Infineon SPW16N50C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для полевого транзистора Infineon SPW16N50C3.

Общее описание

Infineon SPW16N50C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Он принадлежит к семейству суперджекционных MOSFET (Super Junction MOSFET), что обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Ключевая особенность CoolMOS™ C3 — оптимизация для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS), особенно в критически важных по энергоэффективности и плотности компоновки приложениях. Транзистор обладает низкими динамическими потерями и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основное назначение:

• Импульсные блоки питания (PFC-каскады, прямоходовые, мостовые, полумостовые топологии).
• Инверторы (например, для солнечной энергетики).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Промышленные системы управления.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction, CoolMOS™ C3) | | | Структура корпуса | TO-247 | Стандартный корпус для силовых применений. | | Стойкое напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 500 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Непрерывный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 16 А | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.29 Ом (макс.) при V_GS=10 В | Ключевой параметр. Низкое значение снижает conduction losses (потери на проводимость). | | Заряд затвора (Q_g) (тип.) | 45 нКл | Низкий заряд упрощает управление и снижает switching losses (коммутационные потери). | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень для управления. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (V_GS) | ±30 В | | | Диод сток-исток (Internal Body Diode) | Есть | Паразитный (встроенный) диод. Время обратного восстановления (t_rr) ~ 450 нс (тип.). |

Важные особенности технологии CoolMOS C3:

• Высокая эффективность: Оптимальный баланс между R_DS(on) и зарядами (Q_g, Q_gd).
• Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным breakdown (UIS) и перегрузкам по току.
• Отличная устойчивость к dv/dt: Минимизирует риск ложного открытия.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

Эти модели имеют схожие или идентичные характеристики и могут использоваться как прямые или улучшенные замены в новой разработке.

• SPW17N50C3 — Следующий номинал в линейке: 17А, 500В, R_DS(on) ~ 0.27 Ом.
• SPW20N50C3 — Более мощный: 20А, 500В, R_DS(on) ~ 0.22 Ом.
• SPW24N50C3 — Еще более мощный: 24А, 500В, R_DS(on) ~ 0.19 Ом.
• IPP16N50C3 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220. Подходит для монтажа на меньший радиатор (максимальная рассеиваемая мощность ниже).

2. Совместимые / кросс-платформенные аналоги от других производителей:

При поиске замены важно сравнивать не только напряжение и ток, но и R_DS(on), Q_g и корпус. Следующие модели являются функциональными аналогами с похожими параметрами.

| Производитель | Парт-номер | Корпус | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW16N50K5 | TO-247 | Аналог на технологии MDmesh™ K5. Сопоставимые параметры, часто используется как прямая замена. | | ON Semiconductor | FCP16N50 | TO-247 | SuperFET II MOSFET. Хороший аналог по характеристикам. | | Fairchild/ON Semi | FCP16N50N | TO-247 | Улучшенная версия SuperFET II. | | IXYS (Littelfuse) | IXFH16N50P3 | TO-247 | Высоковольтный MOSFET с похожими параметрами. | | Vishay Siliconix | SUP16N50-21 | TO-247 | Аналог из линейки высоковольтных MOSFET. |

3. Важные замечания по замене:

• Проверка распиновки: Все аналоги в корпусе TO-247 имеют стандартную распиновку (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).
• Тепловые характеристики: При замене на модель с другим тепловым сопротивлением (R_thJC) может потребоваться коррекция системы охлаждения.
• Динамические характеристики: Для высокочастотных схем критично сравнение зарядов затвора (Q_g) и времени переключения. Прямые аналоги CoolMOS C3 (например, MDmesh K5 от ST) часто лучше подходят, чем просто MOSFET с таким же напряжением и током.
• В существующем ремонте: Если SPW16N50C3 вышел из строя, необходимо искать причину отказа (перегрев, перенапряжение, дребезг затвора), иначе замена также может выйти из строя.

Рекомендация: Для новой разработки всегда используйте актуальные datasheets от производителей. Для ремонта лучшим выбором будет оригинальный SPW16N50C3 или его прямой функциональный аналог STW16N50K5, так как они наиболее близки по динамическим и статическим параметрам.