Infineon T3710N02TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon T3710N02TOF.

Краткое описание

Infineon T3710N02TOF — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6. Он предназначен для применений, требующих высокой эффективности и надежности, особенно в условиях низкого напряжения сток-исток. Ключевые особенности — чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)) и превосходные характеристики переключения, что минимизирует потери на проводимость и коммутацию. Корпус TO-Leadless (TOLL) обеспечивает отличный тепловой отвод через нижнюю контактную площадку и компактные размеры, что делает его идеальным для современных высокоплотных источников питания, систем телекоммуникаций, промышленных приводов и преобразователей напряжения (например, вторичная сторона синхронного выпрямления в AC/DC и DC/DC преобразователях).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 6 Technology | | Полярность | Enhancement Mode | | | Корпус | TOLL (TO-Leadless) | PG-TOLL-8-1, безвыводной | | Структура | Single | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DS) | 25 В | Максимальное | | Ток стока (I_D) | 210 А (при 100°C) | 410 А (при 25°C) | Зависит от температуры | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. (R_DS(on)) | 0.37 мОм (макс.) | @ V_GS = 10 В, I_D = 100 А | | | 0.45 мОм (макс.) | @ V_GS = 4.5 В, I_D = 100 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1.35 - 2.35 В | Тип. 1.85 В @ I_D = 1 мА | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±20 В | | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 110 нКл (тип.) | @ V_GS = 10 В | | Входная емкость (C_iss) | ~ 7600 пФ (тип.) | @ V_DS = 15 В, V_GS = 0 В | | Энергия восстановления (E_AS) | 640 мДж (макс.) | Одиночный импульс | | Диод "Сток-Исток" | Встроенный (Body-Diode) | | | Температура хранения/перехода (T_J) | от -55 до +175 °C | | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.5 К/Вт | Корпус-переход | | Крепление | Пайка на плату (SMD) | Основной теплоотвод через нижнюю площадку |

Ключевые преимущества:

• Сверхнизкие потери: Благодаря рекордно низкому R_DS(on).
• Высокая эффективность переключения: Малая величина заряда затвора (Q_g) и выходной емкости (C_oss).
• Отличный теплоотвод: Корпус TOLL с большой thermal pad снизу.
• Высокая надежность: Соответствие стандартам Infineon для промышленного применения.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот компонент может поставляться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки и маркировки.

• Основной номер (Ordering Code): T3710N02TOF
• Маркировка на корпусе: Вероятно, T3710 или 3710.
• SPICE модель: Доступна на официальном сайте Infineon для моделирования.

Совместимые и конкурирующие модели (прямые аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать корпус (TOLL), напряжение (25-30В), ток (200А+) и сопротивление (~0.4 мОм).

1. От Infineon (OptiMOS™ 6 / 7):

• Infineon IRLB8743PBF (более старый аналог, но в другом корпусе, TO-220).
• Infineon BSC010NE2LS (OptiMOS™ 5, 25В, 100А, 1.0 мОм) — слабее по току.
• Infineon IAUC100N08S5N015 (OptiMOS™ 5, 80В) — на другое напряжение.
• Новые модели OptiMOS™ 7 25В: Infineon постоянно обновляет линейку. Следует искать на их сайте модели с параметрами 25-30В, R_DS(on) < 0.5 мОм в корпусе TOLL (например, серия IRL.

2. От других производителей (прямые конкуренты):

• Vishay Siliconix: SQJQ210E (PowerPAK® 8x8, 25В, 210А, 0.37 мОм) — самый близкий прямой аналог по параметрам и применению.
• ON Semiconductor: NTMFS0D4N25 (25В, 100А, 0.4 мОм) или более новые модели в корпусах типа LFPAK.
• STMicroelectronics: Модели из серии STL (например, STL320N4LF8AG — 40В, 320А, но в корпусе H²PAK-8).
• Texas Instruments: CSD19537Q5A (NexFET™, 40В, 150А) или аналоги в корпусе SON 5x6.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS): AONQ32240 (30В, 200А, 0.4 мОм в корпусе QFN).

Важное примечание по замене

Несмотря на схожесть электрических параметров, критически важно перед заменой проверять:

1. Распиновку (Pinout) корпуса TOLL.
2. Габаритные размеры и форму thermal pad.
3. Рекомендации по пайке (профиль reflow).
4. Внутреннюю паразитную индуктивность корпуса, которая влияет на динамические характеристики в ВЧ-схемах.

Рекомендация: Всегда обращайтесь к последним официальным даташитам на сайте Infineon и производителя-аналога для проведения полного инженерного анализа возможности замены в вашей конкретной схеме.