Infineon SOT323

Infineon SOT-323: Описание и технические характеристики

Описание: SOT-323 (Small Outline Transistor) — это миниатюрный, поверхностно-монтируемый (SMD) корпус для полупроводниковых приборов, в первую очередь для маломощных транзисторов (биполярных, MOSFET), диодов и пар транзисторов. Infineon Technologies, как ведущий мировой производитель полупроводников, активно использует этот корпус для компактных и эффективных решений.

Ключевые особенности корпуса SOT-323:

• Миниатюрный размер: Габариты примерно 2.0 x 1.25 x 0.95 мм, что позволяет экономить место на печатной плате (PCB).
• 3 вывода: Стандартная конфигурация (например, для транзисторов: Эмиттер, База, Коллектор или Сток, Затвор, Исток).
• Низкий профиль: Подходит для устройств с ограниченной высотой.
• Поверхностный монтаж (SMD): Полностью автоматизированная сборка, снижение затрат на производство.
• Тепловые и электрические характеристики: Лучше, чем у более мелкого корпуса SOT-723, но уступает более крупным корпусам (например, SOT-23) из-за малой площади теплоотвода.

Области применения:

• Портативная электроника (смартфоны, планшеты, носимые устройства)
• Усилители сигналов и переключательные цепи
• Драйверы светодиодов (LED)
• Управление питанием в маломощных устройствах
• Интерфейсные и RF-приложения (для специализированных RF-транзисторов)

Технические характеристики (общие для корпуса):

• Тип корпуса: SOT-323 (также может обозначаться как SC-70 у некоторых производителей, но с осторожностью — есть отличия).
• Количество выводов: 3
• Материал корпуса: Пластик, не содержащий галогенов, соответствующий RoHS.
• Вес: ~ 6 мг.
• Рабочий температурный диапазон: Обычно от -55 °C до +150 °C (зависит от конкретной модели кристалла внутри).
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): Около 200-250 мВт при температуре окружающей среды 25°C. Важно: Сильно зависит от условий на плате (площадь теплового полигона).
• Тепловое сопротивление (RthJA): Приблизительно 300-500 °C/Вт (без теплового полигона), что указывает на необходимость хорошего теплоотвода на плате для максимальной мощности.

Популярные парт-номера Infineon в корпусе SOT-323 (категории):

1. Биполярные транзисторы (BJTs - NPN/PNP):

• BC847S, BC848S, BC849S, BC850S (NPN, общего назначения, разные коэффициенты усиления)
• BC857S, BC858S, BC859S, BC860S (PNP, комплементарные пары к NPN сериям выше)
• BFP840ESD (RF NPN-транзистор)

2. МОП-транзисторы (MOSFETs):

• BSN20 (N-Channel, 200 mA, 20 V)
• BSS138 (N-Channel, 200 mA, 50 V, логический уровень) — очень популярная модель
• BSS123 (N-Channel, 170 mA, 100 V)
• BSP315, BSP316 (P-Channel, -140 mA, -20 V)
• IPT015N03L (N-Channel, 1.5 мОм, 30 V) — Power MOSFET в SOT-323

3. Диоды и стабилитроны:

• BAT54S (Двойной диод Шоттки в одном корпусе, общий катод/анод/последовательный)
• BZV55-CxxS серия (Стабилитроны, где xx — напряжение стабилизации)

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей:

Важно: Совместимость должна проверяться по datasheet (паспортным данным). Помимо электрических параметров, критично совпадение распиновки (pinout).

• Nexperia (бывш. NXP Semiconductors): Имеет полные линейки BJT и MOSFET в SOT-323 (например, те же BSS138, BC847 серии).
• ON Semiconductor: Производит множество аналогов (например, серии MMBT5484 и др., MOSFET 2N7002 в SOT-323).
• Diodes Incorporated: Предлагает широкий ассортимент транзисторов и диодов в этом корпусе.
• ROHM Semiconductor: Имеет аналоги многих популярных моделей.
• Toshiba, STMicroelectronics: Также производят компоненты в корпусе SOT-323.

Ключевые совместимые серии (функциональные аналоги):

• BC847(S) / BC848(S) / BC849(S) / BC850(S) -> Аналоги: MMBT3904 (NPN), MMBT3906 (PNP) — но проверять pinout!
• BSS138 -> Аналоги: 2N7002 (часто в SOT-23, но есть и в SOT-323), DMN3404L.
• BAT54S -> Прямые аналоги с тем же обозначением есть у Nexperia, ON Semi, Diodes Inc.

Рекомендация: При замене всегда сверяйтесь с техническим описанием (datasheet) от Infineon и производителя-альтернативы, уделяя особое внимание:

1. Распиновке выводов.
2. Предельным электрическим характеристикам (Vce, Vds, Ic, Id, Pd).
3. Электрическим параметрам (Vce(sat), Rds(on), коэффициенту усиления).