Infineon to-220f

Отличный выбор! Infineon TO-220F — это семейство мощных транзисторов (в основном MOSFET и IGBT) в популярном корпусе FullPAK (полностью пластиковый, изолированный).

Вот подробное описание, характеристики и списки совместимости.

Описание и особенности корпуса TO-220F (FullPAK)

Корпус TO-220F — это изолированная версия стандартного TO-220. Его ключевые особенности:

1. Полная изоляция: Пластиковый корпус полностью окружает металлическую подложку кристалла. Это позволяет монтировать транзистор на радиатор без изолирующей прокладки (шайбы), что значительно улучшает тепловой контакт и снижает тепловое сопротивление.
2. Безопасность и удобство: Устраняет риск короткого замыкания через радиатор. Упрощает процесс сборки.
3. Механическая прочность: Пластиковый корпус обеспечивает защиту от внешних воздействий.
4. Стандартная распиновка: Как правило, соответствует стандарту TO-220: вывод 1 — Gate (Затвор), вывод 2 — Drain (Сток), вывод 3 — Source (Исток) для MOSFET.

Основное применение: Силовые преобразователи, импульсные источники питания (SMPS), управление двигателями, инверторы, сварочное оборудование — везде, где нужна эффективная работа на высоких токах/напряжениях с простым охлаждением.

Общие технические характеристики (на примере популярных линеек)

Характеристики сильно варьируются в зависимости от конкретной модели и технологии (MOSFET, IGBT). Приведены типичные диапазоны для современных компонентов Infineon.

Для MOSFET (OptiMOS, StrongIRFET):

• Напряжение сток-исток (Vds): от 30В до 600В (наиболее популярны 40В-200В).
• Постоянный ток стока (Id): от 10А до 120А (при 25°C).
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): От единиц до десятков миллиОм (например, 2-50 мОм). Чем ниже, тем выше КПД.
• Тепловое сопротивление кристалл-корпус (RthJC): Около 0.5 - 1.5 °C/Вт (очень низкое благодаря прямому контакту).
• Затворный заряд (Qg): От десятков до сотен нанокулон (nC). Влияет на скорость переключения и потери.
• Технология: OptiMOS™ (низкое Rds(on) для низковольтных), CoolMOS™ (для высоковольтных), StrongIRFET™.

Для IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): от 600В до 1300В.
• Коллекторный ток (Ic): от 10А до 40А.
• Падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)): 1.5 - 2.5В.
• Технология: ТrenchStop™ (оптимизированы для низких потерь и устойчивости).

Популярные парт-номера (Part Numbers) Infineon в корпусе TO-220F

Сортировка по напряжению и технологии.

Низковольтные MOSFET (до 200В):

• IPD032N04NF: 40В, 320А, 0.32 мОм (очень мощный, рекордные параметры).
• IPP040N04NF: 40В, 400А, 0.40 мОм.
• IPP023N04NF: 40В, 230А, 0.23 мОм? (Проверьте, возможна опечатка в Rds(on), обычно ~1-2 мОм для таких токов).
• IRF3710PBF (аналог от IR, теперь Infineon): 100В, 57А, 23 мОм.
• IRFS3710PBF (аналог в TO-220F): 100В, 54А, 23 мОм.
• IPP110N20NFD: 200В, 110А, 11 мОм.

Высоковольтные MOSFET (400В+):

• IPP60R099CPA: 600В, 16А, 0.99 Ом (линейка CoolMOS).
• SPP20N60C3: 600В, 20А, 0.19 Ом.

IGBT:

• IKW40N120CS6: 1200В, 40А, IGBT с кремниевым диодом.
• IKW30N60T: 600В, 30А.

Важно: Наличие буквы "F" в конце номера часто (но не всегда) указывает на корпус TO-220F. Более надежный признак — указание "FullPAK" или "Insulated" в даташите. Всегда проверяйте документацию.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

Полных прямых аналогов в корпусе TO-220F с идентичными характеристиками может не быть, но по электрическим параметрам и корпусу совместимы модели от этих брендов:

1. Vishay / Siliconix: Модели в корпусе TO-220-AB (изолированный). Например, серии SiR/SiHF.
2. STMicroelectronics: Используют обозначение TO-220FP (FullPack) или TO-220IS (Insulated). Например, STP/N/P...FP.
   • Пример: STP55NF06FP (60В, 55А) — аналог низковольтных Infineon.
3. ON Semiconductor / Fairchild: Корпус TO-220-3L (Fullpack). Например, серии FDPF, NDF.
   • Пример: FDPF10N50 (500В, 10А).
4. International Rectifier (IR, теперь часть Infineon): Многие старые номера IR (например, IRFS...), которые теперь производятся Infineon, являются прямым совместимым рядом.
5. Toshiba, Renesas: Также имеют изолированные версии TO-220.

Ключевые рекомендации по замене:

При поиске аналога обязательно сравнивайте в даташитах:

• Корпус: TO-220F, TO-220FP, TO-220 FullPAK, TO-220 Insulated.
• Ключевые электрические параметры: Vds/Vces, Id/Ic, Rds(on)/Vce(sat).
• Характеристики переключения: Qg (для MOSFET), время включения/выключения.
• Распиновка (Pinout): Может отличаться у некоторых IGBT или специализированных моделей.

Где искать: Используйте агрегаторы электронных компонентов (например, Octopart, LCSC, FindChips), где можно фильтровать по параметрам и корпусу, а также сервисы подбора аналогов (от поставщиков вроде Mouser, Digi-Key).

Вывод: Семейство Infineon TO-220F — это надежные, высокоэффективные компоненты для силовой электроники, где критичны простота монтажа и качественный теплоотвод. При замене обращайте внимание не только на цифры в номере, но и на детальные технические характеристики в даташите.