Infineon TD142N12KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon TD142N12KOF.

Общее описание

Infineon TD142N12KOF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он принадлежит к серии TOLT (TO-Leadless Topside cooled), что указывает на корпус с бессвинцовыми выводами и охлаждением с верхней стороны. Это ключевая особенность: корпус спроектирован так, чтобы максимально эффективно отводить тепло через верхнюю поверхность (через thermal pad) непосредственно на радиатор или систему охлаждения, что критически важно для мощных и компактных приложений.

Основное назначение — сильноточные переключающие приложения, где требуются минимальные потери на проводимость и переключение. Идеально подходит для:

• Синхронного выпрямления в источниках питания и преобразователях (особенно вторичная сторона в AC/DC и изолированных DC/DC преобразователях).
• Высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS).
• Моторных приводов и контроллеров.
• Систем управления батареями (BMS).
• Солнечных инверторов и другого промышленного оборудования.

Ключевые преимущества (Технология OptiMOS™ 5)

• Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери на проводимость и повысить общий КПД системы.
• Высокая стоковая нагрузочная способность: До 142А непрерывного тока.
• Оптимизированный заряд затвора (Qg): Обеспечивает высокую частоту переключения с низкими динамическими потерями.
• Высокая стойкость к лавинным пробоям: Надежная работа в жестких условиях.
• Корпус TOLT: Отличный тепловой контакт, компактные размеры, подходит для автоматизированной сборки (SMD).

Технические характеристики (Типовые/Максимальные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 100 В | Максимальное напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 1.4 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 70 А | | | | 1.8 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 50 А | | Постоянный ток стока | I_D | 142 А | При T_C = 25°C | | | | 100 А | При T_C = 100°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 560 А | - | | Мощность рассеяния | P_tot | 250 Вт | При T_C = 25°C | | Напряжение затвор-исток | V_GS | ±20 В | Максимальное (стандартно ±10В для работы) | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | Типовое ~3.0 В | | Заряд затвора (полный) | Q_g | ~110 нКл | При V_GS=10В (типовое) | | Время включения / выключения | t_d(on), t_r, t_d(off), t_f | нс диапазон | Указано в даташите, оптимизировано для быстрого переключения | | Температура перехода | T_J | -55 ... +175 °C | Рабочий диапазон | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_thJC | 0.5 К/Вт | Через верхнюю охлаждающую поверхность | | Корпус | - | TOLT (TO-262 ведущий) | SMD-корпус с верхним охлаждением, 3 вывода + thermal pad |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Прямые аналоги и варианты в других корпусах от Infineon:

• IPB014N10N5ATMA1 (OptiMOS™ 5, 100В, 1.4 мОм, TO-263-7 (D2PAK)) — функциональный аналог в более классическом корпусе.
• IPT014N10N5ATMA2 (OptiMOS™ 5, 100В, 1.4 мОм, TO-220) — аналог в корпусе TO-220 для монтажа на радиатор через изоляцию.
• IAUC100N10S5N015T (OptiMOS™ 5, 100В, 1.5 мОм, TO-263-7) — очень близкий аналог.

Аналоги от других производителей (требуют проверки по datasheet): При поиске аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on) (при том же V_GS), Q_g, корпус и цоколевка.

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FDBL86062_F085 (100В, 85А, 1.6 мОм, Power56)
  • NVMFS5C410NLWFT1G (100В, 100А, 1.7 мОм, SO-8FL)
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ410EP-T1_GE3 (100В, 100А, 1.7 мОм, PowerPAK® 8x8)
• STMicroelectronics:
  • STL320N10F7 (100В, 200А, 1.6 мОм, PowerFLAT 5x6)
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOTL10A60F7 (100В, 100А, 1.6 мОм, TO-262)

Важные замечания по применению

1. Охлаждение: Для раскрытия полного потенциала транзистора обязательно использование качественного теплоотвода, контактирующего с верхней металлической пластиной (thermal pad) корпуса TOLT.
2. Цоколевка (Pinout): Стандартная для 3-выводного SMD-корпуса с thermal pad: 1-й вывод (слева) - Затвор (G), 2-й - Сток (D), 3-й - Исток (S). Thermal pad электрически соединен с Истоком (S). Внимательно проверяйте распиновку на чертеже корпуса в даташите перед проектированием платы!
3. Управление: Для полного и быстрого открытия рекомендуется драйвер затвора с напряжением V_GS = 10В.
4. Защита от статики (ESD): Устройство чувствительно к электростатическому разряду, необходимо соблюдать меры предосторожности.

Рекомендация: При замене на аналог или использовании в новом проекте всегда обращайтесь к официальному даташиту (datasheet) на Infineon TD142N12KOF для получения самой актуальной и детальной информации.