Infineon T719N16TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon T719N16TOF.

Общее описание

Infineon T719N16TOF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к серии, разработанной специально для требовательных приложений синхронного выпрямления в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с резонансными полумостами (LLC) и фазо-резонансными преобразователями.

Его ключевая особенность — чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) в сочетании с высокой скоростью переключения и оптимизированным зарядом затвора (Qg). Это делает его идеальным для повышения эффективности и плотности мощности в современных блоках питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем и игровых ПК.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-220 FullPAK | Пластиковый корпус без металлической площадки, с изолирующим отверстием для крепления. Прямой контакт кристалла с задней стороной для лучшего теплоотвода. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 160 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (Id) | 139 А | При температуре корпуса (Tc) = 25°C. | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 1.9 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При Vgs = 10 В. Очень низкое значение, минимизирует потери на проводимость. | | Заряд затвора (Qg) | 112 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В. Низкий заряд снижает потери на управление и упрощает работу драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.8 - 3.8 В | Типовое ~3.3 В | | Макс. мощность рассеяния (Pd) | 294 Вт | При Tc = 25°C. На практике ограничивается системой охлаждения. | | Диод "сток-исток" | Встроенный body-diode | Быстрый интегральный диод. |

Основные преимущества:

1. Высокая эффективность: Минимальные потери на проводимость и переключение.
2. Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные решения.
3. Надежность: Передовой производственный процесс и контроль качества Infineon.
4. Упрощение схемы управления: Низкий Qg позволяет использовать более простые и дешевые драйверы.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл (чип) поставляется в разных корпусах. Для T719N16TOF основными парт-номерами и совместимыми моделями являются:

1. Прямые аналоги Infineon в других корпусах:

• IPN60R019P7XKSA1 / IPP60R019P7XKSA1 — тот же кристалл в корпусах TO-220 (с металлической площадкой) и TO-220 FullPAK соответственно. IPP60R019P7 — это наиболее часто встречающееся коммерческое обозначение этой серии. T719N16TOF — это, по сути, версия этого транзистора с определенной маркировкой, часто для конкретных партий или клиентов.
• IPP60R190P7 — более старая, но широко распространенная маркировка того же семейства.
• В корпусе D²PAK (TO-263): IPD60R019P7XKSA1
• В корпусе SMD (PowerSO-8): BSC019N06NS (аналогичные характеристики, но в меньшем корпусе).

2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей (Требуется проверка datasheet и распиновки!):

• ON Semiconductor (ныне onsemi): FDPF019N16B, FDBL86062_F085
• STMicroelectronics: STL160N6F7, STP160N6F7
• Vishay Siliconix: SQJ419EP
• Texas Instruments: CSD19536KCS

Важное примечание по замене: При замене необходимо учитывать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и:

• Распиновку корпуса (pinout).
• Динамические характеристики (Ciss, Coss, Crss, Qgd).
• Характеристики встроенного диода (trr, If).
• Рекомендуемую область работы на печатной плате (Layout). Полная проверка по datasheet обязательна.

Типовые области применения

• Синхронное выпряление в мощных импульсных источниках питания (SMPS) топологий:
  • Резонансные LLC-полумосты и полные мосты.
  • Фазо-резонансные преобразователи.
• Выходные каскады серверных, телекоммуникационных и промышленных БП.
• Высокоэффективные DC-DC преобразователи (например, в шинах 12В/48В).
• Силовая электроника в системах солнечной энергетики, ИБП, сварочном оборудовании.

Вывод: Infineon T719N16TOF — это высокотехнологичный MOSFET для силовой электроники, где на первом месте стоит КПД и надежность. Его низкое Rds(on) делает его эталонным выбором для задач синхронного выпряжения в средневольтовом диапазоне (до 160В). При поиске замены или аналога в первую очередь следует ориентироваться на другие парт-номера серии OptiMOS™ 5 160В от Infineon, такие как IPP60R019P7.