Infineon SPW47N60CFD

Отличный выбор! SPW47N60CFD — это мощный и надежный транзистор, один из флагманов линейки CoolMOS™ CFD2 от Infineon. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

Infineon SPW47N60CFD — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CFD2 (Fast Diode). Он предназначен для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания, особенно там, где критичны высокие частоты переключения, энергоэффективность и надежность.

Ключевая особенность технологии CFD2: Встроенный быстрый диод (Fast Diode) в структуре транзистора. Это кардинально снижает обратное восстановительное время (Qrr) и связанные с ним коммутационные потери, что позволяет работать на высоких частотах (сотни кГц) с минимальными потерями.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, DC-DC преобразователи.
• Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем.
• Сварочные инверторы.
• Приложения с жестким режимом переключения (hard switching).

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET (CoolMOS™ CFD2)
• Корпус: TO-247
• Структура: Супер junction (суперпереход) со встроенным быстрым диодом.
• Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 47 А
• Ток стока (Id) при 100°C: 30 А
• Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): 0.065 Ом (макс. при Vgs=10 В)
• Заряд затвора (Qg): 120 нК (тип.) — низкое значение для быстрого переключения.
• Заряд обратного восстановления диода (Qrr): 0.9 мкК (тип.) — очень низкое значение, ключевое преимущество CFD2.
• Энергия обратного восстановления (Erec): 150 мкДж (тип.)

Важные особенности:

1. Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость (Rds(on)) и на переключение (Qg, Qrr).
2. Высокая частота работы: Благодаря низким Qrr и Qg позволяет строить преобразователи на частотах в несколько сотен кГц.
3. Высокая надежность: Повышенная стойкость к перегрузкам по току и напряжению, отличная способность к работе в режиме лавинного пробоя (Avalanche Rugged).
4. Улучшенная стойкость к dV/dt: Технология CFD2 обеспечивает высокую устойчивость к скоростным перепадам напряжения.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно под одним основным номером поставляются изделия с одинаковыми характеристиками. Однако могут быть варианты в других корпусах или с разной маркировкой.

Прямые аналоги в других корпусах от Infineon:

• SPW47N60CFD — TO-247 (стандартный, с выводами).
• IPW47N60CFD — TO-247 Plus (улучшенный корпус с большей площадью контакта для лучшего теплоотвода).
• IPW47N60CFD7 — TO-247 3-lead (специальная версия с тремя выводами, возможно, с другим расположением).

Важно: Буквы в начале (SPW, IPW) чаще всего указывают на тип корпуса и уровень промышленного применения. Электрические характеристики у них идентичны.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

Полных аналогов с точно такой же технологией Fast Diode (CFD) может не быть, но существуют MOSFET с близкими электрическими параметрами, которые можно рассматривать для замены в некоторых схемах (при обязательной проверке по ключевым параметрам, особенно Qrr и динамическим характеристикам!).

Аналогичные MOSFET от других брендов (супер junction, 600В, ~0.065 Ом, TO-247):

1. STMicroelectronics:

   • STW47N60DM2 (технология MDmesh™ DM2) — классический аналог по напряжению, току и сопротивлению. Нет встроенного быстрого диода, Qrr будет выше.
   • STW48N60DM2 (близкие параметры).

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCH47N60F (SuperFET® II) — мощный MOSFET с хорошими характеристиками.
   • FCP47N60 — аналог из другой серии.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUP47N60-27 (серия E系列) — высоковольтный MOSFET.
   • SIH47N60E — из серии с низким зарядом затвора.

4. Toshiba:

   • TK47N60W (DTMOS IV) — транзистор с низким Rds(on).

Критерии замены (ВАЖНО!):

При поиске замены SPW47N60CFD необходимо в первую очередь обращать внимание на:

• Напряжение Vds: 600 В.
• Ток Id: не менее 30А при 100°C.
• Сопротивление Rds(on): ~0.065 Ом.
• Заряд затвора Qg: желательно низкий (< 150 нК).
• Корпус: TO-247.
• Ключевой параметр для CFD2: Заряд обратного восстановления Qrr. У обычных MOSFET он на порядок выше (5-10 мкК). Замена на модель без Fast Diode в схемах, рассчитанных на высокую частоту, приведет к резкому росту потерь и перегреву.

Вывод: SPW47N60CFD — это высокотехнологичный компонент для профессиональных и высокоэффективных решений. Для прямой замены лучшим вариантом будут его "братья" в других корпусах от Infineon (IPW47N60CFD). Модели других производителей, даже с близкими статическими параметрами, могут значительно уступать в динамических характеристиках (Qrr), что необходимо обязательно учитывать при проектировании или ремонте. Всегда сверяйтесь с официальными даташитами.