Infineon SSP20N60C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon SSP20N60C3.

Общее описание

Infineon SSP20N60C3 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), корректорах коэффициента мощности (PFC) и других преобразовательных приложениях, где ключевыми требованиями являются высокая эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Основные преимущества технологии C3:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов.
• Отличная устойчивость к лавинным пробоям (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать кратковременные скачки напряжения, что повышает надежность схемы в реальных условиях работы.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.

Корпус: TO-220, что обеспечивает удобный монтаж и хороший отвод тепла через радиатор.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условие | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-канальный MOSFET | Enhanced mode | | Технология | — | CoolMOS™ C3 | Super Junction | | Корпус | — | TO-220 | | | Стойкое напряжение | V_DSS | 600 В | Максимальное напряжение сток-исток | | Постоянный ток стока | I_D | 20 А (при T_c=25°C) | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 80 А | | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | 0.19 Ом (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=10 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Общий заряд затвора | Q_g | 60 нКл (тип.) | При V_DS=480 В | | Макс. мощность рассеяния | P_tot | 250 Вт (при T_c=25°C) | С радиатором | | Диод "сток-исток" | — | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Температура перехода | T_J | -55 ... +150 °C | |

Ключевые особенности для применения:

• Идеален для PFC-каскадов и мостовых схем в блоках питания мощностью до 600-800 Вт.
• Высокая устойчивость к dv/dt, что важно для жестких режимов переключения.
• Оптимизирован для работы от стандартных драйверов с напряжением затвора 10-12 В.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Эти номера являются прямыми функциональными и конструктивными аналогами, часто с незначительными вариациями в параметрах или корпусе.

• SPP20N60C3 – Ближайший аналог в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус без металлической площадки).
• IPP20N60C3 – Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (аналогично SPP).
• SPP20N60S5 – Более новая версия по технологии CoolMOS™ S5 (может иметь лучшие динамические характеристики).
• SPW20N60C3 – Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший тепловой режим и рассчитан на больший ток (до 23.5 А).
• IPW20N60C3 – Аналог в корпусе TO-247.

Совместимые модели и кросс-ссылки (от других производителей)

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_iss) для сохранения режимов работы драйвера.

Совместимые/аналогичные модели от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STP20N60M2 (MDmesh™ II) – Очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог.
  • STP20N60M6 (MDmesh™ M6) – Более современная и эффективная версия.
  • STP20N60DM2 (MDmesh™ DM2) – С быстрым встроенным диодом.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP20N60 – Суперджанкшен MOSFET.
  • FCP20N60F – Аналог с улучшенными характеристиками.
• Vishay / Siliconix:
  • SUD20N60-50 – Мощный MOSFET.
• IXYS:
  • IXFH20N60P – Высоковольтный транзистор.
• Power Integration (в составе сборок):
  • Модели, содержащие подобные MOSFET в гибридных сборках для БП.

Важное примечание по замене:

1. Всегда сверяйте распиновку (pinout) корпуса, особенно при замене между TO-220, TO-220FP, TO-247.
2. Проверьте характеристики встроенного обратного диода (скорость восстановления, I_SD), если он активно используется в работе схемы (например, в LLC-резонансных полужмостах).
3. Убедитесь в совместимости по заряду затвора (Q_g), особенно в высокочастотных схемах. Существенная разница может привести к перегреву драйвера или ухудшению динамических потерь.
4. Рекомендуется изучать даташиты и сравнивать ключевые графики перед окончательной заменой в критичных применениях.

Вывод: Infineon SSP20N60C3 — это надежный, проверенный временем транзистор для силовой электроники средней мощности. Благодаря популярности серии CoolMOS™ C3, он имеет широкий спектр как прямых аналогов от Infineon, так и совместимых моделей от других ведущих производителей.