Infineon Spa04n60c3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon SPA04N60C3.

Общее описание

SPA04N60C3 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Это ключевой компонент, предназначенный для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, Flyback, Forward).

Его основное предназначение — работа в качестве силового ключа в сетевых источниках питания (линейное напряжение 85-265 В). Технология CoolMOS C3 обеспечивает выдающееся соотношение низкого сопротивления открытого канала (Rds(on)) и заряда затвора (Qg), что минимизирует коммутационные потери и потери на проводимость, повышая общий КПД системы.

Ключевые особенности

• Технология: CoolMOS™ C3.
• Низкое сопротивление открытого канала: Позволяет снизить потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низкому заряду затвора (Qg) и внутренней емкости.
• Высокая надежность и стойкость к лавинному пробою: Технология обеспечивает высокий запас прочности.
• Повышенная стойкость к динамическому включению (dv/dt): Важно для устойчивой работы в жестких условиях коммутации.
• Планарная (Planar) структура: Обеспечивает предсказуемые характеристики и высокую повторяемость.

Основные технические характеристики (ТХ)

• Тип: N-канальный MOSFET.
• Структура: Планарная, CoolMOS C3.
• Сток-Исток напряжение (Vds): 600 В (максимальное, с запасом для сетевого напряжения 220/380В).
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 4.2 А.
• Импульсный ток стока (Id_pulse): 16.8 А.
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
  • Max: 0.95 Ом (при Vgs=10 В, Id=2.1 А, Tj=25°C)
  • Typ: 0.85 Ом
• Заряд затвора (Qg): 21 нКл (типовое, при Vgs=10 В) — ключевой параметр для расчета драйвера.
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3 - 5 В (типовое 4 В).
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В.
• Время включения (t_on) / выключения (t_off): ~15 нс / ~60 нс (типовые).
• Корпус: TO-220 (сквозной монтаж), также доступен в TO-220 FullPak (изолированный).
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Учитывайте, что полное наименование может включать в себя обозначение корпуса и упаковки.

1. Прямые парт-номера от Infineon:

• SPA04N60C3: Основной номер в корпусе TO-220.
• SPA04N60C3FKSA1: Версия в полностью изолированном корпусе TO-220 FullPak (не требует изолирующей прокладки и втулки при монтаже на радиатор).

2. Прямые аналоги и совместимые модели (с очень близкими параметрами, взаимозаменяемы в большинстве схем):

• STMicroelectronics: STP4NK60Z (суперджекшн MOSFET, 4А, 600В, Rds(on)=1.2 Ом) или STP4NK60FP (в изолированном корпусе). Более современный аналог — STF4N60M2 (MDmesh™ M2).
• Fairchild/ON Semiconductor: FQPF4N60C (600В, 4А, 1.2 Ом) или FQA4N60C.
• Vishay/Siliconix: IRFBC40 (классический, но более старый, с худшими параметрами).
• Toshiba: TK4A60W (600В, 4А, 1.4 Ом).

3. Более мощные/современные аналоги из других поколений CoolMOS (могут требовать проверки стабильности в конкретной схеме):

• Infineon CoolMOS™ P6: IPP60R040P6 (600В, 11.5А, Rds(on)=0.40 Ом) — значительно лучше по параметрам, но другой цоколевки (SuperSO8) или IPD60R040P6 (TO-252).
• Infineon CoolMOS™ P7/C7/E7: Еще более новые и эффективные семейства (например, IPP60R070P7), но в основном в SMD-корпусах.

4. Популярные универсальные замены (часто используются в ремонте):

• 4N60 / 4N60C: Общепринятое обозначение для MOSFET 4А 600В от многих производителей. SPA04N60C3 является одним из лучших представителей этого класса.
• K2645: Популярный транзистор от Toshiba, часто используется в ремонте БП. Параметры близки, но не идентичны.

Важные замечания по замене и применению:

1. Перед заменой всегда проверяйте:
   • Распиновку (цоколевку) корпуса. У TO-220 она стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но у SMD-корпусов может отличаться.
   • Ключевые параметры для вашей схемы: Напряжение Vds должно быть не ниже. Ток Id и, что особенно важно, заряд затвора (Qg) должны быть сопоставимы. Если Qg нового транзистора значительно больше, драйвер может не справиться, что приведет к перегреву и выходу из строя.
   • Скоростные характеристики (емкости Ciss, Crss).
2. Технология: Прямая замена на MOSFET другого технологического поколения (например, суперджекшн на CoolMOS) обычно проходит успешно, но обратная замена (более современного на старый) может ухудшить КПД.
3. Корпус: При замене на транзистор в изолированном корпусе (FullPak, FP) можно не ставить изоляционную прокладку, но теплопередача будет хуже, чем у не изолированного TO-220 с пастой и качественной прокладкой.

Вывод: Infineon SPA04N60C3 — это высоконадежный и эффективный транзистор для импульсных БП средней мощности. При замене его аналогами рекомендуется выбирать модели с максимально близкими параметрами, особенно по напряжению, току и заряду затвора, чтобы обеспечить стабильную работу схемы.