Infineon SKW30N60

Артикул: 564767

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SKW30N60

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SKW30N60.

Общее описание

Infineon SKW30N60 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других энергоэффективных преобразовательных устройствах, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность: Технология Super Junction позволяет достичь очень низкого значения сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) для данного класса напряжения, что напрямую ведет к снижению тепловыделения и повышению общего КПД системы.

Технические характеристики (основные)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Infineon часто маркирует одну и ту же кремниевую структуру (чип) разными парт-номерами в зависимости от корпуса, уровня отбраковки или маркетинговой линейки.

Основные парт-номера для этого чипа:

SPW30N60S5 — Аналог в корпусе ТО-220. Имеет те же ключевые параметры (600В, 30А, R_DS(on) ~0.065 Ом), но меньшую рассеиваемую мощность из-за компактного корпуса.
IPP30N60S5 — Аналог в корпусе ТО-220 FullPAK (изолированный). Предназначен для монтажа на радиатор без изолирующей прокладки.
SKW30N60 — Версия в корпусе ТО-247, как в данном случае. Корпус имеет лучшие тепловые характеристики, чем ТО-220.

Важно: Буква "S" в номере (например, S5) указывает на поколение технологии CoolMOS (S5 — пятое поколение, одно из самых популярных и сбалансированных).

Совместимые и аналогичные модели (от других производителей)

Данный транзистор можно заменить на аналогичные по ключевым параметрам (600В, ~30А, низкое R_DS(on)) MOSFET от других производителей. Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитом, особенно по распиновке и динамическим характеристикам.

Прямые аналоги (Super Junction/CoolMOS технология):

STMicroelectronics: STW30N60M2, STP30N60M2 (в корпусах ТО-247 и ТО-220 соответственно). Линейка MDmesh™ M2.
ON Semiconductor (Fairchild): FCP30N60, FCH30N60 (линейка SuperFET®).
Vishay (Siliconix): SUD30N60-50.
Toshiba: TK30N60W (линейка DTMOSIV).

Более современные/эффективные аналоги (с меньшим R_DS(on) или зарядом):

Infineon: SKW30N60H3 (7-е поколение CoolMOS™ C7, более высокие частоты переключения).
Infineon: IPW30N60H3 (аналог в ТО-247 FullPAK).
STMicroelectronics: STW30N60DM2 (более новая версия с улучшенными показателями).

Классические MOSFET (обычно с худшими характеристиками, но могут работать в простых схемах):

IR (International Rectifier): IRFP460 (классический "рабочий" MOSFET на 500В, 20А). Внимание: Напряжение ниже (500В), параметры переключения хуже. Замена возможна не во всех схемах.

Области применения

Импульсные блоки питания (SMPS) средней и большой мощности.
Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в блоках для ПК и серверов.
Инверторы, приводы двигателей.
Источники сварочных аппаратов.
Различные силовые преобразователи.

Важные замечания при замене

Корпус: Убедитесь, что корпус (ТО-247, ТО-220 и т.д.) подходит для монтажа на вашу плату и радиатор.
Распиновка: Всегда проверяйте цоколевку (распиновку) в даташите. У большинства ТО-247 выводы стандартные (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но бывают исключения.
Динамические параметры: Для работы на высоких частотах критически важны не только R_DS(on), но и заряды затвора (Q_g, Q_gd), а также параметры внутренних диодов (t_rr, Q_rr). Прямая замена без учета этих параметров может привести к перегреву драйвера или повышенным коммутационным потерям.
Поколение технологии: Более новые поколения (C7, H3) обычно имеют лучшие характеристики, но могут быть чувствительнее к качеству драйвера и паразитной индуктивности монтажа.

Рекомендация: Для выбора оптимальной замены всегда используйте официальные даташиты (datasheet) и сравнительные таблицы от производителей.