Infineon T1410N08TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon T1410N08TOF.

Описание

Infineon T1410N08TOF — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™-5. Он относится к семейству силовых ключей, оптимизированных для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.

Ключевые особенности и назначение:

• Высокая эффективность: Благодаря чрезвычайно низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) и низким динамическим потерям (заряды Qg, Qgd).
• Целевое применение: Идеально подходит для синхронного выпряления в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким резонансом (LLC), а также для цепей DC-DC преобразователей, моторных приводов и цепей управления питанием на материнских платах.
• Корпус: Выполнен в современном, компактном и термоэффективном корпусе TO-Leadless (TOLL), который обеспечивает отличный отвод тепла через нижнюю контактную площадку и низкую паразитную индуктивность выводов.
• Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении затвора VGS = 10 В, но имеет хорошую проводимость уже при 4.5 В, что позволяет использовать его в схемах с логическими уровнями управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология OptiMOS™-5 | | Корпус | TOLL (TO-Leadless), D²PAK-7L | Планарный, с нижней тепловой площадкой | | Напряжение "сток-исток" | VDS = 80 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (непрерывный) | ID = 141 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (импульсный) | IDp = 565 А | Максимальный импульсный ток | | Сопротивление в открытом состоянии | RDS(on) = 1.0 мОм | Типовое значение при VGS=10 В, ID=70A | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) = 2.3 - 3.5 В | Типовое 2.9 В (при ID=250 мкА) | | Заряд затвора (полный) | Qg ≈ 120 нКл | При VGS=10 В, ключевой параметр для драйвера | | Максимальная рассеиваемая мощность | PD = 357 Вт | При Tc = 25°C | | Диод "сток-исток" | Интегрированный обратный диод (Body Diode) | Время восстановления trr ~ 110 нс |

Парт-номера и аналогичные модели

1. Прямые парт-номера от Infineon (полные аналоги в разных корпусах):

• IPP041N08N5 (в корпусе TO-220) — электрический аналог, но в другом форм-факторе.
• IPP041N08N5 G (в корпусе TO-220 FullPAK) — аналог с изолированной металлической подложкой.
• BSC041N08NS5 (в корпусе SuperSO8) — аналог в компактном SMD-корпусе для менее мощных применений.

Важно: Хотя эти модели электрически очень близки (тот же кристалл), они имеют разные тепловые и монтажные характеристики из-за корпусов. Замена требует пересчета теплового режима и конструкции печатной платы.

2. Совместимые / конкурирующие модели от других производителей (Cross-Reference):

Это транзисторы с сопоставимыми ключевыми параметрами (80В, ~1-1.5 мОм, ток >100А) в похожих корпусах (TOLL, D²PAK-7L, D²PAK-8L):

• Vishay / Siliconix:
  • SIR874ADP-T1-GE3 (80В, 1.4 мОм, 120А, PowerPAK® 8x8)
• ON Semiconductor:
  • FDBL86062_F085 (80В, 0.6 мОм, 100А, Power56) — более низкое RDS(on).
• STMicroelectronics:
  • STL160N8F7 (80В, 1.0 мОм, 160А, PowerFLAT 8x8) — очень близкий аналог.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOTL08A80L1 (80В, 0.8 мОм, 136А, TOLL)

3. Аналоги в других распространенных корпусах (для модернизации или ремонта):

• В корпусе D²PAK (TO-263):
  • IRFS4310ZTRLPBF (International Rectifier, 100В, 1.4 мОм, 104А)
  • STP160N8F7 (STMicroelectronics, 80В, 1.0 мОм, 160А)
• В корпусе TO-220:
  • IRFB4410ZPBF (100В, 2.8 мОм, 96А)
  • IPP041N08N5 (Infineon, 80В, 1.0 мОм, 141А) — прямой аналог в TO-220.

Ключевые рекомендации по замене и применению

1. Не только по параметрам: При замене критически важно учитывать не только VDS, ID и RDS(on), но и:

   • Динамические параметры (Qg, Qgd): Влияют на работу драйвера и коммутационные потери.
   • Корпус и монтаж: TOLL требует специальной посадочной площадки на PCB для пайки. Замена на корпус с выводами (TO-220, D²PAK) кардинально меняет конструкцию.
   • Тепловые характеристики (RthJC, RthJA): От них зависит, сможет ли радиатор или плата рассеять необходимую мощность.

2. Проверка datasheet: Перед любой заменой обязательно сверяйтесь с актуальными даташитами обоих компонентов, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Typical Application Diagrams.

3. Драйвер затвора: Для эффективного управления таким мощным MOSFET необходим соответствующий драйвер с достаточным выходным током (рекомендуется >2-3А) для быстрой зарядки/разрядки затвора и минимизации потерь на переключение.

Вывод: Infineon T1410N08TOF — это высокотехнологичный, мощный и эффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для требовательных применений. При поиске аналога основное внимание следует уделять схожим динамическим характеристикам и, что особенно важно, совместимости корпуса с вашей печатной платой.