Infineon SPP18P06P

Отличный выбор! SPP18P06P — это классический и надежный P-канальный MOSFET от Infineon, широко использовавшийся в различных приложениях для коммутации нагрузки. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

SPP18P06P — это P-канальный мощный MOSFET, выполненный в классическом корпусе TO-220. Он является частью линейки "SPP", которая характеризуется хорошим балансом цены и производительности.

Ключевые особенности и применение:

• Тип: P-Channel (P-канальный). Это важно для схем, где требуется управление нагрузкой со стороны положительного питания (high-side switch).
• Основное назначение: Коммутация индуктивных и резистивных нагрузок с напряжением до 60В.
• Типичные области применения:
  • Управление двигателями постоянного тока (например, в автомобильной электронике, небольших приводах).
  • Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи, особенно в верхнем плече).
  • Системы управления питанием (PMIC) — включение/выключение шин.
  • Управление силовой нагрузкой в промышленной и потребительской электронике (лампами, реле, нагревателями).

Основные преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Позволяет минимизировать потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Высокая стойкость к перегрузкам по току: Способен выдерживать импульсный ток до 72А.
• Простой в использовании: Не требует сложных драйверов для переключения, особенно на низких частотах.
• Проверенная надежность: Корпус TO-220 обеспечивает хороший отвод тепла.

Технические характеристики (кратко)

• Структура: P-Channel MOSFET
• Корпус: TO-220
• Полярность: P-Channel

Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings):

• Напряжение "сток-исток" (V_DSS): -60 В (знак "-" указывает на P-канал)
• Непрерывный ток стока (I_D) при T_C=25°C: -18 А
• Импульсный ток стока (I_DM): -72 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 74 Вт (на теплоотводе)
• Температура перехода (T_J): от -55 до +150 °C

Электрические характеристики (Typical/Key Parameters):

• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)):
  • При V_GS = -10 В: ≤ 0.18 Ом
  • При V_GS = -5 В: ≤ 0.25 Ом
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): от -2 до -4 В (тип. -3 В)
• Емкость "затвор-исток" (C_iss): ~ 800 пФ
• Заряд затвора (Q_g) (тип.): ~ 30 нКл

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (с тем же корпусом и схожими параметрами):

• IPD18P06P4 — Более современный аналог в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый, без металлической площадки), обладает улучшенными характеристиками.
• IRF9Z34N — Очень популярный и распространенный P-канальный MOSFET от International Rectifier (ныне Infineon) с близкими параметрами (V_DSS = -55В, I_D = -19А, R_DS(on) ~ 0.1 Ом). Часто используется как полный аналог.
• IRF9Z24N (V_DSS = -55В, I_D = -17А) — также близкий аналог.

2. Совместимые / Перекрестно заменяемые модели от других производителей: Эти транзисторы имеют схожие или лучшие характеристики и совпадают по цоколевке (TO-220). Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой!

• STMicroelectronics:
  • STP18P06F6 — практически полный функциональный аналог.
  • IRF4905 — еще один "стандарт" индустрии (V_DSS = -55В, I_D = -74А, R_DS(on) ~ 0.02 Ом). Мощнее, но логика управления та же.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60P06-08 (или другие из серии SUP60P06)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FQP18P06 (в корпусе TO-220)
  • NDP6020P (может иметь отличия в характеристиках)
• Texas Instruments:
  • CSD18502P — Более современный вариант с лучшими динамическими характеристиками, но в корпусе D2PAK (TO-263). Требует проверки разводки платы.

3. Ключевые параметры для поиска аналога: При поиске замены ориентируйтесь на следующие параметры в порядке важности:

1. Тип и полярность: P-Channel.
2. Корпус: TO-220 (или совместимый по монтажу, например, D2PAK/TO-263, если позволяет плата).
3. Напряжение V_DSS: ≥ | -60 В | (можно больше, например, -80В, -100В).
4. Ток I_D: ≥ | -18 А | (можно больше).
5. Сопротивление R_DS(on): Сравнимое или ниже при вашем рабочем напряжении затвора (обычно -10В или -5В).

Важное примечание:

SPP18P06P — проверенная временем, но уже не самая современная модель. В новых разработках часто используют более новые транзисторы с меньшим R_DS(on), меньшим зарядом затвора (Q_g) для более быстрого переключения и в более компактных корпусах (например, SuperSO8, D2PAK). Однако для ремонта или воспроизведения старой схемы он остается отличным и доступным выбором.

Перед заменой всегда рекомендуется скачать и сравнить официальные даташиты (технические описания) от производителя, особенно разделы с предельными параметрами и цоколевкой.