Infineon SPW35N60C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon SPW35N60C3.

Описание

Infineon SPW35N60C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Он принадлежит к семейству суперджанкшн (Superjunction) транзисторов, что обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Основное назначение: Ключевые элементы в импульсных источниках питания (SMPS), где требуются высокий КПД, надежность и компактность. Типичные применения:

• Импульсные источники питания (PFC-каскады, LLC-резонансные преобразователи, DC-DC инверторы).
• Инверторы (например, для солнечной энергетики или ИБП).
• Приводы двигателей (промышленные и бытовые).

Ключевые преимущества технологии CoolMOS C3:

• Высокая эффективность: Низкие динамические потери (Eoss, Qg) и низкое RDS(on) минимизируют нагрев.
• Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным процессам и перегрузкам.
• Отличная способность к коммутации: Оптимизировано для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Технология | CoolMOS™ C3 (Superjunction) | — | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с тремя выводами | | Структура | Планар | — | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 650 В | Максимальное напряжение отключения | | Ток стока (ID) при 25°C | 35 А | Постоянный ток (при Tc=25°C) | | Ток стока (ID) при 100°C | 23 А | Постоянный ток (при Tc=100°C) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.065 Ом (65 мОм) | Типовое при VGS=10 В, ID=17.5 А | | Заряд затвора (Qg) | 85 нКл (тип.) | При VGS=10 В, влияет на драйвер затвора | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Минимальное напряжение для открытия | | Макс. мощность рассеяния (Ptot) | 330 Вт | При Tc=25°C (ограничено тепловым режимом) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Встроенный обратный диод | Есть | Быстрый восстановительный диод сток-исток |

Полные парт-номера (Part Numbers)

Официальное полное наименование для заказа:

• SPW35N60C3 (базовая часть)
• Часто указывается в формате: SPW35N60C3FKSA1
  • SPW35N60C3 — основная модель.
  • F — обозначение корпуса TO-247.
  • KSA1 — код лота и упаковки (может незначительно варьироваться).

Для поиска в каталогах и заказа достаточно использовать основной код: SPW35N60C3.

Совместимые и аналогичные модели (Аналоги)

При замене важно учитывать не только основные параметры (VDS, ID), но и динамические характеристики (Qg, RDS(on)), корпус и расположение выводов.

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• IPP60R099C7 / IPP60R099C7XKSA1 — Более новая и эффективная технология CoolMOS™ C7. Имеет значительно более низкое RDS(on) (99 мОм) при сравнимом токе. Часто является рекомендуемой модернизацией для новых разработок.
• SPW35N60CFD / SPW35N60CFDSA1 — Модель из другого подсемейства, но с очень близкими параметрами. Требуется проверка распиновки и характеристик в даташите.
• SPW20N60C3 (20А) и SPW47N60C3 (47А) — Модели из той же линейки C3 с меньшим и большим током соответственно.

2. Аналоги от других производителей (кросс-референсы):

Следует проводить тщательное сравнение даташитов перед заменой.

• STMicroelectronics:
  • STW35N60DM2 (MDmesh™ DM2) — Очень близкий аналог по параметрам и технологии.
  • STW35N60M2 (MDmesh™ M2)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP35N60 / FCP35N60F (SuperFET®) — Популярные аналоги.
• IXYS / Littelfuse:
  • IXFH35N60C3 — Прямой аналог в корпусе TO-247.
• Vishay Siliconix:
  • SUP70N06-08 (серия N-канальных) — Требуется проверка по напряжению и току.
• Toshiba:
  • TK35A60W (DTMOS IV) — Мощный аналог.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Ключевые параметры для замены в импульсных схемах: VDS, ID, RDS(on), Qg, Eoss (энергия выходной емкости).
2. Корпус и монтаж: TO-247 имеет стандартную распиновку (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но у некоторых аналогов (особенно с изолированным корпусом) сток может быть соединен с металлической площадкой.
3. Паразитные элементы: Разная внутренняя структура (планарная, trench) влияет на динамические характеристики, что может потребовать корректировки драйвера затвора (сопротивление, ток).
4. Рекомендация: Для новых проектов рекомендуется рассматривать более современные аналоги, такие как Infineon CoolMOS C7 или STMicroelectronics MDmesh DM6, которые обеспечивают лучшую эффективность.

Вывод: SPW35N60C3 — это проверенный, надежный и эффективный транзистор для мощных преобразователей энергии. При его замене или поиске аналога необходимо уделять внимание не только статическим, но и динамическим параметрам, которые критичны для работы на высоких частотах.