на порядок лучше по Rds(on)).
• Infineon CoolMOS™ C7/G7: Серии для жёсткого переключения и высокой эффективности.
• STMicroelectronics MDmesh™ M5/M6: STPxxN60M6.
• ON Semiconductor SuperFET® II/III: FCPxxN60.

Важные замечания по замене и совместимости

1. Проверка параметров: При замене необходимо сверять ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg и заряд восстановления диода (Qrr). Замена на аналог с меньшим Rds(on) и Qg обычно безопасна и улучшает характеристики. Замена на транзистор с худшими параметрами может привести к перегреву или отказу.
2. Распиновка корпуса: Убедитесь, что цоколевка (распиновка) корпуса (TO-247) у аналога совпадает (стандарт: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).
3. Внутренний диод: В схемах, где критично работает встроенный диод (например, PFC), необходимо сравнивать параметры trr и Qrr.
4. Для ремонта: Если SGW15N60 вышел из строя, рекомендуется выяснить и устранить причину поломки (перегрев, перенапряжение, дребезг затвора). Установка более мощного транзистора без анализа причины может не решить проблему.

Вывод: SGW15N60 — это классический, надёжный и хорошо зарекомендовавший себя MOSFET для силовой электроники средней мощности. Для ремонта подходят прямые аналоги из списка выше, а для новых разработок целесообразно рассматривать более современные серии с улучшенными динамическими характеристиками.