Infineon T571N65TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon T571N65TOF.

Описание

Infineon T571N65TOF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CFD7 (седьмое поколение семейства CoolMOS с быстрым диодом обратного восстановления). Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основное назначение: Применяется в схемах, где требуется высокое напряжение, высокий КПД и частота переключения. Типичные области использования:

• Импульсные источники питания (SMPS): корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи (полумост, полный мост).
• Серверное и телекоммуникационное оборудование.
• Промышленные источники питания.
• Зарядные устройства для электромобилей и солнечные инверторы (в составе мостовых схем).

Ключевые особенности технологии CoolMOS™ CFD7:

• Сверхнизкие потери проводимости: Благодаря очень низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)).
• Высокая эффективность переключения: Оптимизированная внутренняя структура минимизирует потери на включение/выключение и заряды затвора.
• Интегрированный быстрый диод обратного восстановления: Встроенный body-диод обладает улучшенными характеристиками обратного восстановления (меньший заряд восстановления Qrr и время trr), что критически важно для работы в мостовых и резонансных топологиях, снижая коммутационные потери и EMI.
• Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным процессам и перегрузкам.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | CoolMOS™ CFD7 | С быстрым диодом | | Корпус | TO-247 | Стандартный 3-выводной корпус для силовых применений | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 650 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока (ID @ 25°C) | 36 А | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 57 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 18 А | | Заряд затвора (Qg) | ~ 100 нКл (тип.) | Общий заряд для переключения | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | ~ 2.4 мкКл (тип.) | Ключевой параметр для работы диода | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У Infineon часто есть несколько вариантов маркировки одного и того же кристалла в разных корпусах или с разными префиксами.

Прямые аналоги от Infineon:

• IPP65R057C7 / IPP65R057C7XKSA1 — Это основной парт-номер кристалла. T571N65TOF — это версия этого кристалла в корпусе TO-247. В спецификациях часто ищут именно по этому номеру.
• IPW65R057C7 — Аналог в корпусе TO-247-3 Long Leads (с длинными выводами).
• SPW65R057C7 — Аналог в корпусе TO-247-3 Short Leads (с короткими выводами, для автоматизированного монтажа).

Совместимые аналоги от других производителей (Cross-Reference):

Важно: Полной 100% совместимости по всем параметрам не существует. Замена требует проверки по ключевым параметрам (VDSS, ID, RDS(on), Qg, Qrr) и схемотехники конкретного устройства. Ниже приведены близкие по основным параметрам модели.

| Производитель | Модель | VDSS | RDS(on) | ID | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | ON Semiconductor | FCP65R057C7 | 650 В | 57 мОм | 32 А | TO-220 / TO-247 | Аналог из линейки "Fairchild Power MOSFET", очень близкие характеристики. | | STMicroelectronics | STW65R057C7 | 650 В | 57 мОм | 39 А | TO-247 | Аналог из серии MDmesh™ M7, оптимизирован для высоких частот. | | Vishay / Siliconix | SJ65R057C7 | 650 В | 57 мОм | 36 А | TO-247 | Аналог из серии "Superjunction MOSFET". | | Toshiba | TK65R057C7 | 650 В | 57 мОм | 36 А | TO-247 | Аналог из серии "DTMOSVI". |

Аналоги в других корпусах (если важен форм-фактор):

• В корпусе TO-220: Нет прямого аналога с такими же параметрами от Infineon. Можно искать аналоги от других производителей (например, FCP65R057C7 в TO-220 от ON Semi), но токовая нагрузка будет ниже из-за худшего теплоотвода.
• В корпусе D²PAK (TO-263): IPD65R057C7 от Infineon.

Рекомендации по замене

1. Приоритет замены: Лучше всего использовать прямые аналоги Infineon с другим корпусом (IPP65R057C7, IPW65R057C7) или аналоги от других производителей с одинаковым сопротивлением RDS(on) и напряжением VDSS.
2. Ключевые параметры для проверки: При замене обязательно сравнивайте:
   • VDSS (должен быть равен или выше).
   • RDS(on) (должен быть равен или ниже).
   • Qg (заряд затвора) — влияет на драйвер. Сильные отличия могут потребовать пересчета драйвера управления.
   • Qrr (заряд обратного восстановления) — критично для PFC и мостовых схем. Должен быть сопоставим.
3. Корпус и монтаж: Убедитесь, что геометрия выводов и способ крепления (отверстие под винт для радиатора в TO-247) совпадают.
4. Всегда сверяйтесь с даташитами (Datasheet) обоих компонентов перед заменой в критичных узлах.

Вывод: Infineon T571N65TOF — это высокотехнологичный и эффективный MOSFET для мощных и высоковольтных преобразователей. Его популярность обусловлена удачным балансом характеристик, что обеспечивает широкий выбор совместимых аналогов от ведущих производителей.