Infineon SPW11N80C3

Отличный выбор! SPW11N80C3 — это мощный и надежный MOSFET от Infineon, пользующийся популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

Infineon SPW11N80C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой суперджекционной технологии (Super Junction "CoolMOS™ C3"). Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение: 800 В, что делает его идеальным для работы в сетях 220В/380В.
• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,45 Ом при 11А, что обеспечивает низкие коммутационные потери и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии CoolMOS, что важно для импульсных источников питания.
• Отличная устойчивость к лавинным процессам (UIS): Высокая надежность при работе с индуктивными нагрузками.

Основное назначение: Импульсные источники питания (SMPS), PFC-корректоры, инверторы, драйверы моторов, промышленные системы управления.

Полные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | Super Junction Technology CoolMOS™ C3 | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 800 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 11 А | | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0,45 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 5.5 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3 - 5 В | Тип. 4 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 36 нКл | Общий заряд, влияет на управление | | Время включения (td(on) / tr) | 12 нс / 55 нс | | | Время выключения (td(off) / tf) | 70 нс / 35 нс | | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | На изолированном фланце корпуса | | Диод "сток-исток" (Internal Diode) | Есть | Интегрированный обратный диод | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с отверстием для крепления на радиатор | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Ключевые особенности технологии CoolMOS C3:

• Оптимальный компромисс между RDS(on) и зарядом затвора (Qg).
• Высокая эффективность на высоких частотах переключения (десятки-сотни кГц).
• Высокая стойкость к динамическому включению (dv/dt).

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Полное официальное обозначение: SPW11N80C3

• Производитель: Infineon Technologies
• Часто на корпусе маркируется как W11N80C3 или 11N80C3.

Прямые аналоги и совместимые модели (с проверкой по datasheet!)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по значениям RDS(on), заряду затвора (Qg) и динамическим характеристикам.

1. Аналоги от Infineon (технология CoolMOS):

• SPW11N80C3 (базовая модель)
• IPP11N80C3 — аналог в корпусе TO-220 (менее мощный из-за другого корпуса, но аналогичные характеристики кристалла).
• Более новые/старые поколения CoolMOS (C6, C7, CP) могут иметь лучшие параметры, но требуют проверки цены и наличия.

2. Близкие аналоги по ключевым параметрам (800В, ~11А, TO-247) от других производителей:

• STMicroelectronics: STW11NK80Z, STW11N80K5 (суперджекционная технология MDmesh™).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N80, FCP11N80F (SuperFET®).
• Vishay (Siliconix): SIH11N80E (технология E系列).
• Power Integration (через дистрибьюторов): Могут быть встроены в их решения.

3. Популярные аналоги в корпусе TO-220 (для меньшей мощности):

• Infineon: IPP11N80C3
• STMicroelectronics: STP11NK80Z, STP10NK80Z
• ON Semiconductor: FQP11N80C

Рекомендации по применению и замене

1. При замене всегда обращайте внимание на:
   • Корпус: TO-247 и TO-220 имеют разную способность к отводу тепла.
   • Напряжение (VDS): Не ниже 800В.
   • Ток (ID): Не ниже 11А.
   • RDS(on): Чем меньше, тем лучше (меньше нагрев).
   • Заряд затвора (Qg): Влияет на нагрузку драйвера. Сильно отличающееся значение может потребовать пересчета драйвера.
2. Обязательно используйте термопасту и радиатор при мощности более 1-2 Вт.
3. Защита затвора: Рекомендуется использовать низкоомный резистор (10-100 Ом) последовательно с затвором и стабилитрон 12-15В между затвором и истоком для защиты от выбросов.
4. Пайка: Соблюдайте температурный профиль, указанный в даташите.

Данный транзистор является проверенным "рабочим" решением для ремонта и разработки импульсных блоков питания средней и высокой мощности.