Infineon THV3056

Отличный выбор! Infineon THV3056 — это высоковольтный, высокоскоростной N-канальный MOSFET, специально разработанный для импульсных применений в автомобильной и промышленной электронике, где требуется работа с напряжениями до 650 В.

Краткое описание

THV3056 — это ключевой компонент в схемах, требующих эффективного и быстрого переключения высоких напряжений. Его основное применение — импульсные источники питания (SMPS), особенно:

• Обратноходовые (Flyback) и прямоходовые (Forward) преобразователи.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и драйверы для автомобильных систем (например, управление лампами, соленоидами).
• Промышленные системы управления.

Главные преимущества: сочетание высокого пробивного напряжения, низкого сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и очень быстрого переключения благодаря технологии OptiMOS™. Он также обладает низким зарядом затвора (Qg), что снижает требования к драйверу и потери на переключение.

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Технология: OptiMOS™ 5
• Структура: Планар
• Корпус: TO-220 (THV3056-TO-220) — самый распространенный. Также доступен в других корпусах (см. парт-номера).
• Полярность: Enhancement Mode

Электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

1. Напряжения:

   • V_DSS (Сток-Исток, макс.): 650 В
   • V_GS (Затвор-Исток, макс.): ±30 В
   • V_SD (Диод Сток-Исток, макс.): 1.3 В

2. Токи:

   • I_D @ 25°C (Сток, непрерывный): 12 А
   • I_D @ 100°C (Сток, непрерывный): 7.7 А
   • I_DM (Сток, импульсный): 48 А
   • I_AR (Диод, прямой ток, повторяющийся импульсный): 12 А

3. Сопротивления и заряды (ключевые для переключения):

   • R_DS(on) max. (Сопр. канала):
     • При V_GS = 10 В: 0.25 Ом
     • При V_GS = 4.5 В: 0.35 Ом
   • Q_g (Полный заряд затвора, тип.): 40 нКл (при V_GS=10 В) — очень хороший показатель.
   • Q_gd (Заряд перекрестной связи, тип.): 7.0 нКл

4. Динамические характеристики:

   • t_d(on) (Задержка включения, тип.): 12 нс
   • t_r (Время нарастания, тип.): 40 нс
   • t_d(off) (Задержка выключения, тип.): 50 нс
   • t_f (Время спада, тип.): 15 нс

5. Тепловые параметры:

   • P_tot (Макс. рассеиваемая мощность): 125 Вт (в корпусе TO-220 на бесконечном радиаторе)
   • R_thJC (Тепловое сопротивление переход-корпус): 1.0 °C/Вт
   • Диапазон температур перехода (T_j): от -55°C до +150°C

Парт-номера (полные обозначения)

Парт-номер формируется как THV3056-XXX, где XXX указывает на тип корпуса:

• THV3056-TO-220 — Классический пластиковый корпус TO-220 с тремя выводами. Наиболее популярный вариант.
• THV3056-D2-P — Безвыводной (Lead-Free) корпус D²PAK (TO-263), предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) с высокой рассеиваемой мощностью.
• THV3056-T — Корпус TO-262 (аналогичен TO-220, но для поверхностного монтажа).
• THV3056-H — Корпус TO-251 (известен также как IPAK, меньше TO-220).

Важно: При заказе всегда указывайте полный парт-номер с суффиксом корпуса.

Совместимые и аналогичные модели (прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, корпус и распиновку.

1. Прямые аналоги от Infineon (в рамках одного семейства):

• THV3055 — Ближайший "брат". Имеет 600 В, 11.5 А, R_DS(on) = 0.25 Ом. Чуть меньшее напряжение, практически идентичные остальные параметры. Часто взаимозаменяем.
• IPP65R250CFD / IPW65R250CFD — Из другой линейки (CoolMOS™ CFDA), но очень близкие параметры: 650 В, 14.8 А, R_DS(on) = 0.25 Ом. Отличная альтернатива.
• SPP17N80C3 — Старшая модель: 800 В, 17 А, R_DS(on) = 0.25 Ом. Подходит для более высоких напряжений.

2. Аналоги от других производителей (функциональные замены):

Проверяйте даташиты на полное соответствие в вашей схеме!

• STMicroelectronics:
  • STF12N65M5 — 650 В, 11.7 А, R_DS(on) = 0.25 Ом (MDmesh™ M5).
  • STP12N65M5 (в корпусе TO-220).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP12N65 — 650 В, 12 А, R_DS(on) = 0.28 Ом (SuperFET® II).
• Vishay Siliconix:
  • SUD12N65-50 — 650 В, 12 А, R_DS(on) = 0.5 Ом.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXFH12N65X2 — 650 В, 12 А, R_DS(on) = 0.3 Ом.

Важное замечание по замене:

Перед заменой всегда:

1. Сверяйте распиновку корпуса (особенно для D²PAK, SMD-корпусов).
2. Учитывайте динамические характеристики (Qg, C_iss) — они критичны для высокочастотных преобразователей.
3. Проверяйте внутреннюю диаграмму безопасной рабочей области (SOA).

Вывод: Infineon THV3056 — это надежный и эффективный высоковольтный MOSFET, идеально подходящий для построения современных импульсных источников питания с высоким КПД. Его аналоги широко представлены на рынке, что делает его удобным для проектирования и ремонта.