Infineon SPP08P06P

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET-транзистора Infineon SPP08P06P.

Общее описание

SPP08P06P — это P-канальный MOSFET-транзистор в популярном корпусе TO-220, предназначенный для управления нагрузками с отрицательным напряжением (или коммутации «плюса» питания). Он является частью линейки «SPP», оптимизированной для коммутации и линейного управления (например, ШИМ) в силовых электронных устройствах.

Ключевое применение: Управление двигателями постоянного тока, соленоидами, лампами, реле, а также часть схем стабилизаторов и преобразователей, где требуется коммутация высокого тока со стороны источника питания (high-side switch).

Технические характеристики (кратко)

• Тип: P-канальный, MOSFET, обогащение.
• Корпус: TO-220 (с возможностью монтажа на радиатор).
• Полярность управления: Для открытия транзистора необходимо подать напряжение на затвор ниже, чем на исток. Обычно: Vgs < -4В для полного открытия.
  • Исток (Source) подключен к + питания.
  • Сток (Drain) подключен к нагрузке.
  • Затвор (Gate) управляется относительно истока.

Основные электрические параметры (при Tj=25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | -60 В | Максимальное допустимое | | Ток стока (непрерывный) | I_D | -8.5 А | При T_C=25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | -34 А | — | | Сопротивление "сток-исток" во включенном состоянии | R_DS(on) | ~0.28 Ом | Ключевой параметр, определяет потери. V_GS = -10 В, I_D = -4.3 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | -2...-4 В | Тип.: -3 В (I_D = -250 мкА) | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | — | | Общая рассеиваемая мощность | P_tot | 50 Вт | На радиаторе при T_C=25°C | | Температура перехода | T_j | -55...+150 °C | — |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки и маркировки.

• Основной полный номер: SPP08P06P
• Корпус TO-220 (транзистор): SPP08P06P-ND (часто используется в каталогах дистрибьюторов)
• Корпус TO-220 (с радиатором): SPP08P06PL (буква "L" часто обозначает "Lead" - выводной, в свинцовой версии).
• Маркировка на корпусе: Обычно нанесено "08P06P".

Прямые аналоги и совместимые модели

При поиске замены важно сверять полярность (P-channel), напряжение V_DS (не менее -60В), ток I_D и сопротивление R_DS(on).

Прямые аналоги от других производителей (с похожими или лучшими параметрами):

1. STMicroelectronics:

   • STP8PF06 — очень близкий аналог, практически полный аналог по параметрам.
   • IRF9Z34N — более старый, но популярный аналог (V_DS = -55В, I_D = -16А, R_DS(on) ниже).

2. Vishay / Siliconix:

   • SUD80P06-08 (или SIHP80P06) — аналогичные параметры.
   • IRF4905 — классический мощный P-канальный MOSFET (V_DS = -55В, I_D = -74А, R_DS(on) ~0.02 Ом). Мощнее, но часто используется в схемах, где стоит SPP08P06P.

3. Fairchild / ON Semiconductor:

   • FQP8P06 — полный функциональный аналог в корпусе TO-220.
   • NDP6020P — логический уровень (открывается при -5В), но меньшее напряжение (V_DS = -20В).

4. International Rectifier (IR):

   • IRF9Z24 (V_DS = -55В, I_D = -17А).

Важное замечание по совместимости: Несмотря на схожесть параметров, перед заменой всегда необходимо:

• Сверять распиновку (расположение выводов Drain, Gate, Source) — у TO-220 она обычно стандартная (слева-направо: G, D, S, если смотреть на лицевую сторону), но бывают исключения.
• Проверять пороговое напряжение V_GS(th), если управляющая схема работает на пределе.
• Учитывать емкость затвора при работе на высоких частотах ШИМ.

Области применения

• Управление двигателями в автоэлектронике, робототехнике.
• Силовые ключи в блоках питания и стабилизаторах.
• Высоковольтные переключатели нагрузки (например, в системах освещения).
• Защита от обратной полярности (в качестве "идеального диода").
• H-мосты для управления двигателями постоянного тока (в паре с N-канальными MOSFET).

Вывод: Infineon SPP08P06P — надежный, проверенный временем P-канальный MOSFET для задач коммутации средних мощностей. Благодаря популярному корпусу и сбалансированным характеристикам имеет множество аналогов, что упрощает поиск замены и снижает зависимость от одного производителя.