Infineon TD162N16KOF

Артикул: 564988

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon TD162N16KOF

Отличный выбор! TD162N16KOF — это мощный и надежный силовой транзистор от Infineon, предназначенный для самых требовательных промышленных применений. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

Infineon TD162N16KOF — это N-канальный MOSFET в сверхнадежном и мощном корпусе TO-247-4 (с дополнительным выводом истока для управления). Ключевая особенность — использование передовой технологии OptiMOS™ 5, которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Основное назначение: Применения, где критичны эффективность, надежность и мощность.

Силовые источники питания: Серверные, телекоммуникационные, промышленные БП (PFC, LLC-резонансные преобразователи).
Инверторы и приводы: Солнечные инверторы, приводы двигателей, промышленные инверторы.
Сварочное оборудование.
Высокомощные импульсные преобразователи.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

Параметр | Значение | Примечание :--- | :--- | :--- Тип транзистора | N-канальный MOSFET (OptiMOS™ 5) | Улучшенные динамические характеристики Корпус | TO-247-4 (4 пина) | 4-й пин — отдельный вывод истока (Kelvin Source) для управления, что снижает паразитную индуктивность и улучшает работу на высоких частотах. Структура | Планарная (Planar) | В отличие от более новых TOLT. Надежная и проверенная технология для высоких напряжений. Напряжение "сток-исток" (VDS) | 600 В | Стандарт для сетевых применений (400В звено постоянного тока). Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 48 А | В идеальных условиях на радиаторе. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.162 Ом (162 мОм) | Макс. значение при VGS=10 В и ID=24 А. Ключевой параметр, отраженный в названии модели (162). Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт | При температуре корпуса 25°C, с эффективным теплоотводом. Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В Заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл (тип.) | Умеренный заряд, что упрощает управление. Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии OptiMOS™, снижает коммутационные потери.

Важное преимущество: Корпус TO-247-4 с отдельным выводом истока для драйвера позволяет значительно снизить влияние паразитной индуктивности петли переключения, что приводит к меньшим выбросам напряжения, более чистым фронтам и возможности работы на более высоких частотах с меньшими потерями.

Совместимые модели и парт-номера (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры (VDS, RDS(on), ID), но и корпус (TO-247-4) и технологию.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

Модели в одной линейке или с максимально близкими параметрами:

IPW60R162CP (IPW60R162C6) — почти полный аналог в корпусе TO-247-3 (без 4-го пина). Основная разница — отсутствие отдельного вывода для драйвера.
IPP60R162CP (IPP60R162C6) — аналог в корпусе TO-220 FullPAK. Для менее мощных применений.
TD160N16KOF — модель с чуть более высоким RDS(on) (0.160 Ом? обычно чуть выше, нужно уточнять по даташиту) в том же корпусе TO-247-4.
Более новые модели серии CoolMOS™ P7 (например, IPA60R280P7S) или CoolMOS™ CFD7 могут быть функциональными альтернативами с лучшими характеристиками, но требуют проверки по схеме, так как это другая технология.

2. Аналоги от других производителей (ОБЯЗАТЕЛЬНО сверять с даташитом и проводить тесты!):

Нужно искать 600В, ~0.16 Ом, 40-50А, TO-247-4 (или 3-pin) MOSFET.

STMicroelectronics:
- STW48N60M2 (600В, 0.115 Ом, 48А, TO-247) — очень близкий по току, но с лучшим RDS(on).
- STP40N60M2 (600В, 0.190 Ом, 40А, TO-220/TO-247) — в другом корпусе.
ON Semiconductor / Fairchild:
- FCH47N60F (600В, 0.162 Ом, 47А, TO-247) — практически полный электрический аналог в TO-247-3.
Vishay / Siliconix:
- SUP60N20-18 (600В, 0.180 Ом, 60А, TO-247) — близкие параметры.
IXYS (Littelfuse):
- Модели серии IXFH или IXFH с похожими параметрами.