Infineon SOT-23-3-BCR112E6327HTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon SOT-23-3-BCR112E6327HTSA1.

Краткое описание

BCR112E6327 — это PNP-транзистор с цифровым резистором в базе (Digital Transistor), предназначенный для коммутации слаботочных нагрузок. Он интегрирует в одном корпусе SOT-23 стандартный PNP-биполярный транзистор и два последовательно соединенных резистора: один между базой и эмиттером (R2), и один в цепи базы (R1). Это решение значительно упрощает схему, экономит место на печатной плате и повышает надежность, устраняя необходимость во внешних дискретных резисторах.

Основное назначение: Управление светодиодами, реле, небольшими двигателями, а также использование в качестве буферного каскада или инвертора в интерфейсных цепях микроконтроллеров и логических схем.

Технические характеристики (Technical Specifications)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | PNP-транзистор с резисторами | R1=10 кОм, R2=10 кОм | | Корпус | SOT-23 | 3 вывода | Пластиковый, для поверхностного монтажа | | Полярность | — | PNP | | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -50 В макс. | Определяет максимальное коммутируемое напряжение | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | -50 В макс. | | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | -5 В макс. | | | Постоянный ток коллектора | I_C | -100 мА макс. | Максимальный коммутируемый ток | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 250 мВт | При температуре окружающей среды T_a ≤ 25°C | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 60 - 240 | При V_CE = -5 В, I_C = -5 мА | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | -0.25 В тип. | При I_C = -10 мА, I_B = -0.25 мА | | Сопротивление в базе | R1 | 10 кОм ±30% | Встроенный резистор, последовательно с базой | | Сопротивление база-эмиттер | R2 | 10 кОм ±30% | Встроенный резистор, шунтирующий переход Б-Э | | Рабочая температура перехода | T_j | от -55°C до +150°C | | | Температура хранения | T_stg | от -55°C до +150°C | |

Ключевые преимущества:

• Экономия места и компонентов: Не требует внешних резисторов.
• Упрощение монтажа: Меньше компонентов для пайки.
• Повышение надежности: Меньше точек потенциального отказа.
• Групповой контроль параметров: Встроенные резисторы имеют одинаковый температурный дрейф.
• Защита от статики (ESD): Встроенный резистор R2 обеспечивает некоторую защиту.

Распиновка (Pinout) для корпуса SOT-23-3

Когда маркировка (тиснение) "2A" обращена к вам, а выводы направлены вниз:

1. Вывод 1 (Левый): Резистор (R1) / База (B) — Через этот вывод и внутренний резистор R1 подается управляющий ток.
2. Вывод 2 (Средний): Эмиттер (E) — Подключается к положительной шине питания (для PNP-транзистора).
3. Вывод 3 (Правый): Коллектор (C) — Подключается к нагрузке.

Прямые аналоги и совместимые замены

1. Парт-номера (Part Numbers) этого же компонента:

• BCR112 — основное коммерческое наименование серии.
• BCR112E6327 — полный номер в каталоге Infineon. Суффикс HTSA1 в BCR112E6327HTSA1 обычно указывает на тип упаковки (лента и катушка для автоматического монтажа).

2. Функционально совместимые аналоги (Digital PNP Transistor with R1=10k, R2=10k):

Важно: При замене всегда сверяться с даташитом, особенно по распиновке, так как у разных производителей она может отличаться!

• DTC114EKA (ROHM) — Прямой аналог (R1=10k, R2=10k). Один из самых популярных и доступных заменителей. Внимание на распиновку! У DTC114EKA от ROHM может быть иная цоколевка (например, 1-Эмиттер, 2-База, 3-Коллектор).
• DTC114EUA (ROHM) — То же семейство, возможна другая упаковка.
• FMMT558TA (Diodes Inc.) — PNP-транзистор со встроенными резисторами (10кОм/10кОм).
• PDTC114EU (Nexperia) — Аналог от Nexperia.
• KST5584TUA (ON Semiconductor / Fairchild) — Прямой функциональный аналог.
• RN1402 (Toshiba) — Известный аналог.
• BCR108, BCR110, BCR116 (Infineon) — Модели из той же серии, но с другими номиналами резисторов (R1/R2). Например, BCR108 имеет 4.7 кОм/4.7 кОм. Замена возможна с пересчетом управляющего тока.

3. Условно совместимые модели (для переделки или с изменениями в схеме):

• Любой маломощный PNP-транзистор общего назначения (например, BC856, 2N3906, MMBTA56) в комбинации с двумя внешними резисторами номиналом 10 кОм. Это обратная замена, если цифровой транзистор недоступен.

Рекомендации по применению

1. Расчет тока базы: Ток, втекающий в базу (вывод 1) для открытия транзистора, рассчитывается с учетом внутреннего резистора R1 (10 кОм). Формула: I_B ≈ (V_{in} - V_{BE}) / (R1 + R_{drive}), где V_{in} — напряжение управления, R_{drive} — выходное сопротивление управляющей микросхемы.
2. Подключение нагрузки: Нагрузка (например, светодиод с токоограничивающим резистором) подключается между коллектором (вывод 3) и землей. Положительное питание подается на эмиттер (вывод 2).
3. Логика управления: Для открытия PNP-транзистора на его базе (относительно эмиттера) должно быть напряжение, близкое к нулю или отрицательное. То есть, на управляющем выводе должен быть логический 0 (низкий уровень). Высокий уровень на входе выключает транзистор.

Этот компонент является стандартным решением для задач интерфейса "логика-нагрузка" и широко используется в электронике бытовых устройств, автомобильной периферии и промышленной автоматике.