Infineon SPW20N60C2

Отличный выбор! SPW20N60C2 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET транзистор от Infineon Technologies. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

Infineon SPW20N60C2 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C2. Это второе поколение семейства CoolMOS, которое стало отраслевым стандартом для импульсных источников питания благодаря оптимальному балансу между эффективностью и стоимостью.

• Основное назначение: Ключевой элемент в схемах, где требуется высокое напряжение и высокий КПД. Идеально подходит для работы в жестком режиме переключения (hard switching).
• Ключевые преимущества технологии CoolMOS C2:
  • Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Минимизирует conduction losses (потери на проводимость).
  • Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
  • Высокая устойчивость к лавинным процессам (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать кратковременные выбросы напряжения выше предельного, что повышает надежность схемы в реальных условиях.
  • Оптимизированный заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери на переключение (switching losses).

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности: PFC-каскады, прямоходовые и мостовые преобразователи.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Промышленные приводы и контроллеры.
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | CoolMOS™ C2 | | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с хорошим теплоотводом. | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 650 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить в закрытом состоянии. | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 20 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 80 А | Кратковременная перегрузка по току. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.19 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=10 А. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Заряд затвора (Qg) | 60 нКл (тип.) | При Vgs=10 В. Определяет требования к драйверу. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 280 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике ограничивается системой охлаждения. | | Диод сток-исток (Internal Diode) | Есть | Интегрированный обратный (body) диод. Прямое напряжение Vsd ~ 1.3 В. |

Прямые аналоги и парт-номера (Cross-Reference)

Эти транзисторы являются полными или очень близкими аналогами и взаимозаменяемы в большинстве схем без изменений в обвязке.

От Infineon (включая устаревшие бренды):

• SPP20N60C2 — Аналогичная модель в корпусе TO-220. Имеет те же электрические параметры, но меньшую максимальную рассеиваемую мощность (125 Вт) из-за меньшего корпуса.
• SPP20N60S5 — Более современная модель из семейства CoolMOS™ S5 (Superjunction 500V/600V). Часто используется как улучшенная замена с лучшими динамическими характеристиками. Рекомендуется для новых разработок.
• SPW20N60S5 — Версия модели S5 в корпусе TO-247.
• IRFP460, IRFP460LC — Легендарные модели от International Rectifier (ныне Infineon). IRFP460LC имеет более низкий заряд затвора. SPW20N60C2 часто является их прямой и более эффективной заменой.

От других производителей (совместимые аналоги):

• STMicroelectronics: STW20N60M2, STP20N60M2 (серия MDmesh™ II).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP20N60, FCA20N60 (серия SuperFET®).
• Vishay (Siliconix): SUP60N20-18 (серия E系列).
• IXYS: IXFH20N60P
• Примечание: При замене аналогом от другого производителя обязательно нужно сверяться с даташитом, особенно по таким параметрам, как внутренняя емкость (Ciss, Coss, Crss), заряд затвора (Qg) и характеристики внутреннего диода. Это может повлиять на динамику переключения и КПД.

Важные замечания по применению

1. Управление: Для эффективного и быстрого переключения необходим драйвер MOSFET. Не рекомендуется управлять напрямую с выхода микроконтроллера. Типичное напряжение управления затвором (Vgs) — 10-12 В.
2. Защита затвора: Затвор очень чувствителен к статическому электриству и перенапряжению. В схему часто включают стабилитрон на 15-18В между затвором и истоком, а также низкоомный резистор (10-100 Ом) последовательно с затвором.
3. Охлаждение: Корпус TO-247 рассчитан на установку на радиатор. Качество теплового контакта критически важно для надежной работы на высокой мощности.
4. Пайка: При монтаже соблюдайте стандартные меры предосторожности от электростатического разряда (ESD).

Вывод: SPW20N60C2 — это проверенная временем, надежная и эффективная "рабочая лошадка" для построения мощных импульсных преобразователей на напряжение до 400В переменного тока (с запасом для выбросов). Для новых проектов стоит также рассмотреть более современные серии, такие как CoolMOS S5 или S7, которые предлагают лучшие характеристики при сопоставимой цене.