Infineon SKW30N60HS

Артикул: 564768

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SKW30N60HS

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon SKW30N60HS, его характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

SKW30N60HS — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других силовых преобразовательных устройствах, где критически важны высокий КПД, надежность и компактность.

Ключевые особенности и преимущества:

Технология CoolMOS™: Обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для своего класса напряжения, что приводит к минимальным потерям на проводимость и переключение.
Высокое напряжение сток-исток: 650 В — позволяет работать в сетевых приложениях (220/380В) с хорошим запасом по напряжению.
Высокая скорость переключения: Оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
Встроенный обратный диод (Body Diode): Имеет быстрое восстановление, что важно для режимов работы с индуктивной нагрузкой (например, в мостовых схемах).
Планарная технология: Обеспечивает высокую повторяемость параметров и надежность.
Корпус TO-247: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим отводом тепла.

Основные области применения:

Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в boost-конфигурации.
Инверторы, драйверы двигателей (в менее требовательных приложениях).
Источники сварочных аппаратов.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | CoolMOS™ (Super Junction) | — | | Корпус | TO-247 | — | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | — | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 30 А | При T_c = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 120 А | — | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.065 Ом (65 мОм) | Тип., при V_GS=10 В, I_D=15 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 75 нКл | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | При T_c = 25°C | | Диапазон рабочей температуры p-n перехода (T_j) | от -55 °C до +150 °C | — | | Характеристика встроенного диода | Быстрый восстановление | — |

Парт-номера и прямые аналоги

Эти транзисторы имеют идентичные или максимально близкие электрические параметры, аналогичный корпус (TO-247) и часто являются взаимозаменяемыми.

От Infineon (основное семейство CoolMOS C3 / C6):

SPW30N60C3 — Ближайший аналог из предыдущего/параллельного поколения. Параметры практически идентичны.
SPW30N60S5 — Модель из более новой линейки (CoolMOS S5), имеет улучшенные динамические характеристики.
IPP30N60C3 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK.
IPP30N60S5 — Аналог S5 в корпусе TO-220 FullPAK.

От других производителей (совместимые аналоги):

STMicroelectronics: STW30N60M2 (технология MDmesh™ II), STP30N60M2 (TO-220).
ON Semiconductor (Fairchild): FCP30N60 (SuperFET®), FCH30N60.
Vishay (Siliconix): SUD30N60-50 (E系列).
IXYS: IXFH30N60.
Toshiba: TK30A60W (DTMOS IV).

Важно! Перед заменой всегда необходимо:

Сверить распиновку корпуса (она стандартна для TO-247, но бывают исключения).
Уточнить критические параметры для вашей схемы: заряд затвора (Q_g), емкости (C_iss, C_oss, C_rss), характеристики встроенного диода (t_rr, Q_rr).
Проверить максимальные рабочие напряжения и токи в конкретном узле.