Infineon SPW32N50C3

Infineon SPW32N50C3
Артикул: 564901

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon SPW32N50C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon SPW32N50C3.

Описание

SPW32N50C3 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно там, где критична высокая эффективность и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при минимальном значении заряда затвора (Qg). Это приводит к значительному снижению коммутационных потерь и потерь на проводимость, повышая общий КПД системы.
  • Высокое напряжение сток-исток: 500 В — делает его идеальным для сетевых применений (с учетом пульсаций и выбросов напряжения), таких как коррекция коэффициента мощности (PFC) и прямоходовые/мостовые топологии.
  • Низкий заряд обратного восстановления тела диода (Qrr): Важно для применений, где MOSFET работает в составе синхронного выпрямителя или в мостовых схемах, так как уменьшает потери при коммутации.
  • Высокая стойкость к лавинным пробоям: Технология гарантирует надежную работу в жестких условиях и устойчивость к выбросам напряжения.
  • Корпус TO-247: Классический, широко распространенный корпус для силовых компонентов, обеспечивающий хороший отвод тепла.

Типичные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
  • Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом режиме тока (CrCM).
  • Преобразователи DC-DC (прямоходовые, мостовые, полумостовые).
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Инверторы для солнечной энергетики и сварочного оборудования.

Основные технические характеристики (ТХ)

При температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 500 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | RDS(on) | 0.065 Ом (макс.) | Тип. ~0.055 Ом, при VGS=10 В, ID=16 А | | Максимальный постоянный ток стока | ID | 32 А | При TC=25°C | | Максимальный импульсный ток стока | IDM | 128 А | | | Полный заряд затвора | Qg (тип.) | 75 нКл | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Заряд обратного восстановления | Qrr (тип.) | 1.4 мкКл | Важно для PFC и мостовых схем | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | VGS | ±30 В | | | Рассеиваемая мощность | Ptot | 300 Вт | При TC=25°C (на практике ограничивается охлаждением) | | Температура перехода | TJ | -55 ... +150 °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | RthJC | 0.42 К/Вт | Показывает, насколько хорошо корпус отводит тепло от кристалла | | Корпус | - | TO-247 | |


Парт-номера и совместимые модели

Поскольку SPW32N50C3 является частью большого семейства, его можно заменить аналогами от других производителей, а также другими моделями Infineon с похожими или улучшенными характеристиками.

Прямые аналоги и кросс-референсы (с очень близкими параметрами):

  • STMicroelectronics: STW32N50M2 (аналог на технологии MDmesh™ II, также TO-247, 500В, 0.065 Ом).
  • ON Semiconductor (Fairchild): FCP32N50 (суперджанкшен-технология, 500В, 0.065 Ом, TO-247).
  • Vishay (Siliconix): SUD50N05-09L (500В, 0.065 Ом, TO-247).
  • Toshiba: TK50U60Z (500В, 0.065 Ом, TO-247).

Совместимые/альтернативные модели от Infineon:

  • Для прямой замены (той же серии/технологии):
    • SPW32N50C3 (базовая модель в TO-247).
    • IPP32N50C3 — тот же кристалл, но в более современном и компактном корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус без металлической площадки, с изолированным фланцем). Внимание: отличается тепловыми характеристиками.
  • Более новые/эффективные модели от Infineon (возможна модернизация):
    • SPW32N50C3 -> SPW32N60C3 (600В версия, если нужен больший запас по напряжению).
    • Семейство CoolMOS™ C7 / CFD7: IPA60R280C7 (600В, 0.28 Ом, но с крайне низкими Qg и Qrr). Это следующее поколение, но в корпусе D2PAK (TO-263), требует проверки совместимости по выводам и охлаждению.
    • Семейство CoolMOS™ P7 / IPP: Для PFC-приложений, оптимизировано по Qrr.

Важные замечания по замене:

  1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры: VDSS, RDS(on), Qg, Qrr, а также распиновку и корпус.
  2. Тепловые характеристики: Модели в корпусах TO-220 (например, IPP32N50C3) имеют худшее тепловое сопротивление, чем TO-247. Это нужно учитывать при расчете системы охлаждения.
  3. Динамические характеристики: Даже при схожем RDS(on) параметры Qg и Qrr могут сильно отличаться, что повлияет на работу драйвера и общие коммутационные потери.
  4. Рекомендуется: Для новых разработок рассматривать более новые семейства CoolMOS™ (C7, P7, G7), которые предлагают лучшую эффективность.

Таким образом, SPW32N50C3 — это проверенный, надежный и эффективный силовой ключ для построения мощных импульсных блоков питания, имеющий ряд прямых аналогов и более современных альтернатив.

Товары из этой же категории